Pelikula finen transistore
![](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/90/Thin-film_transistor_variants_DE.svg/220px-Thin-film_transistor_variants_DE.svg.png)
Pelikula finen transistorea, filma mehen transistorea edo Thin-film transistor (TFT) efektu eremuzko transistore mota berezi bat da. Egiteko, substratuen euskarri baten gainean semikonduktore aktibo baten filma meheak jartzen dira,material dielektrikoen geruza eta metalezko kontaktuekin batera. Substratu oso ezaguna beira da.
Filma meheen transistoreen aplikaziorik garrantzitsuena kristal likidozko pantailak dira. Ohiko transistore batean, material semikonduktorea substratua izaten da, siliziozko oleta bat bezala eta hemen dago bi transistoreen arteko ezberdintasuna.
Egitura
[aldatu | aldatu iturburu kodea]![](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/f/ff/Color_TFT-LCD_Layout.png/341px-Color_TFT-LCD_Layout.png)
1: beirazko plakak.
2 eta 3: polarizadore horizontal eta bertikalak.
4: RGB koloredun maskara.
5 eta 6: marra talde horizontal eta bertikalak.
7: polimerozko jeruza sendoa.
8: bereizleak.
9: pelikula finen transistoreak.
10: aurreko elektrodoa.
11 atzeko elektrodoak.
Fabrikazioa
[aldatu | aldatu iturburu kodea]TFT-ak material semikonduktore ezberdinekin fabrikatu daitezke. Ohikoena silizioa da. Silizioz egindako TFT-n ezaugarriak bere kristalino egoeran oinarritzen dira, hau da, semikonduktore geruza silizio amorfoa, silizio mikrokristalinoa edo polisilizio baten epeldua izan daiteke.
![](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/thumb/9/96/Fabricacio_tft.gif/286px-Fabricacio_tft.gif)
TFT-n semikonduktore bezala erabili daitezkeen beste material batzuk kadmio seleniuroa eta metal oxidoak (zink oxidoa) dira. TFT-ak beste material organiko batzuk erabiliz ere fabrikatu daitezke (organiko transistoreak).
Semikonduktoreak eta elektrodo gardenak erabiliz, indio oxidoa eta eztainu oxidoa esaterako, TFT gailuak erabat garden bihur daitezke.
Ohiko substratuek ez dituztenez tenperatura altuak onartzen, substratua ezartzeko prozesua tenperatura baxuetan eraman behar da aurrera. Baporezko deposizio fisiko eta kimikoa erabiltzen da, orokorrean, pulberizazio katodikoa. Lehen TFT gardena, zink oxidoaren oinarrian, 2003an eman zen jakitera Oregon State unibertsitatean.
Portugal-ko CENIMAT laborategiak Lisboako unibertsitatean erabat gardena den TFT-a sortu du giro tenperaturan. Paperezko lehen transistorea, honekin imajinak mugimenduan azaldu daitezke aldizkarietan, ere laborategi berak eraiki zuen.
Aplikazioak
[aldatu | aldatu iturburu kodea]TFT-n gehien ezagutzen den aplikazioa LCD pantailak dira, kristal likidozko teknologiaren ekarpen bat. Transistoreak panelean sartuta daude, pixelen arteko diafonía murriztu egiten delarik imajinaren oreka hobetuz.
2008tik aurrera, telebista monitore eta kolorezko LCD-ek teknologia hau erabiltzen dute. Gainera, oso erabiliak dira erradiografia aplikazioetan eta mediku erradiografian harrapaketa zuzen eta ez zuzenean erabiltzen dira oinarri bezala, imajina lortzeko.
AMOLED pantaila berriek ere (materia aktiboko argia sortzen duen diodo organikoa) TFT geruza bat daramate.
TFT teknologiaren alde onuragarriena pantailan pixel bakoitzarentzat transistore bat izatea da. Transistore bakoitza txikitzen den heinean, kontrolatzeko behar den karga ere murriztu egiten da. Honek pantaila oso azkar bermarraztea dakar.
TFT-ren aurretik matriz pasiboko LCD pantailek ezin zituzten imajinak mugimendu azkarrean garbi erakutsi; pantailan puntero bat A puntutik B puntura eramaterakoan desagertu egiten zela zirudien.
TFT monitore baten punteroaren jarraipena egin daiteke eta horrela bideo-jokoetan eta beste zerbitzuetan erabili daiteke.
Erreferentziak
[aldatu | aldatu iturburu kodea]- https://web.archive.org/web/20100107060144/http://oregonstate.edu/dept/ncs/newsarch/2003/Mar03/transparent.htm</ref> Wager, John
- http://ieeexplore.ieee.org/document/1484047/</ref> Brody, T. Peter (noviembre de 1984). «The Thin Film Transistor - A Late Flowering Bloom». IEEE Transactions on Electron Devices 31 (11): 1614-1628.