微細びさい加工かこう技術ぎじゅつ

微細びさい加工かこう技術ぎじゅつとは微小びしょう領域りょういきに精細せいさいな加工かこうを施ほどこす技術ぎじゅつである。

概要がいよう

微細びさい加工かこう技術ぎじゅつには従来じゅうらいの機械きかい加工かこう技術ぎじゅつだけではなく、フォトリソグラフィ、電解でんかい加工かこう等ひとしが含ふくまれる。

微細びさい加工かこう技術ぎじゅつの種類しゅるい

フォトリソグラフィ

詳細しょうさいは「フォトリソグラフィ」を参照さんしょう

ステッパーによる縮小しゅくしょう露光ろこうによってフォトレジストを塗布とふしたシリコンウエハー等ひとしの材料ざいりょうの表面ひょうめんに露光ろこうして、エッチングによって微細びさいな電子でんし回路かいろを形成けいせいする。

電子でんし線せんによる直接ちょくせつ描画びょうが

詳細しょうさいは「電子でんし線せん描画びょうが装置そうち」を参照さんしょう

真空しんくう中ちゅうで電子でんし線せんによって直接ちょくせつフォトレジストを塗布とふした材料ざいりょう上じょうにパターンを形成けいせいする。走査そうさにはラスタースキャンとベクタースキャンがある。主おもにフォトリソグラフィのマスクパターンの製造せいぞうに用もちいられる。

ナノインプリンティング

詳細しょうさいは「en:Nanoimprint lithography」を参照さんしょう

微細びさい加工かこうによってパターンが刻きざまれたマスクをウエハーに重かさねて転写てんしゃする事ことで従来じゅうらいのフォトリソグラフィでの露光ろこうプロセスを代替だいたいする。

マスクレスリソグラフィ

詳細しょうさいは「マスクレスリソグラフィ」を参照さんしょう

パターンが刻きざまれたマスク使用しようせずにウエハー上じょうにパターンを形成けいせいする。マスクが存在そんざいしないのでパターンの形成けいせいに柔軟じゅうなん性せいがある反面はんめん、生産せいさん性せいは劣おとる。

干渉かんしょうリソグラフィ

詳細しょうさいは「en:Interference lithography」を参照さんしょう

X線せんリソグラフィ

詳細しょうさいは「en:X-ray lithography」を参照さんしょう

紫外線しがいせん露光ろこうよりも分解能ぶんかいのうが高たかくなる事ことが期待きたいされるが、縮小しゅくしょう露光ろこうが出来できないのでマスクの製造せいぞうが課題かだいになる。

集束しゅうそくイオンビーム

詳細しょうさいは「集束しゅうそくイオンビーム」を参照さんしょう

収束しゅうそくしたイオンビームによって直接ちょくせつパターンを作成さくせいする。柔軟じゅうなん性せいがあるものの、生産せいさん性せいは低ひくい。

多た光子こうしリソグラフィ

詳細しょうさいは「en:Multiphoton lithography」を参照さんしょう

レーザー光こうによってパターンを形成けいせいする。

コンピューテショナルリソグラフィ

詳細しょうさいは「en:Computational lithography」を参照さんしょう

コンタクトリソグラフィ

詳細しょうさいは「en:Contact lithography」を参照さんしょう

縮小しゅくしょう投影とうえい型がた露光ろこう装置そうち（ステッパー）を使用しようせずにマスクを直接ちょくせつウエハー上じょうに載のせて露光ろこうする。初期しょきの集積しゅうせき回路かいろや液晶えきしょうパネルの露光ろこう工程こうていで使用しようされていたが、集積しゅうせき度どの向上こうじょうやマスク表面ひょうめんに付着ふちゃくした塵ちりが歩留ぶどまりに影響えいきょうを与あたえるためステッパーによる露光ろこうによって置おき換かえられたが、近年きんねん、ステッパーの解像度かいぞうど向上こうじょうの限界げんかいによりナノインプリントリソグラフィによって再さい登場とうじょうしつつある。

用途ようと

半導体はんどうたいの製造せいぞう
MEMSの製造せいぞう
動どう圧あつ流体りゅうたい軸受じくうけの製造せいぞう

微細びさい加工かこう技術ぎじゅつ

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概要がいよう