(Translated by https://www.hiragana.jp/)
クロスバー - Wikipedia コンテンツにスキップ

クロスバー

リンクを編集へんしゅう
出典しゅってん: フリー百科ひゃっか事典じてん『ウィキペディア（Wikipedia）』

これはこのページの過去かこの版はんです。Nissk (会話かいわ | 投稿とうこう記録きろく) による 2024年ねん6月がつ18日にち (火)か 10:32 （個人こじん設定せっていで未み設定せっていならUTC）時点じてんの版はん (微ほろ修正しゅうせい)であり、現在げんざいの版はんとは大おおきく異ことなる場合ばあいがあります。

曖昧さ回避 この項目こうもくでは、半導体はんどうたい企業きぎょうについて説明せつめいしています。その他たのクロスバーについては「クロスバー (曖昧あいまいさ回避かいひ)」をご覧らんください。
Crossbar, Inc.
種類しゅるい
 非公開ひこうかい
業種ぎょうしゅ 半導体はんどうたい: メモリ
設立せつりつ 2010
創業そうぎょう者しゃ George Minassian, Hagop Nazarian, Wei Lu
本社ほんしゃ
カリフォルニア州しゅうサンタクララ
製品せいひん 半導体はんどうたいメモリ技術ぎじゅつ
従業じゅうぎょう員数いんずう
 20+
ウェブサイト www.crossbar-inc.com ウィキデータを編集

クロスバー (英えい: Crossbar, Inc.) は、カリフォルニア州しゅうサンタクララに拠点きょてんを置おく会社かいしゃである[1]。クロスバーは、不揮発ふきはつ性せい抵抗ていこう変化へんかメモリ (RRAM) 技術ぎじゅつの一種いっしゅを開発かいはつしている[2]。同社どうしゃは2013年ねんに、標準ひょうじゅん的てきなCMOS半導体はんどうたい製造せいぞうプロセスと互換ごかん性せいのある単一たんいつの集積しゅうせき回路かいろ上うえにテラバイトのストレージを実現じつげんするという目標もくひょうを発表はっぴょうした[3]。

歴史れきし

クロスバーは、ジョージ・ミナシアン(George Minassian)、ハゴップ・ナザリアン(Hagop Nazarian)、ウェイ・ユー(Wei Lu, SyNAPSE#外部がいぶリンク)によって2010年ねんに設立せつりつされた[1][4]。ミシガン大学だいがく技術ぎじゅつ移転いてんプログラムの一環いっかんとして、クロスバーは2010年ねんにミシガン大学だいがくから抵抗ていこう変化へんかメモリ (RRAM) の特許とっきょをライセンス供与きょうよされた[5]。クロスバーは、RRAM技術ぎじゅつの開発かいはつ、商品しょうひん化か、製造せいぞうに関かんする特許とっきょを申請しんせいした[6]。

2013年ねん8月がつ、クロスバーはステルス・モード（英語えいご版ばん）から復帰ふっきし、商用しょうよう半導体はんどうたいデバイス製造せいぞう施設しせつでのメモリ・アレイの開発かいはつを発表はっぴょうした。NANDフラッシュメモリと比較ひかくして、半分はんぶんのダイサイズでより高速こうそくな書かき込こみパフォーマンス; より低てい消費しょうひ電力でんりょく、そしてより高こう耐久たいきゅうを実現じつげんすると言いわれていた。CMOS互換ごかんであるため、特別とくべつな装置そうちや材料ざいりょうを必要ひつようとせずに製造せいぞうできる[7]。

クロスバーは、2012年ねんにArtiman Ventures、クライナー・パーキンス・コーフィールド・アンド・バイヤーズ、w:Northern Light Venture Capital、ミシガン州しゅう新しん技術ぎじゅつスタートアップ投資とうし (MINTS) プログラムから2,500万まんドルの資金しきん提供ていきょうを受うけた[8]。2015年ねん9月がつには、中国ちゅうごくと香港ほんこんの投資とうし家かによる約やく3,500万まんドルの別べつの資金しきん調達ちょうたつラウンドが発表はっぴょうされた[9]。

クロスバーは主おもに、消費しょうひ者しゃ製品せいひん、エンタープライズ製品せいひん、モバイル製品せいひん、産業さんぎょう用よう製品せいひん、およびモノのインターネット (IoT) 製品せいひんの相手あいて先さき商標しょうひょう製品せいひん製造せいぞう業者ぎょうしゃ (OEM) およびSystem-on-a-chip (SoC) 開発かいはつ業者ぎょうしゃに販売はんばいしている[10]。

関連かんれん項目こうもく

リファレンス

  1. ^ a b “From D: Notice of Exempt Offering of Securities”. United States Securities and Exchange Commission (November 20, 2012). March 31, 2017閲覧えつらん。
  2. ^ Clark, Don. “Crossbar Enters Race to Change Memory Chips”. blogs.wsj.com The Wall Street Journal. https://blogs.wsj.com/digits/2013/08/05/crossbar-enters-race-to-change-memory-chips/ 5 August 2013閲覧えつらん。 
  3. ^ Poeter, Damion. “Startup's 'RRAM' Tech Promises 1TB Memory for Mobile Devices”. PCMagazine.com. https://www.pcmag.com/article2/0,2817,2422734,00.asp 5 August 2013閲覧えつらん。 
  4. ^ Shah, Agam. “Startup Crossbar pits RRAM against DRAM and flash storage”. CIO.com. 5 August 2013閲覧えつらん。
  5. ^ Moore, Nicole. “Faster, more powerful mobile devices: U-M startup Crossbar could disrupt the memory market]”. ns.umich.edu. 5 August 2013閲覧えつらん。
  6. ^ Cole, Bernard. “Startup wants to replace NAND and DRAM with silver RRAMs”. embedded.com. http://www.embedded.com/electronics-news/4419460/Startup-wants-to-replace-NAND-and-DRAM-with-silver-RRAMs 5 August 2013閲覧えつらん。 
  7. ^ Harris, Robin. “Flash successor announced”. zdnet.com. http://www.zdnet.com/flash-successor-announced-7000018981 5 August 2013閲覧えつらん。 
  8. ^ Tom Simonite (August 14, 2013). “Denser, Faster Memory Challenges Both DRAM and Flash”. MIT Technology Review. http://m.technologyreview.com/news/517996/denser-faster-memory-challenges-both-dram-and-flash/ March 31, 2017閲覧えつらん。 
  9. ^ Chris Mellor (September 18, 2015). “D-round VC ReRAM cash comes crashing down on Crossbar: Close, so close to getting its ReRAM afloat before Intel and Micron barge in”. The Register. March 31, 2017閲覧えつらん。
  10. ^ Takahasi, Dean. “Crossbar says it will kill the $60B flash memory market with Resistive RAM, which stores a terabyte on a chip”. venturebeat.com. https://venturebeat.com/2013/08/05/crossbar-says-it-will-explode-the-60b-flash-memory-market-with-resistive-ram-which-stores-a-terabyte-on-a-chip/ 5 August 2013閲覧えつらん。 

外部がいぶリンク

「https://ja.wikipedia.org/w/index.php?title=クロスバー&oldid=100767249」から取得しゅとく