——研究けんきゅう開発かいはつのテーマは多種たしゅ多様たよう。難易なんい度どは低ひくいが高たかい確度かくどで成果せいかが得えられるテーマもあれば、難易なんい度どが高たかく成功せいこう率りつが低ひくいが成果せいかを得えられればインパクトが極きわめて大おおきいテーマもある。大学だいがくや公的こうてき研究けんきゅう機関きかんはどちらの研究けんきゅうテーマを選えらぶべきなのか。

十じゅう倉くら氏し（以下いか、十倉とくら）　そもそも最初さいしょから壮大そうだいな研究けんきゅうテーマを考かんがえて、それにチャレンジしたとしてもほとんどはうまくいきません。研究けんきゅうの始はじまりは「こういうことを実現じつげんしたい」という研究けんきゅう者しゃの小ちいさな思おもいです。

私わたしは、「マルチフェロイックス」という分野ぶんやで研究けんきゅうをしています。一般いっぱんにコイル中ちゅうで磁石じしゃくを動うごかすと電磁でんじ誘導ゆうどうが発生はっせいし、電気でんきと磁気じきが変化へんかします。このときコイルに電流でんりゅうを流ながさずに電界でんかいだけで磁石じしゃくを作つくれれば、わずかなエネルギーしかいらない。この現象げんしょうを電気でんき磁気じき効果こうかと呼よびます。一般いっぱん的てきな電磁気でんじき学がくとは異ことなる新あたらしい現象げんしょうです。これを実現じつげんさせたい。その思おもいから研究けんきゅうに着手ちゃくしゅしました。

しかも当初とうしょは効果こうかが小ちいさくても、低温ていおんでも構かまわないので、原理げんり的てきに新あたらしいものを見みつけることを目指めざしました。そうして研究けんきゅうテーマを少すこしずつ大おおきくしていく。例たとえば、温度おんどを高たかくして室温しつおんでも起おきるようにしたり、効果こうかを1000倍ばい、1万まん倍ばいと徐々じょじょに大おおきくしたりしていくわけです。研究けんきゅうテーマは徐々じょじょに大おおきくなります。しかし、すべて順調じゅんちょうに進すすむとは限かぎらない。途中とちゅうで挫折ざせつすることも少すくなくありません。

中原なかはら氏し（以下いか、中原なかはら）　十倉とくら先生せんせいは、思おもい通どおり研究けんきゅうが進すすまなくなった場合ばあいはどうされるんですか。

十倉とくら　そのときは、あきらめます（笑）。私わたしたちが相手あいてにしているのは自然しぜん。挫折ざせつしたのは、努力どりょくが足たらないのではなく、「できること、できないこと」を自然しぜんが決きめているからです。様々さまざまな手てを尽つくして解決かいけつできなかったら、それはしょせん無理むりなのです。もちろん違ちがう戦略せんりゃくを考かんがえたりしますが、ある程度ていど挑戦ちょうせんして打開だかいできなかったらあきらめます。

中原なかはら　研究けんきゅうを始はじめるきっかけになるタネは、どうやって見みつけていますか。

十倉とくら　やはり、無むから有ゆうは生しょうじません。どこかにタネはあります。例たとえば、マルチフェロイックスの分野ぶんやであれば、「電流でんりゅうを流ながさずに電界でんかいだけで磁石じしゃくを作つくること」がみんなの夢ゆめでした。私わたしはもともと物理ぶつりが専せん門もんで、高温こうおん超電導ちょうでんどう体たいや磁性じせい体たいなどを研究けんきゅうしていた経験けいけんがあります。そうした背景はいけいから常々つねづね、「固体こたいの中なかで電気でんきと磁気じきがどう絡からみ合あえば、この夢ゆめを実現じつげんできるのか」と考かんがえていました。すると、あるとき「この方法ほうほうだったら実現じつげんできるのでは」というアイデアが浮うかびます。この妄想もうそうを試ためすわけです。

十倉とくら　一方いっぽうで、エンジニアリングの王道おうどうとして「バックキャスティング」と呼よぶ手法しゅほうがあります。これは、産業さんぎょう界かいで必要ひつようとされるデバイスを目標もくひょうとして、それを実現じつげんするために未来みらいから現在げんざいにさかのぼって道筋みちすじを記述きじゅつし、現在げんざいから少すこしずつたどっていく手法しゅほうです。しかし、研究けんきゅうではこの手法しゅほうは採とれません。研究けんきゅうはとても新あたらしいことを対象たいしょうにするため、未来みらいから現在げんざいへの道筋みちすじが描えがけないからです。むしろ研究けんきゅうでは、現在げんざいの研究けんきゅう成果せいかの延長線えんちょうせん上じょうで未来みらいを予測よそくして次つぎの目標もくひょうを決きめる「フォワードキャスティング」の手法しゅほうで進すすめる必要ひつようがあります。

フォワードキャスティングを採とった場合ばあいは、目めの前まえにある小ちいさなバリアーをいかに超こえるかが課題かだいになります。私わたしは、この課題かだい解決かいけつのために「揺ゆらぎ」を大切たいせつにしています。寄より道みちをしたり、人ひとの話はなしをボーッとして聞きいたり、会議かいぎをしたりしたときに解決かいけつ策さくが急きゅうに頭あたまに浮うかぶことがある。これが揺ゆらぎの効果こうかです。だから中原なかはらさんが、「こんなことが実現じつげんできたら面白おもしろいよね」と話はなしてくれたりすると、それが揺ゆらぎとなり、新あたらしいアイデアを思おもい付ついたりします。

中原なかはら　分わかります。揺ゆらぎによってアイデアが頭あたまに浮うかぶのは、普段ふだんからどこに向むかうのか、何なにを実現じつげんしたいのかという問題もんだい意識いしきを常つねに持もっているからですよね。

十倉とくら　はい、私わたしの問題もんだい意識いしきは「ドミノ倒だおしみたいなことを実現じつげんさせたい」ということです。ドミノ倒だおしとは、最初さいしょにわずかな力ちからを加くわえただけで、最終さいしゅう的てきに爆ばく弾だんが「ボン」と爆発ばくはつするような現象げんしょうです。例たとえば、超電導ちょうでんどうは当初とうしょ、温度おんどが10K（ケルビン）や20Kといった超ちょう低温ていおんでしか現象げんしょうが確認かくにんできなかったのですが、現在げんざいでは室温しつおん（135K程度ていど）で確認かくにんできるようになりました。このように物理ぶつり現象げんしょうの応答おうとうを巨大きょだい化かすることを、電気でんきと磁気じきの相互そうご作用さようで実現じつげんさせたい。これはいつも頭あたまの中なかに置おいています。

恐おそらく、研究けんきゅう者しゃであれば、従来じゅうらいに比くらべて応答おうとうや物性ぶっせいが桁違けたちがいに大おおきい新あたらしい原理げんりを見みつけたいと思おもっているはずです。しかし、最初さいしょから2桁けた大おおきい応答おうとうや物性ぶっせいを見みつけようとしても、なかなかうまくいかない。とにかく、小ちいさな応答おうとうや物性ぶっせいを見みつけることから始はじめないといけません。

——やはり大学だいがくや公的こうてき研究けんきゅう機関きかんでは、難易なんい度どが高たかい研究けんきゅうテーマを選えらぶべきなのか。

十倉とくら　もちろん大学だいがくの研究けんきゅうも様々さまざまです。企業きぎょうと同様どうように、バックキャスティングの手法しゅほうでデバイスの性能せいのうを少すこしずつ高たかめていく研究けんきゅうも必要ひつようでしょう。その対極たいきょくにいるのが夢ゆめを追求ついきゅうする研究けんきゅうテーマになります。成果せいかが出でなければお金かねにならず、研究けんきゅう費ひがなくなります。そのリスクは大おおいにありますが、大学だいがくでは夢ゆめを追おいかける研究けんきゅうも「アリ」だと思おもいます。

中原なかはら　現在げんざい、そうした夢ゆめを追求ついきゅうする基礎きそ研究けんきゅうテーマは増ふえているのですか。

十倉とくら　今いまは基礎きそ研究けんきゅうの元気げんきがなくなっていて、投資とうし額がくも減へっています。このため基礎きそ研究けんきゅうでも2年ねん先さき、5年ねん先さきの産業さんぎょう応用おうようを目指めざせと言いわれるようになってきました。ただし現代げんだいは、リニアモデルが成立せいりつしていた50年ねん前まえとはまったく異ことなります。基礎きそ研究けんきゅうと産業さんぎょう応用おうようの乖離かいり（かいり）がどんどん進すすんでいます。基礎きそ研究けんきゅうの成果せいかがそのまま社会しゃかい実装じっそうされるケースは少すくなくなっています。

——企業きぎょうは、大学だいがくに対たいしてどのような研究けんきゅうテーマに取とり組くんでほしいのか。

中原なかはら　大学だいがくの研究けんきゅうは、多様たよう性せいがあってほしい。そう願ねがっています。親おやが病気びょうきで、それを治なおしたいから医者いしゃになる人ひとがいます。そういう人ひとは病気びょうきの原因げんいんを原理げんりから追究ついきゅうする研究けんきゅうよりも患者かんじゃを治なおす医者いしゃを目指めざすでしょう。一方いっぽうで、十倉とくら先生せんせいのように物理ぶつりを原理げんりから変かえて、「21世紀せいきの物理ぶつり」を構築こうちくしたいという研究けんきゅう者しゃもいます。この幅はばの広ひろさが大学だいがくの魅力みりょくです。

十倉とくら　中原なかはらさんは、大学だいがくや公的こうてき研究けんきゅう機関きかんにおける基礎きそ研究けんきゅうの現状げんじょうについてどう見みていますか。

中原なかはら　少すこし「役立やくだつ」を意識いしきし過すぎでは、と思おもっています。大学だいがくの研究けんきゅうは、「選択せんたくと集中しゅうちゅう」をしたらダメだと思おもいます。多様たよう性せいを失うしなうからです。選択せんたくが正ただしければ集中しゅうちゅうした方ほうがいいですが、この山やまを取とったら確かく実じつにもうかるなんて、誰だれが分わかるのでしょうか。

例たとえば、現在げんざいの効率こうりつが60％のデバイスを80％に高たかめる。こういった具体ぐたい的てきな目標もくひょうがあれば選択せんたくと集中しゅうちゅうが可能かのうですが、何なんでも具体ぐたい的てきな目標もくひょうを設定せっていすべきかについては疑問ぎもんが残のこります。例たとえば、現在げんざい話題わだいの量子りょうしコンピューターですが、「量子りょうしコンピューターはこうあるべき」と先さきに決きめてしまうと、異ことなる方法ほうほうが優勢ゆうせいになったときに対応たいおうできなくなります。あえて具体ぐたい的てきな目標もくひょうを定さだめない方ほうがよいものもあると思おもいます。

十倉とくら　私わたしたちの研究けんきゅうでは、失敗しっぱいをネタにして次つぎに進すすめるというケースが多おおいですね。もっと広ひろい立場たちばで言いえば、学術がくじゅつ的てきには様々さまざまな原理げんりがあり、その中なかにはとても役やくに立たちそうにないものもあります。しかし、それらにも価値かちがある。研究けんきゅうテーマを変かえて次つぎの山やまを狙ねらいに行いくとき、研究けんきゅうコミュニティーに財産ざいさんが残のこっていれば、それを生いかすことができるからです。

中原なかはら　個人こじん的てきな経験けいけんで言いえば、私わたしは、失敗しっぱいしたときの方ほうが役やくに立たっている気きがします。成功せいこうすると「あー、良よかった」で終おわりますが、失敗しっぱいすると「どうしてああなってしまったんだ」と反省はんせいし、そして「次つぎは同おなじ失敗しっぱいを繰くり返かえさないように戦略せんりゃくを立たてよう」、というふうに、もっと深ふかく考かんがえるからです。だから「失敗しっぱい」という言葉ことばはよくない。想定そうてい通どおりでなかっただけであり、挑戦ちょうせんしたことは別べつの機会きかいで必かならず生いきてきます。

——研究けんきゅうにおける成功せいこうと失敗しっぱいは、どのように定義ていぎしているのか。

十倉とくら　私わたしの研究けんきゅう室しつで修士しゅうし号ごうを取得しゅとくした後のちにデバイスメーカーに就職しゅうしょくした学生がくせいがいます。彼かれは就職しゅうしょく後ごも研究けんきゅう室しつを度々たびたび訪問ほうもんしてくれて、当時とうじ開発かいはつに携たずさわっていた青色あおいろLED（発光はっこうダイオード）を見みせに来きました。その青色あおいろLEDは、II-VI族ぞく半導体はんどうたいのZnSe（セレン化か亜鉛あえん）を材料ざいりょうに使つかったものでしっかりと光ひかっていました。

一方いっぽうで、中原なかはらさんは同おなじII-VI族ぞく半導体はんどうたいのZnO（酸化さんか亜鉛あえん）を使つかった紫むらさき外がい光こうのLEDを開発かいはつされていましたよね。どちらも実用じつよう化かという意味いみでは、III-V族ぞく半導体はんどうたいのGaN（窒化ガリウム）材料ざいりょうの後塵こうじんを拝はいしてしまった。もちろん、今いまだからGaNが正解せいかいだったと言いえますが、当時とうじはZnSeにもZnOにもチャンスがあると考かんがえられており、どの材料ざいりょうが勝者しょうしゃになるか分わからなかったですよね。

中原なかはら　誰だれも確実かくじつな答こたえは持もっていなかったですね。

十倉とくら　GaNは窒化物ぶつ（ナイトライド）だから扱あつかいにくそうなのは直感ちょっかん的てきに分わかりますが、一方いっぽうでZnOは酸化さんか物ぶつ（オキサイド）なのでp型がた半導体はんどうたいを作つくるのが難むずかしそうです。それでも、どうしてZnOを選択せんたくしたのですか。

中原なかはら　理由りゆうはとても単純たんじゅんで、GaNが特許とっきょ紛争ふんそうを抱かかえていたからです。当社とうしゃはLEDと半導体はんどうたいレーザーを製品せいひん化かしており、1998年ねんごろにBlu-ray Disc（ブルーレイディスク）に向むけた青色あおいろ半導体はんどうたいレーザーを開発かいはつしようということになりました。その当時とうじ、すでにGaNを使つかった青色あおいろLEDは実用じつよう化かされており、特許とっきょ紛争ふんそうが話題わだいになっていました。もちろん当社とうしゃの事業じぎょう部門ぶもんとしてはGaNを追究ついきゅうした方ほうが技術ぎじゅつ的てきに確実かくじつでしたが、特許とっきょ問題もんだいで販売はんばいできなくなるリスクがある。そうしているうちに、当時とうじの社長しゃちょうである佐藤さとう研一郎けんいちろうが、「光ひかる原理げんりが変かわらないなら、別べつの材料ざいりょうでも可能かのうなんじゃないか？」と言いい出だしました。そこで、当時とうじ東京工業大学とうきょうこうぎょうだいがくにおられた川かわ﨑雅司し先生せんせい（現げん東京大学とうきょうだいがく教授きょうじゅ）が「ZnOは大変たいへん発光はっこう効率こうりつが高たかい」という論文ろんぶんを発表はっぴょうされていたため、チャレンジしようということになりました。

十倉とくら　産業さんぎょう界かいでは、II-VI族ぞく半導体はんどうたいを使つかった光ひかりデバイスはすべて失敗しっぱいに終おわりましたが、その開発かいはつで得えたものは現在げんざい何なにかに役立やくだっていますか。

中原なかはら　残念ざんねんながら直接的ちょくせつてきなものはありません(笑)かっこわらい。ただ、川かわ﨑教授きょうじゅが引ひき取とってくれて研究けんきゅうを継続けいぞくされています。私わたしが作つくった成なり膜まく装置そうちは太平洋たいへいようを渡わたり、現在げんざいは米国べいこくの研究けんきゅう機関きかんで2次元じげん電子でんしガスという物性ぶっせい研究けんきゅうに使つかわれています。

十倉とくら　2次元じげん電子でんしガスに関かんする知見ちけんは、「分数ぶんすう量子りょうしホール効果こうか」の研究けんきゅうに役立やくだっています。分数ぶんすう量子りょうしホール効果こうかは量子りょうしホール効果こうかの1つであり、その研究けんきゅう成果せいかに対たいしてはノーベル賞しょうが贈おくられています。分数ぶんすう量子りょうしホール効果こうかにおける偶数ぐうすう分母ぶんぼ状態じょうたいは、量子りょうしコンピューターで活用かつようできると期待きたいされています。

中原なかはら　ZnOの開発かいはつで得えたものはあります。研究けんきゅうにおける成功せいこうか失敗しっぱいかは、軸じくの取とり方かたの問題もんだいだということです。「お金かねがもうかる」という軸じくであればZnOの研究けんきゅうは失敗しっぱいです。しかし、「勉強べんきょうになった」という軸じくであれば、決けっして失敗しっぱいではありません。

十倉とくら　価値かちの軸じくが1つだけならば、成功せいこうか失敗しっぱいかになってしまいます。しかし、やることをやってダメだったら、それは仕方しかたのないことです。自然しぜんが決きめたことだから。もちろん、見通みとおしが甘うまかったかもしれないが、失敗しっぱいではない。むしろ私わたしたちにとっては、次つぎに進すすむきっかけになるし、少すくなくともガッカリするようなことではないと思おもいます。

——1990年代ねんだいに隆盛りゅうせいを極きわめたエレクトロニクス企業きぎょうの中央ちゅうおう研究所けんきゅうじょは、今いまや見みる影かげもない。この中央ちゅうおう研究所けんきゅうじょの栄枯盛衰えいこせいすいから学まなべることは何なにか。

中原なかはら　企業きぎょうの研究けんきゅう開発かいはつは、ユーザーにお金かねを払はらっていただける商品しょうひんをどうやって生うみ出だすのかに集中しゅうちゅうすべきだと考かんがえています。従したがって、研究けんきゅう者しゃの興味きょうみだけでテーマを選えらぶべきではない、というのが私わたしの意見いけんです。別べつのい方いかたをすれば、企業きぎょうの研究けんきゅう開発かいはつはテクノロジードリブンに寄よりすぎず、マーケットドリブン、もしくはデマンドドリブンであるべきです。

十倉とくら　19世紀せいきの終おわりに電磁気でんじき学がくが完成かんせいしました。19世紀せいきにおける最大さいだいの科学かがく的てき・技術ぎじゅつ的てきな成果せいかは電磁気でんじき学がくによる発電はつでん機きだったと言いえるでしょう。その後ご、第だい2次じ世界せかい大戦たいせん後ごにpn接合せつごうが完成かんせいし、半導体はんどうたいデバイスが誕生たんじょう。半導体はんどうたいデバイスは、花はなが開ひらいてからわずか30〜40年ねん後ごにあれほどまで大おおきな産業さんぎょうに発展はってんしました。それは人類じんるい史上しじょう、まれに見みる事態じたいと言いえます。

私わたしたちは、完全かんぜんに変へんな時代じだいに生いきていました。Si（ケイ素けいそ）文明ぶんめいは特殊とくしゅだったのです。とても変化へんかが激はげしかったため、研究けんきゅう開発かいはつの価値かち観かんや、その価値かちを深ふか掘ほりする企業きぎょうの戦略せんりゃくがそれとともに変かわるのは仕方しかたないことだったと思おもいます。そのため中央ちゅうおう研究所けんきゅうじょは突然とつぜん役割やくわりを終おえた。事実じじつ、日本にっぽんだけでなく、米国べいこくでも同様どうようの動うごきがありました。

企業きぎょうで取とり組くまれていた基礎きそ研究けんきゅうは、現在げんざいそのほとんどが大学だいがくなどに移うつっています。しかし、大学だいがくはそれほどコヒーレントではない。つまり目標もくひょうに向むけて、みんなで力ちからを合あわせてワーッと取とり組くむ馬力ばりきもなければ、投資とうし力りょくもありません。このため基礎きそ研究所けんきゅうじょの役割やくわりを十分じゅうぶんに果はたしているとは言いい難がたい。それでは、どうすればいいのか。今いま、その答こたえは持もち合あわせていません。

——中央ちゅうおう研究所けんきゅうじょが廃すたれていく中なかで、ロームは研究けんきゅう開発かいはつに力ちからを入いれておりSiC（炭化たんかケイ素けいそ）パワー半導体はんどうたいという成功せいこう事例じれいを生うみ出だした。成功せいこうした理由りゆうは何なにか。

中原なかはら　1つは、基本きほん的てきにSiでは勝かてないという自覚じかくがあったからだと思おもいます。要ようは、微細びさい化かは追おわないということです。微細びさい化かを進すすめれば進すすめるほど、製造せいぞうに対たいする投資とうし額がくは桁違けたちがいに増ふえていくので、当社とうしゃの体力たいりょくではついていけません。

そうした自覚じかくがあったため、Si以外いがいに目めが行おこなったのは自然しぜんな流ながれだったと思おもいます。ただ、なぜSiCパワー半導体はんどうたいはうまくいったのか。それを説明せつめいするのはとても難むずかしい。個人こじん的てきな意見いけんですが、うまくいっているものにはたいてい偶然ぐうぜんの幸運こううんがあります。SiCはたまたま筋すじが良よかった。トランジスタの基本きほん構成こうせいはMOSFETであり、ゲート絶縁ぜつえん膜まくを使つかいますが、化合かごう物ぶつ半導体はんどうたいはこれまでゲート絶縁ぜつえん膜まくを作つくることができなかった。ところが、SiCだけはMOSFETを実現じつげんできる程度ていどにゲート絶縁ぜつえん膜まくが形成けいせいできた。十倉とくら先生せんせいの言葉ことばを借かりれば、「自然しぜんがそう決きめていたもの」を京都大きょうとだい学がくの松波まつなみ弘之ひろゆき先生せんせいが長年ながねんかけて掘ほり起おこし、そのおかげでロームが——多おおくの努力どりょくは必要ひつようでしたが——成功せいこうの糸口いとぐちをつかめた、ということだと思おもいます。　

GaNも同おなじです。GaNという材料ざいりょうがすごい。GaNを使つかった青色あおいろLEDを作製さくせいした研究けんきゅう者しゃもきっと驚おどろいたはずです。「なんで、こんなに光ひかるんだ」と。

十倉とくら　なぜGaN研究けんきゅうにも力ちからを入いれ始はじめたのですか。

中原なかはら　理由りゆうは2つあります。1つは、SiCパワー半導体はんどうたいと同おなじく、Siでは勝かてないという自覚じかくがあったから、もう1つは、電子でんし移動いどう度どが圧倒的あっとうてきに高たかいこと。スピードが全然ぜんぜん違ちがう。この特徴とくちょうはパワー用途ようとにとって良よいことがいくつもあります。

十倉とくら　GaNパワー半導体はんどうたいって、そんなにスイッチングが速はやいんですか。

中原なかはら　圧倒的あっとうてきに速はやいですね。ただ、速はやすぎるとハンドリングが難むずかしくなります。そこでゲートドライバーICなどとの組くみ合あわせが重要じゅうようになってきます。そういう意味いみでは、当社とうしゃはIC事業じぎょうも手掛てがけているので、それが生いきると考かんがえています。

——十じゅう倉くら教授きょうじゅが現在げんざい取とり組くんでいる研究けんきゅうとはどのようなものか。

十倉とくら　現在げんざい私わたしは、ファラデーの電磁でんじ誘導ゆうどうを物質ぶっしつ中ちゅうの磁化じかと電気でんき分極ぶんきょくを使つかって実現じつげんしようとしています。つまり、固体こたい中ちゅうの電子でんしを使つかって電磁でんじ誘導ゆうどうを起おこそうとしています。

これを実現じつげんできれば、固体こたいだけでインダクターを実現じつげんできるようになります。現状げんじょうのインダクターは、そのインダクタンス値ちがコイルの断だん面積めんせきに比例ひれいします。従したがって、その値ねを高たかめようとすると、どうしても断だん面積めんせきが大おおきくなり小型こがた化かできない。しかし固体こたい中ちゅうの電磁でんじ誘導ゆうどうを利用りようすれば、物質ぶっしつを小ちいさく切きり出だすだけでインダクターを実現じつげんできるので、大幅おおはばな小型こがた化かが可能かのうになります。

原理げんりは簡単かんたんです。固体こたい中ちゅうにコイルは巻まけないので、電子でんしのスピンを使つかってコイルを模擬もぎします。電子でんしのスピンは約やく2nm（ナノメートル）間隔かんかく、つまり電子でんしの大おおきさの数すう倍ばいの間隔かんかくです。ここに電流でんりゅうを流ながすと電子でんしは風車かざぐるまのように回転かいてんする。すると傾かたむいた電界でんかいができるので、最初さいしょに流ながれていた電流でんりゅうの位相いそうに比くらべて遅おくれた電流でんりゅうが発生はっせいします。つまりインダクターと同おなじ現象げんしょうが起おきるわけです。

もちろん実用じつよう化かに向むけては、様々さまざまな課題かだいが残のこっています。しかし、集束しゅうそくイオンビーム（FIB）装置そうちを使つかってμみゅーm（マイクロメートル）オーダーの物質ぶっしつを切きり出だして、そこに電流でんりゅうを流ながす実験じっけんで電磁でんじ誘導ゆうどう効果こうかが現あらわれることを確認かくにん済ずみです。

中原なかはら　電源でんげん回路かいろにはインダクターが必要ひつよう不可欠ふかけつです。インダクターは電流でんりゅうが変化へんかすることで機能きのうするデバイスですが、電流でんりゅう変化へんかが速はやすぎる(高周波こうしゅうは化か)と機能きのうしなくなります。

GaNパワー半導体はんどうたいを使つかえば、高周波こうしゅうはスイッチングが可能かのうになりますが、インダクターの高周波こうしゅうは特性とくせいが十分じゅうぶんではないため、それが高周波こうしゅうは化かを阻害そがいする要因よういんになっています。例たとえるなら、高性能こうせいのうなエンジンを積つんでいるがタイヤは従来じゅうらい通どおりの自動車じどうしゃです。走はしらせたらバーストしてしまうので、ゆっくり走はしらざるを得えない。それが現在げんざいのGaNパワー半導体はんどうたいを使つかった電源でんげん回路かいろが置おかれた状況じょうきょうです。このインダクターの研究けんきゅう開発かいはつは、材料ざいりょうに関かんする課題かだいが多おおいため、十倉とくら先生せんせいに相談そうだんしました。

——今後こんご、高周波こうしゅうは特性とくせいに優すぐれたインダクターの研究けんきゅうはどのように進すすめていくのか。すでに共同きょうどう開発かいはつに取とり組くんでいるのか。

十倉とくら　まだその段階だんかいではありません。ロームさんに興味きょうみを持もってもらうところまで、私わたしたちの研究けんきゅうレベルが高たかまっていないからです。インダクターへの応用おうようには、どの物質ぶっしつが最適さいてきなのか。それさえもまだ分わかっておらず、現在げんざいは様々さまざまな原理げんりを探さぐっているところです。

中原なかはら　十倉とくら先生せんせいのように、新あたらしい学問がくもん分野ぶんやに挑戦ちょうせんする。これが大学だいがくにおける研究けんきゅうの価値かちだと思おもいます。大学だいがくに多様たよう性せいがなかったら、固体こたい中ちゅうの電磁でんじ誘導ゆうどう現象げんしょうを発見はっけんできなかったら、磁石じしゃくを強つよくすることしか考かんがえていなかったら…。GaNパワー半導体はんどうたいを使つかった電源でんげん回路かいろに適てきしたインダクターを実現じつげんするきっかけさえもつかめていなかったでしょう。

企業きぎょうがリスクテイクできる幅はばは経済けいざい合理ごうり性せいで決きまるので、大学だいがくよりは狭せまくなります。その幅はばを広ひろげるため、大学だいがくや公的こうてき研究けんきゅう機関きかんには様々さまざまなテーマにチャレンジしてもらいたいですね。

十倉とくら　もちろん大学だいがくや公的こうてき研究けんきゅう機関きかんは、様々さまざまなテーマにチャレンジしなければなりません。私わたしも、固体こたい中ちゅうの電磁でんじ誘導ゆうどう効果こうかに基もとづくインダクターの実用じつよう化かにまい進しんする考かんがえです。その一方いっぽうで、企業きぎょうにおける研究けんきゅう開発かいはつも極きわめて重要じゅうようです。SiCについて言いえば、自然しぜんが与あたえたギフテッドの要素ようそがあったにせよ、ロームが基礎きそ技術ぎじゅつを1つずつ積つみ重かさね、長期間ちょうきかんにわたって研究けんきゅう開発かいはつに取とり組くんだからこそ、現在げんざいのSiCパワーMOSFET市場いちばの拡大かくだいがあります。

次つぎは、GaNパワー半導体はんどうたいの番ばんです。中原なかはらさんは青色あおいろ半導体はんどうたいレーザーの開発かいはつでは成功せいこう者しゃになれなかった。しかし、その研究けんきゅう開発かいはつの過程かていで培つちかった成果せいかは、今いまや量子りょうしコンピューターの分野ぶんやで花開はなひらこうとしています。ぜひ、その方法ほうほう論ろんをGaNの分野ぶんやに持もち込こんで、GaNパワー半導体はんどうたいを成功せいこうへと導みちびいてほしい。私わたしは、高周波こうしゅうは動作どうさに対応たいおうしたインダクターの研究けんきゅう開発かいはつで中原なかはらさんをサポートしていきたいと思おもいます。