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== Diodo p-n (normal) ==
Os diodos p-n son unions de dos materials [[semiconductor]]s extrinsecos de tipo p y n, por lo que tamién reciben a denominación d'unión p-n.

[[Imachen:Diodo pn - zona de carga espacial.png|thumb|Formación d'a zona de carga espacial]]

Unindo istos dos materials, se manifiestan dos procesos:

# A difusión de [[vueito (fisica)|vueitos]] d'o material p enta o n ( J<sub>h</sub> ), y
# Una corrient d'electrons d'o material n enta o p ( J<sub>y</sub> ).

En establir-sen istas corrients apareixen cargas fixas en una zona a un costato y a l'atro d'a unión, zona que recibe diferents denominacions como: ''zona de carga espacial'', ''d'agotamiento'', ''de deflexión'', etc.

A mida que progresa o proceso de difusión, a zona de carga espacial va ixamplando-se afondando en os materials a un costato y a l'atro d'a unión. Manimenos, l'acumulación de cargas induce una diferencia de tensión (V) que actuará sobre os electrons con una determinata ''fuerza de desplazamiento'' que s'oposará a la difusión de [[vueito (fesica)|vueitos]] y a la corrient d'electrons y rematará aturando-los.

Ista diferencia de tensión d'equilibrio (V<sub>0</sub>) ye de 0.7 [[volt|V]] en o caso d'o [[silicio]] y 0.3 V si o material ye o [[chermanio]].

L'amplaria d'a zona de carga espacial una vegata que s'ha plegato a lo equilibrio, gosa estar de l'orden de 0,5 [[micrometro]]s pero cuan un d'os materials ye muito mas [[Dopache (semiconductor)|dopato]] que no l'atro, a zona de carga espacial ye muito mayor.

Se diz diodo a lo dispositivo asinas obtenito, que en un caso como lo descrito, tal que no se troba sozmeso a una diferencia de potencial externa, se diz que no ye polarizato. A l'extremo p, a on que s'acumulan cargas negativas li se diz anodo, representando-se por a letra A, mientres que a zona n, o catodo, se representa por a letra C (o K).

{| align=center
| '''A (p)'''
| [[Imachen:Diode01.svg|Representación simbolica d'o diodo p-n.]]
|'''C ó K (n)'''
|-
| colspan=3 | <center>Representación simbolica d'o diodo p-n.</center>
|}

Cuan se sozmete a lo diodo a una diferencia de tensión externa, se diz que o diodo ye polarizato, podendo estar a polarización

* ''inversa'': V<sub>p</sub> > V<sub>n</sub>, u
* ''dreita'': V<sub>p</sub> < V<sub>n</sub>.

[[Imachen:Diodo pn- Polarización inversa.png|thumb|Polarización inversa d'o diodo p-n]]

=== Polarización inversa ===
En iste caso, lo polo negativo d'a batería se conecta a la zona p (la de menor tensión) lo que fa augmentar a zona de carga espacial, y por tanto a tensión en dita zona dica que se consigue a valor d'a tensión d'a batería.

En ista situación, o diodo no habría de conducir a corrient; manimenos, a causa de l'efecto d'a temperatura se formarán parellas electrón-vueito (se veiga [[semiconductor]]) a un costato y a l'atro d'a unión producindo una chicota corrient (de l'orden d'1 μ[[Amper|A]]) dita ''corrient inversa de saturación''.

Por efecto d'a polarización inversa, as concentracions de minoritarios—electrons en a zona p (n<sub>p</sub>), y vueitos en a zona n (p<sub>n}</sub>) -- disminuyen en amanar-se a la unión dende as valors inicials d'o diodo no polarizato dica anular-se.

[[Imachen:Diodo pn- Polarización directa.PNG|thumb|Polarización dreita d'o diodo p-n.]]

=== Polarización dreita ===
En iste caso, a lo contrario que en l'anterior, a batería disminuye a barrera de potencial d'a zona de carga espacial, permitindo lo paso d'as corrients d'electrons y vueitos a traviés d'a unión; ye decir, o diodo polarizato dreitament conduce a electricitat.

As concentracions de conductors minoritarios, s'incrementan dende as valors inicials en amanar-se a la unión.

En a representación simbolica d'o diodo, a sayeta indica o sentito d'a polarización dreita.
[[Imachen:Diode corba caracteristica (Sockley).png|thumb|Curva caracteristica]]

=== Curva caracteristica d'o diodo ===
'''Tensión de muga, de codo''' u de '''partita''' (V<sub>γ</sub>).<br />
A tensión de muga de polarización dreita coincide en valor con a tensió d'a zona de carga espacial d'o diodo no polarizato. En polariza dreitament o diodo, a barrera de potencial inicial se va reducindo, incrementando a corrient licherament, arredol de l'1 0'o nominal. Manimenos, cuan a tensión externa supera a tensión de muga, a barrera de potencial desapareixe, de traza que ta chicoz incrementos de tensión se producen grans variacions d'a intensidat.

'''Corrient maxima''' (I<sub>maix </sub>).<br />
Ye a intensidat de corrient maxima que puet conducir o diodo sin fundir-se por l'[[efecto Joule]]. Ya que ye función d'a cantidat de [[calor]] que puet disipar o diodo, pende sobretot d'o disenyo d'iste.

'''Corrient inversa de saturación''' (I<sub>s</sub>).<br />
Ye a chicota corrient que s'estableixe cuan se polariza inversament o diodo por a formación de parellas electrón-vueito. Ye función d'a temperatura d'o material y se duplica por cada incremento de 10&nbsp;°C en a temperatura.

'''Tensión de ruptura''' (V<sub>r</sub>).<br />
Teoricament, cuan se polariza inversament o diodo, iste conducirá la corrient inversa de saturación; en realidat, a partir d'una determinata valor d'a tensión de l'orden de 5 V, o diodo prencipia a conducir tamién en polarización inversa.

A ruptura puet estar debita a dos efectos:

* '''Efecto lurte''' (diodos poco dopatos). En polarización inversa se cheneran parellas electrón-vueito que prevocan a corrient inversa de saturación; si a tensión inversa ye alta os electrons s'aceleran incrementando a suya enerchía cinetica de traza que cuan chocan con electrons de balencia pueden brincar a la zona de conducción. Istos electrons liberatos, cuan tornan, s'aceleran por efecto d'a tensión, chocando con mas electrons de balencia y liberando-los a la suya tornata. O resultato ye un lurte d'electrons que prevoca una corrient gran. Iste fenoment se produce ta valors d'a tensión superiors a 6 V.
* '''Efecto Zener''' (diodos muit dopatos). Cuanto mas dopato ye o material, menor ye l'amplaria d'a zona de carega. Dato que o campo electrico Y puet exprisar-se como cocient d'a tensión V entre a [[distancia]] d; cuan o diodo sía muit dopato, y por tanto d sía chicot, o campo electrico será gran, de l'orden de 3·10<sup>5</sup> V/cm. En istas condicions, o propio campo puet estar capaz d'arrancar electrons de balencia incrementando-se a corrient. Iste efecto se produce ta tensions de 4 V u menors.

Ta tensions inversas entre 4 y 6 V a ruptura d'o diodo se puet producir por istos dos efectos.

=== Modelos matematicos ===
O modelo matematico mas emplegato ye o de ''Shockley'' (en honor a [[William Bradford Shockley]]) que permite aproximar o comportamiento d'o diodo en a mayoría d'as aplicacions. A [[ecuación]] que liga a intensidat de corrient electrica y a diferencia de potencial ye:

:<math>I=I_S \left( {y^{qV_D \over nkT}-1} \right)</math>

A on:
* ''I'' ye a intensidat d'a corrient que traviesa o diodo y ''V<sub>D</sub>'' a diferencia de tensión entre os suyos extremos.
* ''I<sub>S</sub>'' ye a corrient de saturación
* ''q'' ye a carga d'o [[electrón]]
* ''T'' ye la temperatura absoluta d'a unión
* ''k'' ye la [[constant de Boltzmann]]
* ''n'' ye o coeficient d'emisión, pendendo d'o proceso de fabricación d'o diodo y que gosa adoptar valors entre 1 (ta o [[chermanio]]) y de l'orden de 2 (ta o [[silicio]]).
* O termin ''V<sub>T</sub> = kT/q = T/11600'' ye a tensión debita a la temperatura, de l'orden de 26 mV a temperatura ambient (300 K o 27&nbsp;°C).

Ta evitar l'uso d'exponencials (encara que son un d'os modelos mas sencillos), en ocasions s'usan modelos mas simples encara, que modelan as zonas de funcionamiento d'o diodo por trampos rectos; son os ditos ''modelos de contina'' que s'amuestran en a fegura. O mas simple de toz (4) ye o ''diodo ideyal''.

[[Imachen:Diodo - Modelos de continua.png|300px|thumb|center|Modelos de contina]]