Τομοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο γιατην προσομοίωση κυκλωμάτωνκαιτην σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων [1].
Αναπτύχθηκε από τους C. C. Enz, F. Krummenacher, και E. A. Vittoz (εξουκαιτα αρχικά EKV) περί του 1995, βασισμένο εν μέρει σε εργασία που είχαν κάνει την δεκαετία του 1980 [2]. Σε αντίθεση με απλούστερα μοντέλα, όπως τομοντέλο του τετραγωνικού νόμου (Quadratic Model), το μοντέλο EKV είναι ακριβές ακόμα και όταν το MOSFET λειτουργεί στην περιοχή κάτω από τηντάση κατωφλίου (subthreshold region) [3]. Επιπλέον, περιγράφει πολλά ειδικά φαινόμενα που εμφανίζονται σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με υπομικρομετρικές (submicron) τεχνολογίες CMOS.
↑Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
↑Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
↑Π.χ. όταν Vbulk=Vsource, τότε το MOSFET είναι στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου όταν Vgate-source < VThreshold
