3D XPoint
3D XPoint (Aussprache ['
Während Speicherzellen in NAND-Flash den Speicherinhalt durch unterschiedliche elektrische Spannungsniveaus in Feldeffekttransistoren speichern, basiert 3D XPoint auf der Veränderung des elektrischen Widerstands.[1] Die Speicherchips haben eine räumliche Gitterstruktur, an den Kreuzungspunkten des Gitters sitzen die eigentlichen Informationsspeicher. Sie kommen anders als die Flash-Zellen ohne Feldeffekttransistoren aus, was eine höhere Integrationsdichte möglich macht.[2]
Da Intel und Micron über den genauen Technologie-Typ keine Details verlauten ließen, wurde in der Fachwelt auf Grund von bestehenden Patenten und älteren Aussagen vertiefend spekuliert.[3]
2022 kündigte Intel die Einstellung der Technologie an, weil die Vorteile in Relation zu den Kosten zu gering waren.[4]
Einzelnachweise
Bearbeiten- ↑ Neue Speichertechnik 3D XPoint: tausendmal schneller als Flash, cnet.de am 29. Juli 2015
- ↑ Breakthrough Nonvolatile Memory Technology ( vom 30. Juli 2015 im Internet Archive), Micron Technology am 28. Juli 2015
- ↑ If Intel and Micron's "Xpoint" is 3D Phase Change Memory, Boy Did They Patent It ( vom 1. August 2015 im Internet Archive), DailyTech Report am 29. Juli 2015
- ↑ Mark Mantel: Optane: Intel stampft seine letzte Speichersparte ein. In: Heise online. 29. Juli 2022.
Weblinks
Bearbeiten- Intel and Micron Produce Breakthrough Memory Technology, Intel-Pressemitteilung vom 28. Juli 2015
- Revolutionärer Speicher vereint DRAM und NAND, golem.de am 28. Juli 2015
- Christof Windeck: Intel und Micron stellen Flash-Alternative 3D XPoint vor. In: Heise online. 28. Juli 2015.
- Lutz Labs: Intels 3D Xpoint als Beschleuniger für Desktop-PCs. In: Heise online. 27. März 2017.