MOSFET

MOSFET（金属きんぞく酸化さんか膜まく半導体はんどうたい電界でんかい効果こうかトランジスタ・英えい: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界でんかい効果こうかトランジスタ (FET) の一種いっしゅで、LSIの中なかでは最もっとも一般いっぱん的てきに使用しようされている構造こうぞうである。材質ざいしつとしては、シリコンを使用しようするものが一般いっぱんである。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼よばれたり、「MOS-FET」と記述きじゅつされることもあり、IGFETやMISFETがMOSFETとほぼ同義どうぎで用もちいられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案こうあんした。

MOSFETと言いう呼よび名なで参照さんしょうされる素子そしには、集積しゅうせき回路かいろで使つかわれるいわゆる微細びさいMOSFETと、高こう電圧でんあつ・高こう電流でんりゅうの用途ようとで使つかわれるパワーMOSFETとがあり、その素子そし構造こうぞうも大おおきく異ことなるので参照さんしょうの際さいには注意ちゅういが必要ひつようである。基本きほん的てきにはパワーMOSFETは個別こべつ半導体はんどうたい（ディスクリート半導体はんどうたい）であり、高たかい耐たい圧あつを実現じつげんするために縦たて方向ほうこうの電荷でんかの流ながれを用もちいているが、微細びさいMOSFETでは基板きばん表面ひょうめんに電荷でんかの流ながれを作つくっている。

MOSFETの構造こうぞうと特徴とくちょう

n型がたMOS FET

MOSFETは、通常つうじょうp型がたのシリコン基板きばん上じょうに作成さくせいされる。n型がたMOS(NMOS) の場合ばあい、p型がたのシリコン基板きばん上じょうのゲート領域りょういきにシリコンの酸化さんか膜まくとその上うえにゲート金属きんぞくを形成けいせいし、ドレイン・ソース領域りょういきには高こう濃度のうどの不純物ふじゅんぶつをイオン注入ちゅうにゅうし、n型がた（n⁺型かた）の半導体はんどうたいにする。

p型がたMOS（pMOS）の場合ばあいは、p型がたのシリコン基板きばんにイオン注入ちゅうにゅうでn層そうの領域りょういきを作成さくせいし、n型がたの注入ちゅうにゅう領域りょういき中ちゅうのゲート領域りょういきにシリコンの酸化さんか膜まくとその上うえにゲート金属きんぞくを形成けいせいし、ドレイン・ソース領域りょういきには高こう濃度のうどの不純物ふじゅんぶつを再度さいどイオン注入ちゅうにゅうし、p型がた（p⁺型かた）の半導体はんどうたいにする。

過去かこにおいては、空そら乏とぼし層そうによる疑似ぎじ交流こうりゅうキャパシターのみを持もつバイポーラトランジスタや他たの構造こうぞうFETと比くらべると、ゲートの下したに絶縁ぜつえん層そうを持もつ関係かんけい上じょうキャパシターを構造こうぞう的てきに抱かかえているために、原理げんり的てきには動作どうさ速度そくどが遅おそくなる点てんや、トランスコンダクタンス（g_m）が低ひくい点てんなどがMOSFETの課題かだいであった。しかしながら、ゲート電流でんりゅうがほとんど流ながれない事ことやプロセス工程こうていが比較的ひかくてき単純たんじゅんであるため、一部いちぶの高周波こうしゅうは用よう素子そしを除のぞき、多おおくのデジタル集積しゅうせき回路かいろやアナログ回路かいろにMOSFETが使用しようされている。更さらに、ドレイン-ソース間あいだ抵抗ていこうを低ひくくできるため、特とくに電力でんりょくスイッチング用途ようとではバイポーラトランジスタを代替だいたいした。近年きんねんでは、ゲート長ちょうを小ちいさくし、ゲート絶縁ぜつえん体たいの厚あつさを薄うすくすることや、SOI技術ぎじゅつの使用しようにより、動作どうさ速度そくどやgmの問題もんだいを概おおむね解消かいしょうしている。シリコン製せいで数すうGHzの動作どうさが可能かのうになるとシリコンMOSによる製品せいひん領域りょういきが拡大かくだいし、従来じゅうらいは高速こうそく動作どうさ用ようとして一般いっぱん的てきだったヒ化かガリウム製せいFETの存在そんざいを脅おどかしている。

シリコンによるMOSFET製せいの集積しゅうせき回路かいろでは、ゲートは金属きんぞくではなくポリシリコン（多た結晶けっしょう珪素けいそ）によって形成けいせいすることが長ながい間あいだ一般いっぱん的てきであったが、ゲートにはより抵抗ていこう値ねの低ひくい金属きんぞくを使用しようしたり、リーク電流でんりゅうを減へらすためにゲート絶縁ぜつえん体たいの厚あつさを厚あつくできる高こう誘電ゆうでん率りつのゲート絶縁ぜつえん膜まくを用もちいれば、高速こうそく動作どうさが可能かのうで低てい消費しょうひ電力でんりょくの高性能こうせいのうICが作つくれるため、米べいインテル社しゃは高こう誘電ゆうでん率りつ (High-κかっぱ) 絶縁ぜつえん膜まくとメタルゲートとを組くみ合あわせた新あらたなプロセス技術ぎじゅつを開発かいはつし、2007年ねん秋あきの45nmのプロセスルールによる製品せいひんの製造せいぞうに採用さいようするようになった。その後ご、高性能こうせいのうなデジタル半導体はんどうたいを製造せいぞうする各社かくしゃも同どう技術ぎじゅつを開発かいはつし製造せいぞうしている。

これら、MOSと類似るいじの構造こうぞうについてはシリコン-酸化さんか膜まく-シリコンであったり、金属きんぞく-絶縁ぜつえん膜まく-シリコンであるが、同様どうようの原理げんりを使つかっているため、一般いっぱんにはMOS半導体はんどうたい素子そしとして扱あつかわれている。

図ずのように集積しゅうせき回路かいろ内部ないぶでは4端子たんし素子そしとして扱あつかう。一方いっぽうでディスクリート部品ぶひんの場合ばあい、MOSFETは、ボディ（サブストレート）とソースが内部ないぶで接続せつぞくされているので、3端子たんしデバイスとして扱あつかわれる。

MOSFETの動作どうさ

理論りろん的てきにn型がたとp型がたの違ちがいはドレイン-ソース間あいだの電流でんりゅうに寄与きよするキャリアの違ちがいだけなので、ここではn型がたについてのみ扱あつかう。

図ず2 線形せんけい領域りょういき時じの状態じょうたい

図ず3 飽和ほうわ領域りょういき時じの状態じょうたい

図ず4 線形せんけい領域りょういきと飽和ほうわ領域りょういきでのドレイン電流でんりゅうIds

MOSFETではゲートと基もと材ざいの間あいだに構成こうせいされたキャパシターにより、ゲートに正せい電圧でんあつが印加いんかされた場合ばあい、p型がたのサブストレートと絶縁ぜつえん層そうの境界きょうかい面めんに電子でんしを引ひき寄よせドレイン-ソース間あいだに反転はんてん層そう（n型がた）を作つくり上あげる事ことでソース-ドレイン間あいだを高こうコンダクタンスにする。ドレイン-ソース間あいだ電圧でんあつ（Vds）が比較的ひかくてき低ひくく、ゲート-ソース間あいだの電圧でんあつ（Vgs）からしきい値ち電圧でんあつ（Vth）を引ひいた値ね（Vgs-Vth）がそれを超こえている領域りょういきを線形せんけい領域りょういきと呼よぶ（図ず2）。線形せんけい領域りょういきにおいてはゲート電圧でんあつに比例ひれいして反転はんてん層そうが厚あつみを増ますため、コンダクタンスがゲート電圧でんあつに比例ひれいして上あがる。

一方いっぽう、ドレイン-ソース間あいだ電圧でんあつ（Vds）がゲート-ソース間あいだの電圧でんあつ（Vgs）からしきい値ち電圧でんあつ（Vth）を引ひいた値ね（Vgs-Vth）を上回うわまわるとドレイン領域りょういき近辺きんぺんには反転はんてん層そうが形成けいせいされなくなる。この状態じょうたいをピンチオフしたと言いう。 この状態じょうたい（ピンチオフ）よりドレイン電圧でんあつが高たかい領域りょういきを飽和ほうわ領域りょういきと呼よび、MOSのコンダクタンスは反転はんてん層そうの長ながさによって一定いっていに決きまる（図ず3）。この状態じょうたいでは定てい電流でんりゅう源げんとして扱あつかわれる。

ここで注意ちゅういしたいのは、MOSFETのしきい値ち電圧でんあつは、基本きほん的てきにはゲート-ソース間あいだの条件じょうけんで決きまるのであり、ピンチオフと言いうのは単たんにドレイン側がわで反転はんてん層そうが形成けいせいされる条件じょうけんが満みたされなくなったと言いう事ことである。従したがって、ピンチオフしてドレイン側がわでチャネルが消失しょうしつしても、電子でんしの流ながれが止とまるというものではない。ゲート-ソース間あいだにしきい値ち電圧でんあつ以上いじょうの電圧でんあつが印加いんかされていればソース端はしでは反転はんてん層そうが形成けいせいされ、電子でんしはソースから流入りゅうにゅうする。ピンチオフ点てん以降いこうのドレイン側がわでチャネルが消失しょうしつしてもドレイン側がわに大おおきな電界でんかいは存在そんざいするので流入りゅうにゅうした電子でんしはドレイン電極でんきょくに向むかって加速かそくされる。また、ピンチオフ以降いこうでドレイン電圧でんあつがさらに高たかくなっても、それはドレイン側がわの空そら乏とぼし層そうが拡大かくだいするだけで、ソース側がわの電子でんしの流入りゅうにゅうには（基本きほん的てきには）関係かんけいしないので定てい電流でんりゅう源げんとして動作どうさすると考かんがえてよい。

ここで言いう「飽和ほうわ領域りょういき」とはピンチオフした後のち、ドレイン電圧でんあつを上あげてもドレイン電流でんりゅうが増加ぞうかしない状態じょうたい、つまり電流でんりゅう値ちが飽和ほうわしている状態じょうたいであって、電子でんし速度そくどが飽和ほうわするいわゆる電子でんしの速度そくど飽和ほうわ現象げんしょうとは異ことなるものである。

微細びさい加工かこうが進すすみチャネル長ちょうが短みじかくなると、ドレイン電圧でんあつを高たかくするにつれてピンチオフ条件じょうけんが成立せいりつする場所ばしょがドレイン端はしからソース方向ほうこうに移動いどうすることにより、実効じっこう的てきなチャネル長ちょうが短みじかくなり、ドレイン電流でんりゅうが増加ぞうかする効果こうかが現あらわれる。これをチャネル長ちょう変調へんちょう効果こうかと呼よび、バイポーラ・トランジスタのアーリー効果こうかに相当そうとうする。チャネル長ちょう変調へんちょう効果こうかを低減ていげんするには、なるべくチャネル長ちょうを大おおきく設計せっけいすることが必要ひつようとなる。

寄生きせいダイオード

ボディ（サブストレート）とドレインの間あいだ、あるいはボディとソースの間あいだに寄生きせいダイオード（ボディーダイオード）が存在そんざいする。 例たとえば、n型がたMOSFETの場合ばあい、ボディがp型がた半導体はんどうたいであり、ソースとドレインがn型がた半導体はんどうたいなので、pn接合せつごうを形成けいせいしてしまう。これが寄生きせいダイオードとなる。 MOSFETの記号きごうの矢印やじるしは、この寄生きせいダイオードの順じゅん方向ほうこうバイアスを示しめしている。通常つうじょう、この寄生きせいダイオードに電流でんりゅうを流ながしてはいけないので、ドレイン-ソース間あいだに流ながれる電流でんりゅうの方向ほうこうは記号きごうの矢印やじるしと逆ぎゃく方向ほうこうにしないといけない。

寄生きせいダイオードには利点りてんもある。パワーMOSFETの場合ばあい、寄生きせいダイオードの特性とくせいが良よければ、電力でんりょくインバーター回路かいろなどで必要ひつようなフリーホイールダイオード（環たまき流りゅうダイオード）として用もちいることもできるからである。

バイポーラ・トランジスタとの比較ひかく

バイポーラ・トランジスタはスイッチや増幅ぞうふくといった働はたらきを入力にゅうりょく電流でんりゅうで制御せいぎょしているのに対たいして、MOSFETは入力にゅうりょく電圧でんあつによる電界でんかいで制御せいぎょしている。動作どうさのためにベース電流でんりゅうが流ながれるバイポーラ・トランジスタと違ちがい、MOSFETのゲートには原理げんり的てきに、直流ちょくりゅう的てきにはわずかなリーク電流でんりゅう以外いがいは流ながれないため一般いっぱんに低てい消費しょうひ電力でんりょくである。また、バイポーラ・トランジスタは正せい孔あなと電子でんしという2種類しゅるいのキャリアによる動作どうさなのに対たいして、MOSFETでは1種類しゅるいのキャリアによる動作どうさであり、「ユニポーラ・トランジスタ」とも呼よばれる。IC化かの際さい、バイポーラ・トランジスタはPNP、NPNという二ふたつのPN接合せつごうを縦たて方向ほうこうに作つくりこまなければならないのに対たいして、MOSFETでは並ならんだ両極りょうきょく間あいだの上面うわつらに絶縁ぜつえん層そうとゲート電極でんきょくを設もうける構造こうぞうなので平面へいめん的てきであり、高こう集積しゅうせき化かするのに適てきする。バイポーラ・トランジスタでは入出力にゅうしゅつりょくが「エミッタ」「ベース」「コレクタ」であるのに対たいして、MOSFETでは「ソース」「ゲート」「ドレイン」である。

バイポーラ・トランジスタの動作どうさと比較ひかくを考かんがえるのはMOSFETの動作どうさを理解りかいするうえで有意義ゆういぎである。どちらもPN接合せつごうの基本きほん的てき原理げんりに基もとづいているからである。バイポーラ・トランジスタでは、ベース-エミッタ間あいだのPN接合せつごうにベース電流でんりゅうを流ながすことで、ベース領域りょういきとエミッタ領域りょういきの不純物ふじゅんぶつ濃度のうど比ひに比例ひれいするエミッタ電流でんりゅうを引ひき出だすことにより増幅ぞうふく作用さようを得えているが、MOSFETではソース領域りょういきと、それに接せっするチャネル領域りょういきとで形成けいせいするPN接合せつごうのチャネル領域りょういきにゲート絶縁ぜつえん膜まくを介かいして電界でんかいを与あたえることにより、ソース領域りょういきからチャネル領域りょういきへのポテンシャル障壁しょうへきを下さげ、ソース領域りょういきからチャネル領域りょういきへの電子でんしの流入りゅうにゅうを実現じつげんしている。

バイポーラ・トランジスタではエミッタから流入りゅうにゅうした電子でんしは、薄うすいベース層そうを通過つうかしてコレクタで集あつめられる（コレクトされる）が、MOSFETではソース領域りょういきから流入りゅうにゅうした電子でんしはドレイン側がわからの電界でんかいによってチャネルを通過つうかしてドレイン（排水はいすい口こう）領域りょういきに流ながれ込こむと言いうイメージは同おなじである。しかし、バイポーラ・トランジスタではすべての電流でんりゅうはPN接合せつごうによるものなので電子でんしとホールの両方りょうほうが伝導でんどうに寄与きよしているが、MOSFETではチャネルを通過つうかするのはNチャネル型がたでは電子でんしのみ、Pチャネル型がたではホールのみである。それがMOSFETがユニポーラ型がたとも呼よばれるゆえんである。

電気でんき的てき特性とくせいを示しめす諸しょ特性とくせい（大だい信号しんごう）

MOSFETの回路かいろ図ず記号きごう（ノーマリーオフのエンハンスメント型がた。ノーマリーオンのデプレッション型がたの場合ばあいは右側みぎがわの縦たて棒ぼうを3本ほんに区切くぎらず続つづけて描えがく）

ドレイン-ソース電圧でんあつ（以下いかV_ds）、ゲート-ソース電圧でんあつ（以下いかV_gs）としきい値ち（以下いかV_t）の関係かんけいから、MOSの動作どうさ領域りょういきは4つに大別たいべつされる。

カットオフ：$V_{gs}-V_{t}<0$ ：$(V_{gs}<V_{t})$

線形せんけい領域りょういき：$V_{ds}<V_{gs}-V_{t}$

飽和ほうわ領域りょういき：$V_{ds}>V_{gs}-V_{t}$

ブレイクダウン： $V_{ds}>BV$

$BV$：ブレークダウン電圧でんあつ

それぞれにおいて、ドレイン電流でんりゅう（以下いかI_d）は下記かきのように理論りろん式しき（実験じっけん式しきではない）が求もとめられている。

カットオフ：

$I_{d}=0$

線形せんけい領域りょういき：

$I_{d}=K'{\frac {W}{L}}[(V_{gs}-V_{t})V_{ds}-{\frac {1}{2}}V_{ds}^{2}]$

飽和ほうわ領域りょういき：

$I_{d}={\frac {1}{2}}K'{\frac {W}{L}}(V_{gs}-V_{t})^{2}(1+\lambda V_{ds})$

ブレークダウン：

$I_{d}$：主要しゅよう原因げんいんの現象げんしょうにより異ことなるが、一般いっぱんに素子そし破壊はかいに至いたるまで電流でんりゅうが増加ぞうかすると扱あつかわれている。

$K'=\mu _{n}C_{OX}$：n型がたMOSの場合ばあい

$K'=\mu _{p}C_{OX}$：p型がたMOSの場合ばあい

$C_{OX}$：単位たんい面積めんせきあたりのゲート酸化さんか膜まく容量ようりょう

$\mu _{n}$：電子でんし移動いどう度ど

$\mu _{p}$：正せい孔あな移動いどう度ど

$\lambda$：チャネル長ちょう変調へんちょう係数けいすう

電気でんき的てき特性とくせいを示しめす諸しょ特性とくせい（小しょう信号しんごう）

小しょう信号しんごう特性とくせいは等価とうか回路かいろ上うえに規定きていされた各かくパラメータが下記かきのように理論りろん式しきが求もとめられている。

$g_{m}={\frac {di_{d}}{dv_{gs}}}$

$g_{ds}={\frac {di_{d}}{dv_{ds}}}$

$g_{mbs}={\frac {di_{d}}{dv_{sb}}}$

$C_{gs}=C_{gsi}+C_{gsov}$

$C_{gd}=C_{gdi}+C_{gdov}$

$C_{sb}=C_{sbi}+C_{sbj}$

$C_{db}=C_{dbi}+C_{dbj}$

$C_{**ov}$: オーバーラップキャパシタンス

$C_{**j}$: 接合せつごう容量ようりょう

$C_{**i}$は固有こゆう容量ようりょうを表あらわし、その値ねは動作どうさ領域りょういきにより下記かきのように変化へんかする。

カットオフ：

$C_{gbi}=WLC_{ox}$

$C_{gsi}=C_{gdi}=C_{bsi}=C_{dbi}=0$

線形せんけい領域りょういき：

$C_{gsi}={\frac {1}{2}}WLC_{ox}(1+{\frac {1}{3}}{\frac {V_{ds}}{V_{dsat}}})$

$C_{gdi}={\frac {1}{2}}WLC_{ox}[1-({\frac {V_{ds}}{V_{dsat}}})^{2}]$

$C_{bsi}={\frac {1}{2}}nWLC_{ox}$

$C_{bdi}={\frac {1}{2}}nWLC_{ox}(1-{\frac {V_{ds}}{V_{dsat}}})$

飽和ほうわ領域りょういき：

$C_{gsi}={\frac {2}{3}}WLC_{ox}$

$C_{gdi}=0$

$C_{bsi}={\frac {1}{2}}nWLC_{ox}$

$C_{bdi}=0$

チャネルの極性きょくせいによる分類ぶんるい

MOSFETの場合ばあい、基本きほん的てきにソース・ドレイン端子たんしに金属きんぞく（アルミなどの配線はいせん層そう）を接合せつごうする。その際さいに接触せっしょく抵抗ていこうを下さげる目的もくてきで、比較的ひかくてき高こう濃度のうどの不純物ふじゅんぶつを打うち込こむ。 打うち込こむ不純物ふじゅんぶつが n 型がた（p 型がたシリコン基板きばんに対たいしては、III価かの物質ぶっしつ（B：ホウ素ほうそなど））の場合ばあい、その部分ぶぶんは n+ 型かた（n ウェル）、 不純物ふじゅんぶつが p 型がた（n 型がたシリコン基板きばんに対たいしては、V価あたいの物質ぶっしつ（P：リンなど））の場合ばあいは p+ 型かた（p ウェル）と呼よばれる。

不純物ふじゅんぶつを打うち込こまなくても接触せっしょく抵抗ていこうが十分じゅうぶんに低ひくい場合ばあいは不純物ふじゅんぶつを打うち込こむ必要ひつようがなく、結果けっか p、n どちらにも属ぞくさない。 これはアンバイポーラ・トランジスタと呼よばれる。 この素子そしは、ゲートにマイナスの電圧でんあつ（対たいソース）を加くわえてもプラスの電圧でんあつを加くわえても、しきい値ち以上いじょうであれば電流でんりゅうを流ながす。

1980年代ねんだい中頃なかごろまでのメモリICやロジックICには、当時とうじの集積しゅうせき技術ぎじゅつの問題もんだいから p、n 両方りょうほうを堆積たいせきする事ことが難むずかしかったために、抵抗ていこうなどでCMOSの片側かたがわを代用だいようしたp-MOS・n-MOSが用もちいられた。出現しゅつげん当初とうしょは製造せいぞうしやすかったp-MOSが主力しゅりょくだったが、後のちに移動いどう度どの大おおきい電子でんしをキャリアとするn-MOSが主力しゅりょくとなった。

1980年代ねんだい初はじめに標準ひょうじゅんロジックICがCMOS構造こうぞうで作つくられた。1990年代ねんだいには電気でんき的てき特性とくせいがアナログでの実用じつようレベルに到達とうたつしたのと、システムLSI等ひとしで論理ろんり回路かいろとアナログ回路かいろが混在こんざいして集積しゅうせきされるようになった関係かんけいでアナログ回路かいろもCMOSで製作せいさくされるようになった。

パワーMOSFET

「パワーMOSFET」も参照さんしょう

MOSFET のうち特とくに大だい電力でんりょくのスイッチング用ように設計せっけいされたものである。バイポーラパワー・トランジスタに比くらべて、電圧でんあつ駆動くどう形がた素子そしであるので駆動くどう回路かいろの電力でんりょくロスが小ちいさい。また、多数たすうキャリアデバイスであり、本質ほんしつ的てきに高速こうそくスイッチングが可能かのうで、スイッチングロスが小ちいさい。しかし、耐たい圧あつが高たかくなるにしたがってオン抵抗ていこうが高たかくなるという問題もんだいがある。

2000年代ねんだいに入はいり、トレンチゲート・擬なずらえ平面へいめん接合せつごうなどの構造こうぞうの工夫くふうにより、高こう耐たい電圧でんあつ化か、オン抵抗ていこう・スイッチング損失そんしつの低減ていげんをともに満足まんぞくするものも開発かいはつされた。さらに、2006年ねん現在げんざい、超ちょう接合せつごう構造こうぞうを用もちい、シリコンの理論りろん的てき限界げんかいを超こえる低てい損失そんしつのものも開発かいはつされている。

型番かたばん

日本にっぽんにおけるFETの型番かたばんは

• 2SJxxx PチャネルFET
• 2SKxxx NチャネルFET

というように番号ばんごうが付つけられているものが多おおい。ただし、JFETとMOSFETの区別くべつは無ない。混合こんごう（周波数しゅうはすう変換へんかん）、利得りとく調整ちょうせいなどの目的もくてきで2個このゲートを持もつ品種ひんしゅがあり、その場合ばあいは3SK〜のように3で始はじまる番号ばんごうが付つけられている。メーカーにより電流でんりゅう・電圧でんあつ定じょう格かくが判わかるような独自どくじの型番かたばんをつける場合ばあいがある。

脚注きゃくちゅう

参考さんこう文献ぶんけん

• 最新さいしんFET(電界でんかい効果こうかトランジスタ)規格きかく表ひょう 各かく年度ねんど版ばん （CQ出版しゅっぱん社しゃ） - 1968年版ねんばん（初版しょはん）から1986年版ねんばんまでは個別こべつ特性とくせい図ずが付ついていた。1987年版ねんばんから個別こべつ特性とくせい図ずははずされた。1994年版ねんばんから初期しょきのFETの規格きかくが外はずされた。
• 佐野さの昌あきら『岐路きろに立たつ半導体はんどうたい産業さんぎょう』（初版しょはん第だい2刷さつ）日刊工業新聞社にっかんこうぎょうしんぶんしゃ、2009年ねん10月がつ15日にち。ISBN 9784526061998。 
• 西久保にしくぼ靖彦やすひこ『半導体はんどうたいの基本きほんと仕組しくみ』（第だい1版はん第だい1刷さつ発行はっこう）秀和しゅうわシステム、2003年ねん3月がつ6日にち。ISBN 4798004928。 
• S. M. Sze, Semiconductor devices, physics and technology, John Wiley & Sons, New York, 1985.
  • ジィー, S.M. 著ちょ、南みなみ日び康夫やすお・川辺かわべ光央みつお,・長谷川はせがわ文夫ふみお 訳やく『半導体はんどうたいデバイス : 基礎きそ理論りろんとプロセス技術ぎじゅつ』（第だい2版はん）産業さんぎょう図書としょ、2004年ねん3月がつ。ISBN 9784782855508。 

関連かんれん項目こうもく

• EKV MOSFET Model
• NBTI

外部がいぶリンク

• 日本にっぽん大だい百科全書ひゃっかぜんしょ(ニッポニカ)『MOSトランジスタ』 - コトバンク