T-RAM: различия между версиями

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску
Интерактивная навигация по истории
[отпатрулированная версия][непроверенная версия]
← Предыдущая правка
Содержимое удалено Содержимое добавлено
ВизуальныйВики-текст
Спасено источников — 0, отмечено мёртвыми — 1. Сообщить об ошибке. См. FAQ.) #IABot (v2.0
 
(не показаны 3 промежуточные версии 3 участников)
Строка 1: Строка 1:
<!-- {{DRAM types}}-->
<!-- {{DRAM types}}-->
{{Типы компьютерной памяти}}
{{Типы компьютерной памяти}}
'''T-RAM''' ({{lang-en|Thyristor RAM}}) — [[Тиристор|тиристорная]] память с произвольным доступом, новый вид [[ОЗУ|оперативной памяти]], предложенный в середине 2000-х<!-- 2005 уже финансировалась - https://venturebeat.com/2005/04/21/memory-cell-company-t-ram-reels-in-40m/ --> годов, сочетающий в себе сильные стороны [[DRAM]] и [[SRAM (память)|SRAM]]: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте [[Отрицательное дифференциальное сопротивление|NDR]], которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor<ref>[http://www.t-ram.com/technology/index.html Описание технологии] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090523111200/http://www.t-ram.com/technology/index.html |date=2009-05-23 }}{{ref-en}}</ref>. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому, данная память является хорошо масштабируемой, и уже имеет плотность хранения данных в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.
'''T-RAM''' ({{lang-en|Thyristor RAM}}) — [[тиристор]]ная память с произвольным доступом, новый вид [[ОЗУ|оперативной памяти]], предложенный в середине 2000-х<!-- 2005 уже финансировалась - https://venturebeat.com/2005/04/21/memory-cell-company-t-ram-reels-in-40m/ --> годов, сочетающий в себе сильные стороны [[DRAM]] и [[SRAM (память)|SRAM]]: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте [[Отрицательное дифференциальное сопротивление|NDR]], которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor<ref>[http://www.t-ram.com/technology/index.html Описание технологии] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20090523111200/http://www.t-ram.com/technology/index.html |date=2009-05-23 }}{{ref-en}}</ref>. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.


Данную технологию компания [[AMD]] предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм<ref>[http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11/93/44 IXBT: GlobalFoundries сможет использовать память thyristor-RAM в процессорах AMD нового поколения] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100909031405/http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11%2F93%2F44 |date=2010-09-09 }}, IXBT, 20 мая 2009</ref>.
Данную технологию компания [[AMD]] предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм<ref>[http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11/93/44 IXBT: GlobalFoundries сможет использовать память thyristor-RAM в процессорах AMD нового поколения] {{webarchive|url=https://web.archive.org/web/20100909031405/http://www.ixbt.com/news/all/index.shtml?11%2F93%2F44 |date=2010-09-09 }}, IXBT, 20 мая 2009</ref>.


По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска<ref>{{cite news|url=http://thememoryguy.com/a-1t-sram-sounds-too-good-to-be-true/|title=A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True!|author=Jim Handy|date=February 19, 2016 |publisher=The Memory Guy|lang=en|accessdate=2018-01-17}} "The Memory Guy asked former T-RAM CEO Kenneth Ervin Young..."</ref>.
По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска<ref>{{cite news|url=http://thememoryguy.com/a-1t-sram-sounds-too-good-to-be-true/|title=A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True!|author=Jim Handy|date=2016-02-19|publisher=The Memory Guy|lang=en|accessdate=2018-01-17|archivedate=2018-01-18|archiveurl=https://web.archive.org/web/20180118010914/http://thememoryguy.com/a-1t-sram-sounds-too-good-to-be-true/}} "The Memory Guy asked former T-RAM CEO Kenneth Ervin Young..."</ref>.


== Примечания ==
== Примечания ==
Строка 16: Строка 16:
* [https://web.archive.org/web/20090309105016/http://t-ram.com/ Сайт компании, владеющей патентом на данную технологию]{{ref-en}}
* [https://web.archive.org/web/20090309105016/http://t-ram.com/ Сайт компании, владеющей патентом на данную технологию]{{ref-en}}
** Farid Nemati (T-RAM Semiconductor), [https://www.hotchips.org/wp-content/uploads/hc_archives/hc19/3_Tues/HC19.05/HC19.05.02.pdf Thyristor RAM (T-RAM): A High-Speed High-Density Embedded Memory. Technology for Nano-scale CMOS] / 2007 Hot Chips Conference, August 21, 2007 {{ref-en}}
** Farid Nemati (T-RAM Semiconductor), [https://www.hotchips.org/wp-content/uploads/hc_archives/hc19/3_Tues/HC19.05/HC19.05.02.pdf Thyristor RAM (T-RAM): A High-Speed High-Density Embedded Memory. Technology for Nano-scale CMOS] / 2007 Hot Chips Conference, August 21, 2007 {{ref-en}}
* [http://www.eetimes.com/news/design/showArticle.jhtml?articleID=217500765 EE Times: GlobalFoundries to apply thyristor-RAM at 32-nm node]{{Недоступная ссылка|date=Январь 2020 |bot=InternetArchiveBot }}, EETimes, 2009-05-19{{ref-en}}
* [http://www.eetimes.com/news/design/showArticle.jhtml?articleID=217500765 EE Times: GlobalFoundries to apply thyristor-RAM at 32-nm node]{{Недоступная ссылка|date=2020-01|bot=InternetArchiveBot }}, EETimes, 2009-05-19{{ref-en}}
{{comp-stub}}
{{comp-stub}}


Текущая версия от 18:46, 17 июля 2024

Типы компьютерной памяти
Энергозависимая
Современные распространённые типы
DRAM (в том числе DDR SDRAM)
SRAM
Перспективные
T-RAM
Z-RAM
TTRAM
Устаревшие типы
Память на линиях задержки
Запоминающая электростатическая трубка[англ.]
Запоминающая ЭЛТ
Энергонезависимая

T-RAM (англ. Thyristor RAM) — тиристорная память с произвольным доступом, новый вид оперативной памяти, предложенный в середине 2000-х годов, сочетающий в себе сильные стороны DRAM и SRAM: высокую скорость работы и большой объём. Данная технология использует ячейки памяти, основанные на эффекте NDR, которые называются Thin-Capacitively-Coupled-Thyristor[1]. T-RAM уходит от привычных дизайнов ячеек памяти: 1T и 6T, применяемых в DRAM- и SRAM-памяти. Благодаря этому данная память является хорошо масштабируемой и уже имеет плотность хранения данных, в несколько раз превышающую её у SRAM-памяти. В данный момент идёт разработка следующего поколения T-RAM-памяти, которая, как планируется, будет сопоставима по плотности записи с DRAM.

Данную технологию компания AMD предполагала использовать в процессорах, производимых по нормам 32 и 22 нм[2].

По словам бывшего CEO компании T-RAM Semiconductor, несмотря на успешное решение множества проблем в производстве, для T-RAM так и не был достигнут процент выхода годных изделий, достаточный для прибыльного массового выпуска[3].

Примечания

[править | править код]
  1. ↑ Описание технологии Архивировано 23 мая 2009 года. (англ.)
  2. ↑ IXBT: GlobalFoundries сможет использовать память thyristor-RAM в процессорах AMD нового поколения Архивировано 9 сентября 2010 года., IXBT, 20 мая 2009
  3. ↑ Jim Handy (2016-02-19). "A 1T SRAM? Sounds Too Good to be True!" (англ.). The Memory Guy. Архивировано 18 января 2018. Дата обращения: 17 января 2018. "The Memory Guy asked former T-RAM CEO Kenneth Ervin Young..."

См. также

[править | править код]

Ссылки

[править | править код]
Источник — https://ru.wikipedia.org/w/index.php?title=T-RAM&oldid=139013024