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高周波アンプのゲインと挿入損失を分離するためにはどのような測定を行- 工学 | 教えて!goo

単たん二に電池でんち

おしえて

高周波こうしゅうはアンプのゲインと挿入そうにゅう損失そんしつを分離ぶんりするためにはどのような測定そくていを行おこなえばよいでしょうか？

解決かいけつ済ずみ

  • 質問しつもん者しゃ：永井ながい圭けい
  • 質問しつもん日時にちじ：
  • 回答かいとう数すう：2件けん

VNAを使用しようして，高周波こうしゅうはアンプ（MHz帯域たいいき）の挿入そうにゅう損失そんしつを測定そくていしたいです。
S21を測定そくていすればよさそうですが，ゲインと挿入そうにゅう損失そんしつを分離ぶんりできないように思おもいます。

それぞれを分離ぶんりするためにはどのような測定そくていを行おこなえばよいでしょうか？

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A 回答かいとう (2件けん)

No.2ベストアンサー

  • 回答かいとう者しゃ： seiji91
  • 回答かいとう日時にちじ：

ノイズとの分離ぶんりですよね。


ゲインを振ふるか、入力にゅうりょくパワーを振ふる。
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No.1

  • 回答かいとう者しゃ： angkor_h
  • 回答かいとう日時にちじ：

挿入そうにゅう損失そんしつと言いうのは、概おおむね、


インピーダンスの不ふ整合せいごうによる損失そんしつを言いいます。
信号しんごう源げん、受うけ取とる側がわ、各々おのおののインピーダンスから計算けいさんできます。
受うけ取とる側がわ、つまり、アンプのゲインは設計せっけいや回路かいろから確認かくにんできます。
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