王おう阳元

王おう阳元（1935年ねん1月がつ1日にち—），男おとこ，浙江せっこう宁波人ひと，中国ちゅうごく微ほろ电子学がく家いえ，中国科学院ちゅうごくかがくいん院いん士し，北京ぺきん大学だいがく微ほろ电子学がく研究けんきゅう院いん院いん长，信しん息いき科学かがく技わざ术学院いん微ほろ电子学がく系けい主任しゅにん，微ほろ米べい/纳米加工かこう技わざ术国家こっか重点じゅうてん实验室しつ主任しゅにん，IEEE Fellow、IEE Fellow。他た是ぜ中国ちゅうごく硅栅N沟道MOS技わざ术开拓つぶせ者しゃ之の一いち。

生平おいだいら

1935年ねん1月がつ1日にち出生しゅっしょう于浙江せっこう宁波镇海县（现镇海うみ区く）。1947年ねん入いれ读宁波中学ちゅうがく。1953年ねん考こう入いれ北京ぺきん大学だいがく，1958年ねん毕业。

20世せい纪70年代ねんだい，主持しゅうもち研けん制せい成功せいこう中国ちゅうごく第だい一いち块3种类型がた1024位いMOS动态随ずい机つくえ存そん储器。20世せい纪80年代ねんだい，提出ていしゅつ多た晶あきら硅薄膜うすまく“应力增强ぞうきょう”氧化模型もけい，工程こうてい应用方かた程ほど和わ掺杂浓度与あずか迁移率りつ的てき关系，受国际同行重ゆきしげ视。20世せい纪90年代ねんだい后きさき期き，开始研究けんきゅう微ほろ机つくえ电系统（MEMS），获得一いち系列けいれつ专利。领导研けん制せい成功せいこう中国ちゅうごく首くび个大型がた集成しゅうせい化か的てきICCAD系けい统。创建中ちゅう芯しん国こく际并担任たんにん董ただし事ごと长。

曾参与さんよ汉芯的てき鉴定工作こうさく，汉芯后きさき被曝ひばく光こう为造假かり。

家庭かてい

妻子さいし是ぜ中国科学院ちゅうごくかがくいん院いん士し杨芙清きよし。

外部がいぶ链接

• 杨芙清きよし-王おう阳元院いん士し奖学金きん （页面存そん档备份，存そん于互联网档案あん馆）