菊池きくち正ただし士し

菊池きくち 正ただし士し （きくち せいし）
出生しゅっしょう	(1902-08-25)1902年ねん8月がつ25日にち 日本にっぽん東京とうきょう府ふ
逝世	1974年ねん11月12日にち(1974歲さい—11—12)（72歲さい）
国籍こくせき	日本にっぽん
母校ぼこう	東京とうきょう帝国ていこく大学だいがく
知名ちめい于	首くび次じ提出ていしゅつ并解释了菊池きくち线现象。
奖项	文化ぶんか勲章くんしょう（1951年ねん） 勲一等くんいっとう瑞宝章ずいほうしょう（1972年ねん）
科学かがく生涯しょうがい
研究けんきゅう领域	原子げんし物理ぶつり学がく
机つくえ构	理化学研究所りかがくけんきゅうしょ 大阪大学おおさかだいがく 東京大学とうきょうだいがく 日本にっぽん原子力げんしりょく研究所けんきゅうじょ 東京理科大学とうきょうりかだいがく

日にち語ご寫うつし法ほう
日にち語ご原文げんぶん	菊池きくち正ただし士し
假名かめい	きくち せいし
平文へいぶん式しき罗马字じ	Kikuchi Seishi

菊池きくち正ただし士し（1902年ねん8月がつ25日にち—1974年ねん11月12日にち），日本にっぽん核かく物理ぶつり学がく家か，他た最早もはや发现了りょう电子显微学がく中出なかいで现的菊池きくち线，并给出で了りょう正せい确的理り论解释。

菊池きくち的てき研究けんきゅう被ひ記錄きろく在ざい1930年代ねんだい的てき諾だく貝かい爾なんじ獎官かん方かた選考せんこう紀き錄ろく中ちゅう。

生平おいだいら

1902年生ねんせい于东京。1926年ねん毕业于东京帝国ていこく大学だいがく理学部りがくぶ物理ぶつり学がく专业。1928年ねん进入理化学研究所りかがくけんきゅうしょ开始电子束たば衍射方面ほうめん的てき研究けんきゅう，并在世界せかい上じょう首くび次じ观察到云うん母はは薄膜うすまく的てき完かん整せい电子衍射花はな样，首しゅ次じ提出ていしゅつ并解释了菊池きくち线现象。1929年ねん赴德とく国こく留学りゅうがく。1934年ねん起おこり任にん大阪おおさか帝国ていこく大学だいがく教授きょうじゅ，主持しゅうもち建造けんぞう了りょう日本にっぽん第だい二个考克饒夫－瓦かわら耳みみ頓ひたぶる型がた（英語えいご：Cockcroft - Walton）直流ちょくりゅう高だか压加速器かそくき（次つぎ於臺北たいぺい帝國ていこく大學だいがく物理ぶつり學がく講座こうざ的てき荒あら勝文かつふみ策さく教授きょうじゅ）。二に战结束后きさき，于1955年ねん起おこり任にん东京大学だいがく原子核げんしかく研究所けんきゅうじょ首くび任にん所しょ长，并成功せいこう主持しゅうもち完成かんせい了りょう可か变能量りょう回旋かいせん加速器かそくき的てき建造けんぞう。1959年ねん～1964年ねん任にん日本にっぽん原子力げんしりょく研究所けんきゅうじょ理事りじ长。1974年ねん逝世。