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半はん导体材料ざいりょう

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  此條目め介かい紹的是ぜ半導體はんどうたい在ざい材料ざいりょう科學かがく和わ半導體はんどうたい產業さんぎょう方面ほうめん的てき發展はってん、分類ぶんるい。关于半導體はんどうたい的てき物理ぶつり原理げんり，请见「半導體はんどうたい」。

半はん导体材料ざいりょう是ぜ一いち类固体こたい材料ざいりょう，其導電性どうでんせい介かい于导体和わ绝缘体たい之これ间，屬ぞく於半導體はんどうたい。

发展

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分ぶん类

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以原料りょう分ぶん为：

列れつ表ひょう

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半導體はんどうたい材料ざいりょう列れつ表ひょう
族ぞく 元素げんそ 化學かがく式しき 能のう隙すき (eV) 直接ちょくせつ帶たい隙すき和わ間接かんせつ帶たい隙すき
IV 1 硅 Si 1.12[1][2] 間接かんせつ带隙
IV 1 Germanium Ge 0.67[1][2] 間接かんせつ帶たい隙すき
IV 1 Material properties of diamond（英えい语：Material properties of diamond） C 5.47[1][2] 間接かんせつ帶たい隙すき
IV 1 锡, αあるふぁ-Sn Sn 0[3][4] 半はん金属きんぞく (能のう带理论)
IV 2 碳化硅, 3C-SiC SiC 2.3[1] 間接かんせつ帶たい隙すき
IV 2 碳化硅, 4H-SiC SiC 3.3[1] 間接かんせつ帶たい隙すき
IV 2 碳化硅, 6H-SiC（英えい语：6H-SiC） SiC 3.0[1] 間接かんせつ帶たい隙すき
VI 1 硫, 硫的同素どうそ异形体けいたい S8 2.6[5]
VI 1 硒 Se 1.83 - 2.0[6] 間接かんせつ帶たい隙すき
VI 1 硒 Se 2.05 間接かんせつ帶たい隙すき
VI 1 碲 Te 0.33[7]
III-V 2 氮化硼, cubic BN 6.36[8] 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 氮化硼, hexagonal BN 5.96[8] quasi-direct
III-V 2 氮化硼 BN 5.5[9]
III-V 2 磷化硼 BP 2.1[10] 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 砷化硼 BAs 1.82 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 砷化硼 B12As2 3.47 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 氮化鋁 AlN 6.28[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 磷化铝 AlP 2.45[2] 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 砷化铝 AlAs 2.16[2] 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 锑化铝 AlSb 1.6/2.2[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき/direct
III-V 2 氮化鎵 GaN 3.44[1][2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 磷化鎵 GaP 2.26[1][2] 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 2 Gallium arsenide（英えい语：Gallium arsenide） GaAs 1.42[1][2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 銻化鎵 GaSb 0.73[1][2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 氮化銦 InN 0.7[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 磷化銦 InP 1.35[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 砷化铟 InAs 0.36[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 2 锑化铟 InSb 0.17[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 硒化镉 CdSe 1.74[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 硫化りゅうか镉 CdS 2.42[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 碲化镉 CdTe 1.49[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 氧化鋅 ZnO 3.37[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 硒化锌 ZnSe 2.7[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 硫化りゅうか锌 ZnS 3.54/3.91[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 2 碲化锌 ZnTe 2.3[2] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
I-VII 2 氯化亚铜 CuCl 3.4[11] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
I-VI 2 Copper sulfide（英えい语：Copper sulfide） Cu2S 1.2[10] 間接かんせつ帶たい隙すき
IV-VI 2 硒化铅 PbSe 0.26[7] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
IV-VI 2 硫化りゅうか铅 PbS 0.37[12]
IV-VI 2 碲化铅 PbTe 0.32[1]
IV-VI 2 硫化りゅうか亚锡 SnS 1.3/1.0[13] 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
IV-VI 2 二に硫化りゅうか锡 SnS2 2.2[14]
IV-VI 2 碲化亚锡 SnTe 0.18
IV-VI 3 Lead tin telluride（英えい语：Lead tin telluride） Pb1−xSnxTe 0-0.29
V-VI 2 碲化鉍 Bi2Te3 0.13[1]
II-V 2 磷化镉 Cd3P2 0.5[15]
II-V 2 砷化鎘 Cd3As2 0
II-V 2 磷化锌 Zn3P2 1.5[16] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-V 2 二に磷化锌 ZnP2 2.1[17]
II-V 2 砷化锌 Zn3As2 1.0[18]
II-V 2 锑化锌 Zn3Sb2
氧 2 二に氧化鈦, 锐钛矿 TiO2 3.20[19] 間接かんせつ帶たい隙すき
氧 2 二に氧化鈦, 金きむ红石 TiO2 3.0[19] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
氧 2 二に氧化鈦, 板いた鈦礦 TiO2 3.26[19]
氧 2 氧化亚铜 Cu2O 2.17[20]
氧 2 氧化铜 CuO 1.2
氧 2 二に氧化鈾 UO2 1.3
氧 2 二に氧化锡 SnO2 3.7
氧 3 钛酸钡 BaTiO3 3
氧 3 钛酸锶 SrTiO3 3.3
氧 3 铌酸锂 LiNbO3 4
V-VI 2 monoclinic 二に氧化钒 VO2 0.7[21] 光學こうがく帶たい隙すき
2 碘化鉛なまり PbI2 2.4[22]
2 二に硫化りゅうか钼 MoS2 1.23 eV (2H)[23] 間接かんせつ帶たい隙すき
2 Gallium(II) selenide（英えい语：Gallium(II) selenide） GaSe 2.1 間接かんせつ帶たい隙すき
2 硒化铟 InSe 1.26-2.35 eV[24] 直接ちょくせつ帶たい隙すき (2D間接かんせつ帶たい隙すき)
2 硫化りゅうか亚锡 SnS >1.5 eV 直接ちょくせつ帶たい隙すき
2 硫化りゅうか铋 Bi2S3 1.3[1]
Magnetic, diluted (DMS)[25] 3 Gallium manganese arsenide（英えい语：Gallium manganese arsenide） GaMnAs
Magnetic, diluted (DMS) 3 Lead manganese telluride PbMnTe
4 Lanthanum calcium manganate La0.7Ca0.3MnO3
2 氧化亚铁 FeO 2.2 [26]
2 一いち氧化镍 NiO 3.6–4.0 直接ちょくせつ帶たい隙すき[27][28]
2 Europium(II) oxide（英えい语：Europium(II) oxide） EuO
2 硫化りゅうか亚铕 EuS
2 溴化铬 CrBr3
其它 3 Copper indium selenide（英えい语：Copper indium selenide）, CIS CuInSe2 1 直接ちょくせつ帶たい隙すき
其它 3 Silver gallium sulfide AgGaS2
其它 3 Zinc silicon phosphide ZnSiP2 2.0[10]
其它 2 三さん硫化りゅうか二に砷 雌めす黃き As2S3 2.7[29] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
其它 2 硫化りゅうか砷 雄お黄き As4S4
其它 2 Platinum silicide（英えい语：Platinum silicide） PtSi
其它 2 碘化铋 BiI3
其它 2 碘化汞 HgI2
其它 2 溴化亚铊 TlBr 2.68[30]
其它 2 硫化りゅうか银 Ag2S 0.9[31]
其它 2 Iron disulfide（英えい语：Iron disulfide） FeS2 0.95[32]
其它 4 Copper zinc tin sulfide（英えい语：Copper zinc tin sulfide）, CZTS Cu2ZnSnS4 1.49 直接ちょくせつ帶たい隙すき
其它 4 Copper zinc antimony sulfide（英えい语：Copper zinc antimony sulfide）, CZAS Cu1.18Zn0.40Sb1.90S7.2 2.2[33] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
其它 3 Copper tin sulfide, CTS Cu2SnS3 0.91[10] 直接ちょくせつ帶たい隙すき

合金ごうきん表ひょう

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半導體はんどうたい材料ざいりょう合金ごうきん列れつ表ひょう
族ぞく 元素げんそ 材料ざいりょう 化學かがく式しき 能のう隙すき (eV) 直接ちょくせつ帶たい隙すき和わ間接かんせつ帶たい隙すき
下した 上うえ
IV-VI 3 Lead tin telluride（英えい语：Lead tin telluride） Pb1−xSnxTe 0 0.29
IV 2 矽鍺 Si1−xGex 0.67 1.11[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
IV 2 Silicon-tin（英えい语：Silicon-tin） Si1−xSnx 1.0 1.11 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium gallium arsenide（英えい语：Aluminium gallium arsenide） AlxGa1−xAs 1.42 2.16[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Indium gallium arsenide（英えい语：Indium gallium arsenide） InxGa1−xAs 0.36 1.43 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 3 磷化銦鎵 InxGa1−xP 1.35 2.26 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium indium arsenide（英えい语：Aluminium indium arsenide） AlxIn1−xAs 0.36 2.16 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium gallium antimonide（英えい语：Aluminium gallium antimonide） AlxGa1−xSb 0.7 1.61 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium indium antimonide（英えい语：Aluminium indium antimonide） AlxIn1−xSb 0.17 1.61 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Gallium arsenide nitride GaAsN
III-V 3 Gallium arsenide phosphide（英えい语：Gallium arsenide phosphide） GaAsP 1.43 2.26 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium arsenide antimonide（英えい语：Aluminium arsenide antimonide） AlAsSb 1.61 2.16 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Gallium arsenide antimonide（英えい语：Gallium arsenide antimonide） GaAsSb 0.7 1.42[1] 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium gallium nitride（英えい语：Aluminium gallium nitride） AlGaN 3.44 6.28 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 3 Aluminium gallium phosphide（英えい语：Aluminium gallium phosphide） AlGaP 2.26 2.45 間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 3 Indium gallium nitride（英えい语：Indium gallium nitride） InGaN 2 3.4 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 3 Indium arsenide antimonide（英えい语：Indium arsenide antimonide） InAsSb 0.17 0.36 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 3 Indium gallium antimonide（英えい语：Indium gallium antimonide） InGaSb 0.17 0.7 直接ちょくせつ帶たい隙すき
III-V 4 Aluminium gallium indium phosphide（英えい语：Aluminium gallium indium phosphide） AlGaInP 直接ちょくせつ帶たい隙すき/間接かんせつ帶たい隙すき
III-V 4 Aluminium gallium arsenide phosphide AlGaAsP
III-V 4 Indium gallium arsenide phosphide（英えい语：Indium gallium arsenide phosphide） InGaAsP
III-V 4 Indium gallium arsenide antimonide（英えい语：Indium gallium arsenide antimonide） InGaAsSb
III-V 4 Indium arsenide antimonide phosphide（英えい语：Indium arsenide antimonide phosphide） InAsSbP
III-V 4 Aluminium indium arsenide phosphide AlInAsP
III-V 4 Aluminium gallium arsenide nitride AlGaAsN
III-V 4 Indium gallium arsenide nitride InGaAsN
III-V 4 Indium aluminium arsenide nitride InAlAsN
III-V 4 Gallium arsenide antimonide nitride GaAsSbN
III-V 5 Gallium indium nitride arsenide antimonide GaInNAsSb
III-V 5 Gallium indium arsenide antimonide phosphide（英えい语：Gallium indium arsenide antimonide phosphide） GaInAsSbP
II-VI 3 碲化鋅鎘, CZT CdZnTe 1.4 2.2 直接ちょくせつ帶たい隙すき
II-VI 3 Mercury cadmium telluride（英えい语：Mercury cadmium telluride） HgCdTe 0 1.5
II-VI 3 Mercury zinc telluride（英えい语：Mercury zinc telluride） HgZnTe 0 2.25
II-VI 3 Mercury zinc selenide HgZnSe
II-V 4 Zinc cadmium phosphide arsenide（英えい语：Zinc cadmium phosphide arsenide） (Zn1−xCdx)3(P1−yAsy)2[34] 0[35] 1.5[36]
其它 4 Copper indium gallium selenide（英えい语：Copper indium gallium selenide）, CIGS Cu(In,Ga)Se2 1 1.7 直接ちょくせつ帶たい隙すき

參まいり見み

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參考さんこう文獻ぶんけん

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