(Translated by https://www.hiragana.jp/)
碳化硅 - 维基百科，自由的百科全书 跳とべ转到内容ないよう

碳化硅

维基百科ひゃっか，自由じゆう的てき百科ひゃっか全ぜん书
βべーた-碳化矽
别名 金きむ刚砂
莫桑石せき
识别
CAS号ごう 409-21-2  checkY
PubChem 9863
ChemSpider 9479
SMILES
 
  • [C-]#[Si+]
InChIKey HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYAF
Gmelin 13642
EINECS 206-991-8
ChEBI 29390
RTECS VW0450000
MeSH Silicon+carbide
性せい质
化学かがく式しき SiC
摩ま尔质量りょう 40.097[1] g·mol⁻¹
外そと观 坚硬的てき墨すみ绿色无味粉末ふんまつ[1]
密度みつど 3.16 g/cm3（六方ろっぽう碳化矽）[1]

3.22 g/cm3[2]

熔点 2830 °C [1]
溶解ようかい性せい（水みず） 难溶[1]
溶解ようかい性せい 难溶于乙醇あつし[1]
电子迁移率りつ ~900 cm2/V·s (所有しょゆう的てき晶あきら形がた)
折おり光度こうどn
D 		2.55 (红外，所有しょゆう的てき晶あきら形がた)
结构
晶あきら体からだ结构 六方ろっぽう[1]
危险性せい
欧おう盟めい分ぶん类 未み列れつ明あきら
NFPA 704
0
1
0
 
若わか非ひ注ちゅう明あかり，所有しょゆう数すう据すえ均ひとし出自しゅつじ标准状じょう态（25 ℃，100 kPa）下した。

碳化矽（英語えいご：silicon carbide，carborundum），化學かがく式しきSiC，俗称ぞくしょう金きむ刚砂，宝石ほうせき名称めいしょう钻髓，为硅与あずか碳相あい键结而成的てき陶とう瓷状じょう化合かごう物ぶつ，碳化矽在大だい自然しぜん以莫桑石せき这种稀有けう的てき矿物的てき形式けいしき存在そんざい。自じ1893年ねん起おこり碳化矽粉末まつ被ひ大量たいりょう用作ようさく磨すり料りょう。将はた碳化矽粉末まつ烧结可か得え到いた坚硬的てき陶すえ瓷状碳化矽颗粒つぶ，并可将之まさゆき用よう于诸如汽车刹车片、离合器き和わ防ぼう弹背心こころ等とう需要じゅよう高だか耐たい用度ようど的てき材料ざいりょう中ちゅう，在ざい诸如发光二に极管、早期そうき的てき无线电探测器之の类的电子器き件けん制せい造づくり中ちゅう也有やゆう使用しよう。如今碳化矽被广泛用よう于制造づくり高温こうおん、高こう压半导体。使用しようLely法ほう能生のう长出大だい块的碳化矽单晶あきら。人造じんぞう莫桑石せき的てき宝石ほうせき就是切きり割わり由ゆかりLely法制ほうせい备的大だい块碳化か矽单晶あきら获得的てき。

历史

[编辑]

虽然早期そうき有ゆう一いち些不系けい统的、不ふ受认可か或ある是ぜ未み经证实的碳化硅合成ごうせい方法ほうほう的てき报道，比ひ如在1810年ねん贝采里さと乌斯报道的てき用よう金属きんぞく钾还原げん氟硅酸けいさん钾的合成ごうせい方法ほうほう、1849年ねんCharles Mansuète Despretz报道的てき将しょう通どおり电的碳棒埋うめ在ざい沙すな粒つぶ中ちゅう的てき合成ごうせい方法ほうほう、1881年ねんRobert Sydney Marsden报道的てき在ざい石墨せきぼく坩埚中ちゅう用よう熔融ようゆう的てき银溶解ようかい硅石けいせき的てき合成ごうせい方法ほうほう、1882年ねんAlbert Colson在ざい乙おつ烯气氛中加か热单质硅的てき合成ごうせい方法ほうほう以及1881年ねんPaul Schützenberger报道的てき在ざい石墨せきぼく坩埚中ちゅう加か热硅单质和わ硅石けいせき混合こんごう物的ぶってき合成ごうせい方法ほうほう，[3]但ただし真正しんせい实现碳化硅的大量たいりょう制せい备还是ぜ在ざい1890年ねん由ゆかり爱德华·古德ことく里さと奇き·艾もぐさ奇き逊率先そっせん实现的てき。艾もぐさ奇き逊尝试在铁锅中ちゅう加か热粘土ねんど（硅酸けいさん铝）和わ焦こげ炭すみ粉こ的てき混合こんごう物ぶつ合成ごうせい人造じんぞう钻石的てき过程中ちゅう发现了りょう这个合成ごうせい碳化硅的方法ほうほう，他た将しょう得え到いた的てき蓝色金きん刚砂晶あきら体からだ误认为是一种由碳和铝构成的类似刚玉的物质。1893年ねん亨とおる利り·莫瓦桑くわ在ざい研究けんきゅう来らい自じ亚利桑くわ那州なす的てき代だい亚布罗峡谷きょうこく陨石样品时发现了罕有的てき在ざい自然しぜん条件下じょうけんか存在そんざい的てき碳化硅矿石せき，将之まさゆき命名めいめい为莫桑くわ石せき。莫瓦桑くわ也通过几种方法ほう合成ごうせい了りょう碳化硅：包括ほうかつ用よう熔融ようゆう的てき单质硅熔解かい单质碳、将はた碳化硅和硅石けいせき的てき混合こんごう物ぶつ熔化和わ在ざい电炉中ちゅう用よう单质碳还原げん硅石けいせき的てき方法ほうほう。但ただし莫瓦桑くわ在ざい1903年ねん时还是ぜ将はた碳化硅的发现归功于艾奇き逊。[4]

艾もぐさ奇き逊在ざい1893年ねん2月がつ28日にち为合成ごうせい碳化硅粉末まつ的てき方法ほうほう申さる请了专利保ほ护。[5]

碳化硅最早はや的てき用途ようと是ぜ磨すり料りょう，随ずい后きさき被ひ用よう于电子こ器き件けん中ちゅう。在ざい二に十じゅう世せい纪初，第だい一批雷达中就是将碳化硅用为探测器的，1907年ねん马可尼あま公司こうし的てき雇やとい员兼马可尼あま的てき助手じょしゅHenry Joseph Round通どおり过在碳化硅晶体たい上じょう施ほどこせ加か一定的电压后在阴极上观察到有黄色、绿色和わ橙色だいだいいろ光こう放出ほうしゅつ，由ゆかり此得到いた了りょう世界せかい上じょう第だい一いち个发光こう二に极管。[6]这些实验结果后きさき来き在ざい1923年ねん被ひ苏联科学かがく家奥いえおく列れつ格かく·洛らく谢夫重じゅう复证实。[7][8]

自然しぜん界かい中ちゅう的てき分布ぶんぷ

[编辑]

自然しぜん界かい中ちゅう的てき莫桑石せき仅微量びりょう分布ぶんぷ于某几种陨石、刚玉矿床和わ金きむ伯はく利り岩がん中なか。几乎世界せかい上じょう所有しょゆう的てき碳化硅固体たい，包括ほうかつ莫桑石せき制せい成なり的てき珠たま宝たから都と来らい自じ于人工じんこう合成ごうせい。1893年ねん费迪南みなみ德とく·亨とおる利り·莫桑在ざい一いち小しょう部分ぶぶん的てき代だい亚布罗峡谷きょうこく陨石中ちゅう发现了りょう天然てんねん的てき莫桑石せき。[9]莫桑的てき发现起おこり初はつ是ぜ有ゆう一定いってい争そう议的，因いん为他手中しゅちゅう的てき样品可能かのう在ざい切きり割わり时受到了りょう由よし人造じんぞう碳化硅制成なり的てき圆锯片へん的てき污染。[10]虽然地球ちきゅう上じょう的てき碳化硅非常ひじょう稀有けう但ただし在ざい宇宙うちゅう空そら间中却相当とう常つね见。宇宙うちゅう中ちゅう的てき碳化硅通常つうじょう是ぜ碳星周しゅう围的宇宙うちゅう尘埃中なか的てき常つね见成分ぶん。在ざい宇宙うちゅう和わ陨石中ちゅう发现的てき碳化硅几乎无一いち例外れいがい都と是ぜβべーた相あい晶あきら型がた的てき。对在默だま奇き森もり陨石这类碳质球だま粒つぶ陨石中ちゅう发现的てき碳化硅颗粒つぶ进行分析ぶんせき后きさき发现碳和硅元素的すてき同位どうい素もと比例ひれい均ひとし有ゆう异常，这表明ひょうめい陨石来き自じ太ふとし阳系外がい，这些碳化硅颗粒つぶ中ちゅう的てき99%来らい源みなもと于富碳的渐近巨星きょせい分ぶん支ささえ中なか的てき恒星こうせい。[11]通つう过红外がい光こう谱推测碳化か硅在这类恒星こうせい上じょう很常见。[12]

制せい备

[编辑]
合成ごうせい碳化硅晶体たい

由よし于自然しぜん界かい中ちゅう的てき莫桑石せき非常ひじょう罕有，所以ゆえん碳化硅多为人造づくり。它被用よう于磨料りょう、半はん导体材料ざいりょう和わ具有ぐゆう钻石特とく点てん的てき仿制品ひん。常つね见的方法ほうほう是ぜ利用りよう艾もぐさ奇き逊法将はた细的二氧化硅颗粒与焦炭混合，置おけ入にゅう石墨せきぼく为电极的电炉中ちゅう，加か热到1600至いたり2500°C之の间的高温こうおん制せい得とく。另一种方法是将纯净的二氧化硅颗粒在植物性材料（比ひ如谷壳）中ちゅう加か热合成ごうせい碳化硅，通つう过热分解ぶんかい有ゆう机つくえ质材料りょう生成せいせい的てき碳还原ばら二氧化硅产生硅单质，随ずい后きさき多た余あまり的てき碳与单质硅反应产生せい碳化硅[13]。此外，还可以利用りよう生せい产金属きんぞく硅化物ぶつ和わ硅铁合金ごうきん的てき副ふく产物硅灰与あずか石墨せきぼく混合こんごう在ざい1500°C的てき条件下じょうけんか加か热合成ごうせい碳化硅。[14]

用よう艾もぐさ奇き逊法在ざい电炉中ちゅう合成ごうせい的てき碳化硅因距离石墨せきぼく电阻加か热源远近的てき不同ふどう在ざい纯度上じょう有ゆう一定いってい的てき差さ别。最さい靠もたれ近きん电阻加か热源的てき地方ちほう产生的てき无色、淡あわ黄色きいろ或ある绿色的てき碳化硅晶体たい纯度最高さいこう。随ずい着ぎ离电阻加热源的てき距离越来ごえく越えつ远生成せいせい的てき碳化硅颜色しょく变为蓝色和わ黑色こくしょく，这些深ふか色しょく晶あきら体からだ的てき纯度相しょう对降低ひく。氮和铝是碳化硅中常つね见的杂质，它们会かい影かげ响碳化か硅的电导率りつ。[15]

纯的碳化硅是用ようLely法制ほうせい造づくり的てき。[16] 通つう过将碳化硅粉末まつ在ざい2500°C的てき氩气氛下升ます华后再さい沉积形成けいせい鳞片状じょう的てき单晶，在ざい较冷的てき基底きてい上じょう可か形成けいせい尺寸しゃくすん大だい到いた2×2cm2的てき单晶。Lely法ほう能生のう长出高品たかしな质的碳化硅单晶あきら。因よし为单晶あきら的てき生なま长温度おんど高だか，所以ゆえん得え到いた的てき单晶大だい多数たすう是ぜ6H-SiC相しょう的てき。在ざい石墨せきぼく坩埚中ちゅう进行感かん应加热则是另一种改进后的てきLely法ほう，它可以制造づくり的てき碳化硅单晶あきら尺寸しゃくすん是ぜ传统方法ほうほう的てき81倍ばい。[17]立方体りっぽうたい状じょう的てき碳化硅一般是借助成本较为昂贵的化学かがく气相沉积法ほう来らい合成ごうせい的てき。[15][18]通つう过气相しょう和わ液えき相しょう合成ごうせい的てき方法ほうほう可か以制造づくり同どう质外延がいえん和わ异质的てき碳化硅薄层。[19]纯的碳化硅也能のう利用りよう某ぼう些聚合ごう物ぶつ比ひ如聚甲きのえ基はじめ硅烷在ざい低温ていおん的てき惰性だせい气氛中ちゅう热分解ぶんかい来らい合成ごうせい。相あい较于化学かがく气相沉积法ほう，热分解法かいほう的てき优势在ざい于聚合ごう物ぶつ能のう在ざい热裂解かい形成けいせい陶すえ瓷状碳化硅之前ぜん塑造成ぞうせい各かく种不同ふどう的てき形状けいじょう。[20][21][22][23]

结构和わ性せい质

[编辑]
三种主要的碳化硅多形体
(βべーた)3C-SiC 4H-SiC (αあるふぁ)6H-SiC

碳化硅存在そんざい着ぎ约250种结晶あきら形がた态。[24]由よし于碳化か硅拥有ゆう一いち系列けいれつ相似そうじ晶あきら体からだ结构的てき同どう质多型がた体からだ使し得とく碳化硅具有ぐゆう同どう质多晶あきら的てき特とく点てん。这些多た形体けいたい的てき晶あきら体からだ结构可か被ひ视为将しょう特定とくてい几种二维结构以不同顺序层状堆积后得到的，因いん此这些多形体けいたい具有ぐゆう相しょう同どう的てき化学かがく组成和わ相しょう同どう的てき二に维结构，但ただし它们的てき三さん维结构不同ふどう。[25]

αあるふぁ-碳化硅(αあるふぁ-SiC)是ぜ这些多た型かた体たい中ちゅう最さい为常见的，它是在ざい大だい于1700°C的てき温度おんど下か形成けいせい的てき，具有ぐゆう类似纤锌矿的てき六ろく方ぽう晶あきら体からだ结构。具有ぐゆう类似钻石的てき闪锌矿晶体たい结构的てきβべーた-碳化硅(βべーた-SiC)则是在ざい低てい于1700°C的てき条件下じょうけんか形成けいせい的てき。[26]βべーた-碳化硅因其相较αあるふぁ-碳化硅拥有ゆう更さら高だか的てき比ひ表面ひょうめん积，所以ゆえん可用かよう于非均ひとし相しょう催化剂的负载体たい。

纯的碳化硅是无色的てき，工こう业用碳化硅由于含有がんゆう铁等杂质而呈现棕色しょく至いたり黑色こくしょく。晶あきら体たい上じょう彩いろどり虹にじ般的光こう泽则是ぜ因いん为其表面ひょうめん产生的てき二に氧化硅钝化层所ところ致。

碳化硅高达2700°C的てき升ます华温度おんど使し得とく它适合作がっさく为制造づくり轴承和かず高温こうおん熔炉ようろ的てき部ぶ件けん。它本身ほんみ也具有ぐゆう较高的てき化学かがく惰性だせい。由よし于其相しょう较于晶あきら体からだ硅具有ぐゆう更さら高だか的てき热电导率、电场击穿强度きょうど和わ最大さいだい电流密度みつど，所以ゆえん在高ありだか功こう率りつ的てき半はん导体材料ざいりょう方面ほうめん具有ぐゆう更さら好このみ的てき应用前景ぜんけい。[27]此外碳化硅的热膨胀系数すう也非常ひじょう低ひく（4.0×10-6/K）同どう时也不ふ会かい发生可能かのう引起的てき不ふ连续性せい热膨胀的相しょう变。

电导率りつ

[编辑]

在ざい碳化硅中掺杂氮或磷可以形成けいせいn型がた半はん导体而掺杂铝、硼、镓或ある铍形成けいせいp型がた半はん导体。在ざい碳化硅中大量たいりょう掺杂硼、铝或氮可以使掺杂后きさき的てき碳化硅具备数量すうりょう级可与あずか金属きんぞく比ひ拟的导电率りつ。掺杂Al的てき3C-SiC、掺杂B的てき3C-SiC和わ6H-SiC的てき碳化硅都能のう在ざい1.5K的てき温度おんど下か拥有超ちょう导性，[26][28]但ただし掺杂Al和わB的てき碳化硅两者しゃ的てき磁场行ぎょう为有明ありあけ显区别。掺杂铝的碳化硅和掺杂B的てき晶あきら体からだ硅一样都是ぜ第だい二に类超导体，但ただし掺杂硼的碳化硅则是ぜ第だい一いち类超导体。[29]

用途ようと

[编辑]

磨すり料りょう和わ切きり割わり工具こうぐ

[编辑]

由よし于金刚砂的てき耐用たいよう性せい和わ低てい成本なりもと，在ざい现代宝石ほうせき加工かこう中ちゅう作さく为常用じょうよう磨すり料りょう使用しよう。金きむ刚砂凭もたれ借か其硬度こうど使し它在制せい造づくり业中诸如砂すな轮切割わり、搪磨、水みず刀がたな切きり割わり和わ喷砂等とう磨すり削そぎ加工かこう过程。将はた碳化硅粒子りゅうし层压在ざい纸上就能制せい成なり砂すな纸和かず滑すべり板いた的てき握にぎ带。

1982年ねん由ゆかり氧化铝和碳化硅须晶あきら构成的てき超ちょう强つよし复合材料ざいりょう问世，经过随ずい后きさき三年的发展这种复合材料走出实验室成为商品。1985年ねん先さき进复合あい材料ざいりょう公司こうし和わGreenleaf公司こうし推出了りょう新しん的てき商品しょうひん化か切きり割わり工具こうぐ，工具こうぐ就是由よし氧化铝和碳化硅须晶あきら组成的てき加か强きょう型がた复合材料ざいりょう所しょ制せい造づくり的てき。

结构材料ざいりょう

[编辑]

在ざい二に十じゅう世せい纪80至いたり90年代ねんだい，几个欧おう洲しゅう、日本にっぽん和美かずみ国こく的てき高温こうおん燃もえ气涡轮机研究けんきゅう项目对碳化か硅做了りょう研究けんきゅう，项目的もくてき目め标均打算ださん以碳化か硅代替だいたい镍高温こうおん合金ごうきん制せい造づくり涡轮机つくえ叶かのう片へん或ある喷嘴叶かのう片へん。但ただし这些项目无一实现量产，主要しゅよう原因げんいん在ざい于碳化か硅材料りょう的てき耐たい冲击性せい和わ断だん裂きれ韧度低ひく。

不同ふどう于其他た陶すえ瓷材料りょう比ひ如氧化か铝和碳化硼，碳化硅可用よう于制造づくり複ふく合あい裝甲そうこう（英えい语：Composite armour）（比ひ如喬たかし巴ともえ姆裝甲そうこう（英えい语：Chobham armour））和わ防彈ぼうだん背せ心こころ中なか的てき陶すえ瓷板。

天文学てんもんがく

[编辑]

碳化硅具备的低てい热膨胀系数すう、高こう的てき硬度こうど、刚性和わ热导率りつ使し其能够作为天文てんもん望もち远镜的てき镜面材料ざいりょう。通つう过化学がく气相沉积制せい造づくり的てき直径ちょっけい达3.5米めーとる和わ2.7米まい的てき多た晶あきら碳化硅圆盘已被ひ分ぶん别安装そう在ざい赫歇尔空间天文台てんもんだい和わ同どう温ゆたか层红外がい线天文台てんもんだい等とう几个大型おおがた天文てんもん望もち远镜上じょう。[30][31]

催化剂载体たい

[编辑]

碳化硅本身ほんみ的てき抗こう氧化性せい质和立方りっぽうβべーた-SiC所しょ具有ぐゆう的てき大だい比ひ表面ひょうめん积使其可作さく为非均ひとし相しょう催化剂的载体。通つう过稻壳炭化か合成ごうせい的てきβべーた-SiC已やめ被ひ用よう于作为非均ひとし相しょう催化剂的载体应用于催化か诸如正せい丁ひのと烷氧化か生成せいせい顺丁烯二に酸さん酐这类烃类的てき氧化反はん应。[32][33]

石墨せきぼく烯生长

[编辑]

通つう过加热至高温こうおん，可か在ざい碳化硅的表面ひょうめん得え到いた外延がいえん石墨せきぼく烯。这种获取石墨せきぼく烯的方法ほうほう被ひ认为有希ゆうき望のぞむ实现大だい规模合成ごうせい具有ぐゆう实际应用的てき石墨せきぼく烯[34][35]。

功こう率りつ電子でんし元もと件けん

[编辑]

碳化硅是目前もくぜん正ただし在ざい研究けんきゅう的てき半はん导体，已やめ在ざい快速かいそく切せつ換かわ、高溫こうおん及高電壓でんあつ的てき應用おうよう上じょう，進行しんこう前期ぜんき的てき大量たいりょう生產せいさん。第だい一いち個こ可用かよう的てき元もと件けん是ぜ肖あやか特とく基もと二に极管、之これ後ご是ぜ结型场效应管及高速そく切せつ換かわ的てき功こう率りつMOSFET。目前もくぜん正ただし在ざい開發かいはつ双そう极性晶あきら体からだ管かん及晶あきら閘管[27]。

碳化矽元件けん商品しょうひん化か的てき主要しゅよう問題もんだい是ぜ如何いか去さ除じょ缺陷けっかん：包括ほうかつ邊べ緣えん位い錯、螺旋らせん位い錯（空そら心こころ和かず閉合）、三角形缺陷及基面位錯[36]。因よし此，雖然有ゆう許多きょた研究けんきゅう設しつらえ法要ほうよう改善かいぜん特性とくせい，但ただし最さい早期そうきSiC材料ざいりょう的てき元もと件けん，其反向こう電壓でんあつ阻隔そかく能力のうりょく不ふ好このみ[37]。除じょ了りょう晶あきら體からだ品質ひんしつ外がい，SiC和わ二氧化矽的界面問題也影響了SiC MOSFET及IGBT的てき發展はってん。滲氮已やめ大幅おおはば改善かいぜん了りょう介かい面めん問題もんだい，不ふ過か其機制せい還かえ不ふ清楚せいそ[38]。

2008年ねん已やめ有ゆう第だい一いち個こ商品しょうひん化か的てきJFET，額がく定じょう1200V[39]，之これ後ご是ぜ2011年ねん第だい一いち個こ商品しょうひん化か的てきMOSFET，額がく定てい電壓でんあつ1200 V。SiC的てき開ひらき關せき以及SiC肖あやか特とく基もと二に极管（SBD）有ゆう常見つねみ的てきTO-247及TO-220（英えい语：TO-220）封ふう裝そう外がい，許多きょた廠しょう商しょう也開始かいし將はたSiC裸はだか晶あきら放ひ在ざい功こう率りつ模も組ぐみ中なか。

SiC SBD二極體已用在功こう因いん修正しゅうせい電路でんろ上じょう，以及IGBT功こう率りつ模も組ぐみ中なか[40]。像ぞう是ぜ國際こくさい集しゅう成功せいこう率りつ電子でんし系統けいとう大會たいかい（英えい语：International Conference on Integrated Power Electronics Systems）（CIPS）等とう研けん討會也會定期ていき報告ほうこく有ゆう關せきSiC功こう率りつ元もと件けん的てき技術ぎじゅつ驅か勢いきおい。

日本にっぽん部分ぶぶん新造しんぞう的てき大功たいこう率りつ交傳鐵路てつろ車輛しゃりょう，以碳化か硅取代だいIGBT用よう於牽引けんいん變へん流りゅう裝置そうち（如新幹線しんかんせんALFA-X、EMU3000和わE235系けい），有ゆう助すけ進しん一いち步ほ減少げんしょう車輛しゃりょう耗電。

SiC功こう率りつ元もと件けん的てき主要しゅよう挑戰ちょうせん有ゆう：

  • 閘極驅動くどう電路でんろ：SiC功こう率りつ元もと件けん的てき閘極驅動くどう電路でんろ和わ矽半導體はんどうたい的てき電路でんろ不同ふどう，閘極驅動くどう電路でんろ的てき電壓でんあつ是非ぜひ對稱たいしょう的てき（例れい如+20 V和わ−5 V）[41]。
  • 包裝ほうそう：SiC 裸はだか晶あきら的てき功こう率りつ密度みつど比ひ矽半導體はんどうたい要よう高だか，其溫度おんど可か以超過ちょうか矽的上限じょうげん150 °C。需要じゅよう用よう到いた新しん的てき芯しん片へん連接れんせつ技術ぎじゅつ（例れい如燒しょう結ゆい）才能さいのう有效ゆうこう地ち將しょう熱ねつ從したがえ元もと件けん帶出たいしゅつ，並なみ且確保かくほ存在そんざい可か靠もたれ的てき互联结构 (Sintering are required to efficiently get the heat out of the devices and ensure a reliable interconnection. ) [42]。

参考さんこう文献ぶんけん

[编辑]
  1. ^ 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 CRC Handbook of Chemistry and Physics 97th Edition. 2016-06-24: 4–84. ISBN 1-4987-5428-7 （英えい语）. 
  2. ^ Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. McGraw-Hill. 2002. ISBN 0-07-049439-8. 
  3. ^ Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. Springer. 1997: 115. ISBN 0-412-54060-6. 
  4. ^ Encyclopædia Britannica, eb.com （页面存そん档备份，存そん于互联网档案あん馆）
  5. ^ Acheson, G. (1893) 美國びくに專せん利り第だい492,767号ごう "Production of artificial crystalline carbonaceous material"
  6. ^ Nikolay Zheludev. The life and times of the LED — a 100-year history. Nature Photonics. 2007, 1 (4): 189–192. Bibcode:2007NaPho...1..189Z. doi:10.1038/nphoton.2007.34. 
  7. ^ O.V. Lossev. "Wireless Telegraphy and Telephony". Telegrafia i Telefonia bez provodor. 1923, (18): 61. 
  8. ^ O.V. Lossev. Luminous Carborundum Detector and Detection Effect and Oscillations with Crystals. Philosophical Magazine. 1928, 6 (39): 1024–1044. 
  9. ^ Moissan, Henri. Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo. Comptes rendus. 1904, 139: 773–786 [2013-02-04]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2019-12-02）. 
  10. ^ Di Pierro S., Gnos E., Grobety B.H., Armbruster T., Bernasconi S.M., and Ulmer P. Rock-forming moissanite (natural αあるふぁ-silicon carbide). American Mineralogist. 2003, 88: 1817–21 [2013-02-04]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2015-09-24）. 
  11. ^ C. M. O'D. Alexander, P. Swan & R. M. Walker. In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites. Nature. 1990, 348 (6303): 715–717 [2013-02-04]. Bibcode:1990Natur.348..715A. doi:10.1038/348715a0. （原始げんし内容ないよう存そん档于2012-11-14）. 
  12. ^ The Astrophysical Nature of Silicon Carbide, [2009-06-06], （原始げんし内容ないよう存そん档于2017-05-04） 
  13. ^ A. S. Vlasov, A. I. Zakharov, O. A. Sarkisyan, N. A. Lukasheva. Obtaining silicon carbide from rice husks. Refractories. 1991, 32 (9-10): 521–523 [2013-02-04]. doi:10.1007/BF01287542. （原始げんし内容ないよう存そん档于2016-09-30）. 
  14. ^ Yang Zhong, Leon L. Shaw, Misael Manjarres, Mahmoud F. Zawrah. Synthesis of Silicon Carbide Nanopowder Using Silica Fume. Journal of American Ceramic Society. 2010, 93: 3159. doi:10.1111/j.1551-2916.2010.03867.x. 
  15. ^ 15.0 15.1 Harris, Gary Lynn. Properties of silicon carbide. IET. 1995: 19; 170–180. ISBN 0-85296-870-1. 
  16. ^ Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen. Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft. 1955, 32: 229–236. 
  17. ^ N.Ohtani, T.Fujimoto, T.Aigo, M.Katsuno, H.Tsuge, H.Yashiro. Nippon Steel Technical Report no. 84 : Large high-quality silicon carbide substrates (PDF). 2001. （原始げんし内容ないよう (PDF)存そん档于2012-03-04）. 
  18. ^ Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. Springer. 2003: 180–200. ISBN 3-540-00367-3. 
  19. ^ Bakin, Andrey S. SiC materials and devices, vol. 1, edited by M. Shur, S. Rumyantsev, M. Levinshtein - Chap.:"SiC Homoepitaxy and Heteroepitaxy". World Scientific. 2006: 43–76 [2013-02-04]. ISBN 981-256-835-2. （原始げんし内容ないよう存そん档于2010-10-22）. 
  20. ^ Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices. Academic Press. 1998: 20–60. ISBN 0-12-752160-7. 
  21. ^ Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne). Advanced Materials. 2004, 16 (8): 706 [2013-02-04]. doi:10.1002/adma.200306467. （原始げんし内容ないよう存そん档于2018-03-11）. 
  22. ^ Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres. Journal of Materials Science. 2006, 41 (3): 823 [2013-02-04]. Bibcode:2006JMatS..41..823B. doi:10.1007/s10853-006-6566-z. （原始げんし内容ないよう存そん档于2015-06-22）. 
  23. ^ Laine, Richard M.; Babonneau, Florence. Preceramic polymer routes to silicon carbide. Chemistry of Materials. 1993, 5 (3): 260 [2013-02-04]. doi:10.1021/cm00027a007. （原始げんし内容ないよう存そん档于2022-01-13）. 
  24. ^ Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. Imperial College Press. 2006: 3. ISBN 1-86094-624-0. 
  25. ^ Morkç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. Journal of Applied Physics. 1994, 76 (3): 1363. Bibcode:1994JAP....76.1363M. doi:10.1063/1.358463. [永久えいきゅう失效しっこう連結れんけつ]
  26. ^ 26.0 26.1 Muranaka, T.; Kikuchi, Yoshitake; Yoshizawa, Taku; Shirakawa, Naoki; Akimitsu, Jun. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide (free download). Sci. Technol. Adv. Mater. 2008, 9 (4): 044204. Bibcode:2008STAdM...9d4204M. doi:10.1088/1468-6996/9/4/044204. 
  27. ^ 27.0 27.1 Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. IEEE Transactions on Electron Devices. March 1993, 40 (3): 645–655. Bibcode:1993ITED...40..645B. doi:10.1109/16.199372. 
  28. ^ Kriener, M.; Muranaka, Takahiro; Kato, Junya; Ren, Zhi-An; Akimitsu, Jun; Maeno, Yoshiteru. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (free download). Sci. Technol. Adv. Mater. 2008, 9 (4): 044205. Bibcode:2008STAdM...9d4205K. arXiv:0810.0056 可免费查阅. doi:10.1088/1468-6996/9/4/044205. 
  29. ^ Yanase, Y. and Yorozu, N. Superconductivity in compensated and uncompensated semiconductors (free download). Sci. Technol. Adv. Mater. 2008, 9 (4): 044201. Bibcode:2008STAdM...9d4201Y. doi:10.1088/1468-6996/9/4/044201. 
  30. ^ The largest telescope mirror ever put into space. European Space Agency. [2009-06-06]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2012-10-19）. 
  31. ^ Petrovsky; G. Tolstoy; Lubarsky, Sergey V.; Khimitch, Yuri P.; Robb, Paul N. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. Proc. SPIE. 1994-06, 2199: 263-270 [2013-02-06]. Bibcode:1994SPIE.2199..263P. doi:10.1117/12.176195. （原始げんし内容ないよう存そん档于2014-04-19）. 
  32. ^ Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. CRC Press. 2000: 258. ISBN 0-8493-9417-1. 
  33. ^ Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts. Reaction Kinetics and Catalysis Letters. 1995, 54 (1): 29 [2013-02-06]. doi:10.1007/BF02071177. （原始げんし内容ないよう存そん档于2016-03-04）. 
  34. ^ de Heer; Walt A. 19. Epitaxial graphene. Sattler, Klaus D. (编). Handbook of Nanophysics (free download). Taylor and Francis. 2010. ISBN 1-4200-7538-1. 
  35. ^ de Heer, Walt A.; Berger, Claire; Wu, Xiaosong; First, Phillip N.; Conrad, Edward H.; Li, Xuebin; Li, Tianbo; Sprinkle, Michael; Hass, Joanna; Sadowski, Marcin L.; Potemski, Marek; Martinez, Gérard. Epitaxial graphene (PDF). Solid State Communications. 2007, 143 (1–2): 92–100 [2009-07-31]. Bibcode:2007SSCom.143...92D. doi:10.1016/j.ssc.2007.04.023. （原始げんし内容ないよう (free download)存そん档于2008-12-09）. 
  36. ^ Chen, H.; Raghothamachar, Balaji; Vetter, William; Dudley, Michael; Wang, Y.; Skromme, B.J. Effects of defect types on the performance of devices fabricated on a 4H-SiC homoepitaxial layer. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2006, 911: 169. doi:10.1557/PROC-0911-B12-03. 
  37. ^ Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention. Nature. 2004-08-26, 430 (7003): 974–975. Bibcode:2004Natur.430..974M. PMID 15329702. doi:10.1038/430974a. 
  38. ^ Chen, Z.; Ahyi, A.C.; Zhu, X.; Li, M.; Isaacs-Smith, T.; Williams, J.R.; Feldman, L.C. MOS Characteristics of C-Face 4H-SiC. J. Of Elec. Mat. 2010, 39 (5): 526–529. Bibcode:2010JEMat..39..526C. doi:10.1007/s11664-010-1096-5. 
  39. ^ At 1200 V and 45 milliohms, SemiSouth introduces the industry’s lowest resistance SiC power transistor for efficient power management (新しん闻稿). Reuters. 2011-05-05. （原始げんし内容ないよう存そん档于2016-03-15）. 
  40. ^ Cree launches industry’s first commercial silicon carbide power MOSFET; destined to replace silicon devices in high-voltage (≥ 1200 V) power electronics (新しん闻稿). Cree. 2011-01-17 [2020-08-05]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2016-11-26）. 
  41. ^ Meißer, Michael. Resonant Behaviour of Pulse Generators for the Efficient Drive of Optical Radiation Sources Based on Dielectric Barrier Discharges. KIT Scientific Publishing. 2013: 94 [2020-08-05]. ISBN 978-3-7315-0083-4. （原始げんし内容ないよう存そん档于2021-04-28）. 
  42. ^ Horio, Masafumi; Iizuka, Yuji; Ikeda, Yoshinari. Packaging Technologies for SiC Power Modules (PDF). Fuji Electric Review. 2012, 58 (2): 75–78 [2020-08-05]. （原始げんし内容ないよう存そん档 (PDF)于2016-07-01）. 
规范控ひかえ制せい数すう据すえ库：各地かくち 編輯維基數據鏈接
检索自じ“https://zh.wikipedia.org/w/index.php?title=碳化硅&oldid=83012612”