晶あきら閘管

「晶あきら閘管」的てき各地かくち常用じょうよう名稱めいしょう
中国ちゅうごく大陸たいりく	晶あきら闸管、晶あきら体からだ闸流管かん
臺灣たいわん	閘流體たい、閘流器き、閘流電でん晶あきら體からだ

「晶あきら閘管」的てき各地かくち常用じょうよう名稱めいしょう
中国ちゅうごく大陸たいりく	可か控ひかえ硅
臺灣たいわん	矽控整流せいりゅう器き

單向たんこう晶あきら閘管SCR的てき電路でんろ符號ふごう及引脚あし说明

一枚裝載散熱器上的SCR， 耐たい壓あつ1200V最大さいだい電流でんりゅう100A， 小しょう接線せっせん是ぜ用よう來らい做閘極きょく觸發しょくはつ控ひかえ制せい

晶あきら體からだ閘流管かん（英語えいご：Thyristor），簡稱晶あきら闸管，指ゆび的てき是ぜ具有ぐゆう四よん層そう交錯こうさくP、N層そう的てき半導體はんどうたい裝置そうち。最早もはや出現しゅつげん與あずか主要しゅよう的てき一いち種しゅ是ぜ矽控整流せいりゅう器き（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國ちゅうごく大陸たいりく通常つうじょう簡稱可か控ひかえ硅，又また稱たたえ半導體はんどうたい控ひかえ制せい整流せいりゅう器き，是ぜ一いち種しゅ具有ぐゆう三さん個こPN結ゆい的てき功こう率りつ型がた半導體はんどうたい器き件けん，为第一代半导体电力电子器件的代表。晶あきら閘管的てき特とく點てん是ぜ具有ぐゆう可か控ひかえ的てき單向たんこう導しるべ電でん，即そく與あずか一般いっぱん的てき二に極きょく體たい相そう比ひ，可か以對導通どうつう電流でんりゅう進行しんこう控ひかえ制せい。晶あきら閘管具有ぐゆう以小電流でんりゅう（電壓でんあつ）控ひかえ制せい大だい電流でんりゅう（電壓でんあつ）作用さよう，并體積たいせき小しょう、輕けい、功こう耗低、效率こうりつ高だか、開ひらき關せき迅速じんそく等とう優ゆう點てん，廣こう泛用於無觸さわ點てん開ひらけ關せき、可か控ひかえ整流せいりゅう、逆ぎゃく變へん、調しらべ光こう、調しらべ壓あつ、調しらべ速そく等とう方面ほうめん。

发展历史

半はん导体的まと出で现成为20世せい纪现代だい物理ぶつり学がく其中一いち项最重大じゅうだい的てき突破とっぱ，标志着ぎ电子技わざ术的てき诞生。而由于不同どう领域的てき实际需要じゅよう，促使半はん导体器き件けん自じ此分别向两个分ぶん支ささえ快速かいそく发展，其中一个分支即是以集成しゅうせい电路为代表だいひょう的てき微ほろ电子器き件けん，特とく点てん为小功こう率りつ、集成しゅうせい化か，作さく为信息いき的てき检出、传送和わ处理的てき工具こうぐ；而另一类就是电力电子器件，特とく点てん为大功こう率りつ、快速かいそく化か。1955年ねん，美国びくに通用つうよう電氣でんき公司こうし发表了りょう世界せかい上じょう第だい一いち个以硅单晶あきら为半导体整流せいりゅう材料ざいりょう的てき硅整流せいりゅう器き（SR），1957年ねん又また发表了りょう全ぜん球たま首くび个用于功率りつ转换和わ控ひかえ制せい的てき可か控ひかえ硅整流せいりゅう器き（SCR）。由よし于它们具有体ありてい积小、重量じゅうりょう轻、效率こうりつ高だか、寿命じゅみょう长的优势，尤ゆう其是SCR能のう以微小びしょう的てき电流控ひかえ制せい较大的てき功こう率りつ，讓ゆずる半はん导体电力电子器き件けん成功せいこう从弱电控制せい领域进入了りょう强きょう电控制せい领域、大功たいこう率りつ控ひかえ制せい领域。在ざい整流せいりゅう器き的てき应用上じょう，晶あきら闸管迅速じんそく取と代だい了りょう水すい银整流せいりゅう器き（引燃管かん），使つかい得とく整流せいりゅう器き固体こたい化か、静止せいし化か和わ无触点てん化か，并顯著ちょ的てき节省能のう源げん。从1960年代ねんだい开始，由よし普通ふつう晶あきら闸管相しょう继衍生出おいで了りょう快速かいそく晶あきら闸管、光ひかり控ひかえ晶あきら闸管、不ふ对称晶あきら闸管及双向むかい晶あきら闸管等とう各かく种特性せい的てき晶あきら闸管，形成けいせい一个庞大的晶闸管家族。

但ただし晶あきら闸管本身ほんみ存在そんざい两个制せい约其继续发展的てき重じゅう要因よういん素もと。一是控制功能上的欠缺，普通ふつう的てき晶あきら闸管属ぞく于半控ひかえ型がた器き件けん，通つう过閘极（控ひかえ制せい極きょく）只ただ能のう控ひかえ制せい其开通どおり而不能ふのう控ひかえ制せい其关断だん，導通どうつう後ご控ひかえ制せい極ごく即そく不ふ再起さいき作用さよう，要よう关断必須ひっす切断せつだん電源でんげん，即そく令れい流りゅう過か晶あきら闸管的てき正ただし向こう電流でんりゅう小しょう於維持いじ電流でんりゅう。由よし于晶闸管的てき关断不可ふか控ひかえ的てき特性とくせい，必须另外配はい以由电感、电容及辅助じょ开关器き件けん等とう组成的てき强迫きょうはく换流电路，从而使し装置そうち体たい积增大ぞうだい，成本なりもと增加ぞうか，而且系けい统更为复杂、可か靠もたれ性せい降くだ低てい。二是因为此类器件立足于分立元件结构，开通损耗大だい，工作こうさく频率难以提ひさげ高だか，限げん制せい了りょう其应用よう范围。1970年代ねんだい末まつ，随ずい着ぎ可か關せき斷だん晶あきら闸管（GTO）日にち趋成熟せいじゅく，成功せいこう克服こくふく了りょう普通ふつう晶あきら闸管的てき缺陷けっかん，标志着ぎ电力电子器き件けん已やめ经从半はん控ひかえ型がた器き件けん发展到いた全ぜん控ひかえ型がた器き件けん。

类型

晶あきら閘管一詞有時單指SCR；有ゆう時じ泛指具有ぐゆう四よん層そう或ある以上いじょう交錯こうさくP、N層そう的てき半導體はんどうたい裝置そうち，如單向むかい晶あきら閘管（SCR）、雙そう向むかい晶あきら閘管（TRIAC）、可か關せき斷だん晶あきら閘管（GTO）、SIT、及其他た種類しゅるい等とう。

單向たんこう晶あきら閘管是ぜPNPN四よん層そう結構けっこう，形成けいせい三さん個こPN結ゆい，可か以等效こう為ためPNP、NPN兩りょう晶あきら體からだ管かん組成そせい的てき複ふく合ごう管かん，具有ぐゆう三さん個こ外がい電極でんきょく：陽極ようきょくA（Anode），陰極いんきょくC（Cathode）和かず控ひかえ制せい極ごくG（Gate）。在ざいA、C之の間あいだ加か上正かみしょう電壓でんあつ後ご，管かん子こ並なみ不ふ導通どうつう；當とう控ひかえ制せい極ごくG加か上正かみしょう電壓でんあつ（相對そうたい於陰極いんきょくC而言）後ご才ざい導通どうつう；此時再さい去さ掉控制せい極きょく的てき電壓でんあつ，管かん子こ依然いぜん能のう夠保持ほじ導通どうつう。

雙そう向むかい晶あきら閘管可か以等效こう為ため兩個りゃんこ單向たんこう晶あきら閘管反はん向こう並なみ聯れん。因いん雙そう向むかい晶あきら閘管正負せいふ雙そう向むかい均ひとし可か以控制せい導通どうつう，故こ控ひかえ制せい極ごくG外的がいてき另外兩個りゃんこ電極でんきょく不ふ再さい稱しょう陰極いんきょく陽極ようきょく，而改稱かいしょう為ため主ぬし電極でんきょくMT1、MT2或あるT1、T2。當とうG與あずかMT1間あいだ給きゅう予よ適當てきとう的てき訊號時じ，MT2與あずかMT1間あいだ即そく可か導通どうつう。

参看さんかん

• 可か關せき斷だん晶あきら閘管（GTO, Gate Turn-Off thyristor）
• 絕緣ぜつえん閘異極ごく晶あきら狀じょう管かん（IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor）
• 閘流體りゅうたい驅動くどう器き