鰭ひれ式場しきじょう效こう電でん晶あきら體からだ

FinFET器き件けん

鰭ひれ式場しきじょう效こう電でん晶あきら體からだ（英語えいご：Fin Field-Effect Transistor，簡稱：FinFET），是ぜ一いち种新的てき互补式しき金きん氧半导体晶あきら体からだ管かん，可か以改善かいぜん电路控ひかえ制せい并减少しょう漏も电流，缩短晶あきら体からだ管かん的てき闸长。FinFET是ぜ一いち种立体りったい的てき场效应管，屬ぞく於多た閘極電でん晶あきら體からだ。

当とう晶あきら体からだ管かん的てき尺寸しゃくすん小しょう于25纳米以下いか，传统的てき平面へいめん场效应管的てき尺寸しゃくすん已やめ经无法ほう缩小。FinFET的てき主要しゅよう思想しそう是ぜ将はた场效应管立体りったい化か。

2011年ねん，英えい特とく尔已やめ经推出で商しょう业化的てき22纳米FinFET。

在ざい2018年ねん2月がつ开始，中国科学院ちゅうごくかがくいん微ほろ电子研究所けんきゅうじょ就该技わざ术涉及该所しょ的てき部分ぶぶん专利对英特とく尔提出ていしゅつ侵おかせ权诉讼，而英特とく尔多次じ反はん制せい，向中むこうなか美び两国的てき知ち识产权管理かんり部ぶ门申请专利り无效审议或ある复审，但ただし均ひとし告つげ失しつ败，2020年ねん7月がつ28日にち，国家こっか知ち识产权局口くち头受理じゅり了りょう该次申さる请无效こう审议。