晶あきら体からだ管かん

晶あきら体からだ管かん（英語えいご：transistor），早期そうき音おと译为穿ほじ细丝体たい，是ぜ一いち种类似于阀门的てき固体こたい半はん导体器き件けん，可か以用于放ひ大だい、开关、稳压、信号しんごう调制和わ许多其他功こう能のう。在ざい1947年ねん，由ゆかり約やく翰·巴ともえ丁ひのと、沃爾特とく·布ぬの拉ひしげ頓とみ和わ威い廉かど·肖あやか克利かつとし所ところ發明はつめい。當時とうじ巴ともえ丁ひのと、布ぬの拉ひしげ頓ひたすら主要しゅよう發明はつめい半導體はんどうたい三さん極きょく體からだ；肖あやか克利かつとし則のり是ぜ發明はつめいPN二に極きょく體たい，他た們因為ため半導體はんどうたい及電晶あきら體からだ效こう應おう的てき研究けんきゅう獲得かくとく1956年ねん諾だく貝かい爾なんじ物理ぶつり獎^[1]。

電でん晶あきら體からだ由よし半導體はんどうたい材料ざいりょう組成そせい，至いたり少しょう有ゆう三個對外端點稱之為極。以雙極性きょくせい接せっ面めん電でん晶あきら體からだ為ため例れい，有ゆう基もと極きょく(B)、集あつまり極きょく(C)、射い極きょく(E)，其中基もと極きょく(B)是ぜ控ひかえ制せい極ごく，另外兩個りゃんこ端はし點てん之の間あいだ的てき伏ふく安やす特性とくせい關係かんけい是ぜ受到控ひかえ制せい極きょく的てき非ひ線せん性せい電でん阻關係かんけい。電でん晶あきら體からだ受控極ごく输入的てき電流でんりゅう或ある电压，改變かいへん輸出ゆしゅつ端はし的てき阻抗，從したがえ而控制せい通過つうか輸出ゆしゅつ端はし的てき电流，因いん此晶體からだ管かん可か以作為さくい電流でんりゅう開ひらき關せき，而因為ため晶あきら体からだ管かん輸出ゆしゅつ信號しんごう的てき功こう率りつ可か以大於輸入信にゅうしん號ごう的てき功こう率りつ，因いん此晶体からだ管かん可か以作為さくい电子放ひ大器たいき。

歷史れきし

1925年ねん，加か拿大物理ぶつり學がく家か尤ゆう利り烏がらす斯·愛あい德利とっくり林りん費ひ爾しか德とく（英えい语：Julius Edgar Lilienfeld）申請しんせい場ば效こう應おう晶あきら體からだ管かん（FET）的てき專せん利り
1926年ねん，尤ゆう利り烏がらす斯·愛あい德利とっくり林りん費ひ爾しか德とく（英えい语：Julius Edgar Lilienfeld）也在美國びくに申請しんせい專せん利り，但ただし是ぜ他た沒ぼつ有ゆう發布はっぷ過か相關そうかん的てき文章ぶんしょう，而且當時とうじ還かえ沒ぼっ有ゆう製作せいさく高だか品質ひんしつ半導體はんどうたい的てき相關そうかん技術ぎじゅつ。
1934年ねん，德とく國こく發明はつめい家か奧おく斯卡海うみ爾なんじ（英えい语：Oskar Heil）申請しんせい類似るいじ裝置そうち的てき專せん利り。
1947年ねん12月，美国びくに贝尔实验室しつ的てき肖あやか克利かつとし、巴ともえ丁ちょう和布わかめ拉ひしげ顿组成なり的てき研究けんきゅう小しょう组，研とぎ制せい出で一いち种点接触せっしょく型がた的てき锗晶あきら体からだ管かん。

運用うんよう及分類ぶんるい

晶あきら体からだ管かん主要しゅよう分ぶん为两大だい类：双そう极性晶あきら体からだ管かん（BJT）和わ场效应晶体からだ管かん（FET）

電でん晶あきら體からだ一般いっぱん都と有ゆう三さん個こ極ごく，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基もと極ごく不能ふのう做輸出ゆしゅつ，(C)集しゅう極ごく不能ふのう做輸入ゆにゅう之の外そと，其餘兩個りゃんこ極きょく組成そせい輸入ゆにゅう及輸出ゆしゅつ對たい。電でん晶あきら體たい之の所以ゆえん有ゆう如此多た用途ようと在ざい於其訊號放ひ大だい能力のうりょく，當とう微細びさい訊號加か於其中ちゅう的てき一對極時便能控制在另一對極較大的訊號，這特性せい叫さけべ增益ぞうえき。

當とう電でん晶あきら體からだ於線せん性せい工作こうさく時じ，輸出ゆしゅつ的てき訊號與あずか輸入ゆにゅう的てき訊息成なり比例ひれい，這時電でん晶あきら體からだ就成了一りょういち放ひ大器たいき。這是在ざい模かたぎ拟电路ろ中なか的てき常用じょうよう方式ほうしき，例れい如电子こ放ひ大器たいき、音おと频放大器たいき、射い频放大器たいき、稳压电路；

當とう電でん晶あきら體からだ的てき輸出ゆしゅつ不ふ是ぜ完全かんぜん關せき閉就是ぜ完全かんぜん導通どうつう時じ，這時電でん晶あきら體からだ便びん是ぜ被ひ用作ようさく開ひらき關せき使用しよう。這種方式ほうしき主要しゅよう用よう于数字すうじ电路，例れい如数字すうじ电路包括ほうかつ逻辑门、隨ずい機き存そん取と記憶きおく體たい（RAM）和わ微ほろ处理器き。另外在がいざい开关电源中ちゅう，電でん晶あきら體からだ也是以這種しゅ方式ほうしき工作こうさく。

而以何なん種しゅ形式けいしき工作こうさく，主要しゅよう取と決けつ於電晶あきら體からだ的てき特性とくせい及外部ぶ電路でんろ的てき設計せっけい。

双そう极性晶あきら体からだ管かん的てき三さん个极，射しゃ極ごく（Emitter）、基もと極きょく（Base）和わ集しゅう極ごく（Collector）^[2]^:31; 射い极到基もと極きょく的てき微小びしょう电流，会かい使し得とく射しゃ極ごく到いた集あつまり極きょく之の间的阻抗改變かいへん，從したがえ而改變かいへん流りゅう經けい的てき电流^[2]^:31；

场效应晶体からだ管かん的てき三さん个极，源みなもと極きょく（Source）、閘（柵しがらみ）極きょく（Gate）和かず汲極（Drain）^[2]^:41。在ざい閘極與あずか源みなもと極きょく之の間あいだ施ほどこせ加か电压能のう夠改變かいへん源げん極ごく與あずか汲極之の間あいだ的てき阻抗，從したがえ而控制せい源げん極ごく和わ汲極之の间的电流。

晶あきら體からだ管かん因いん為ため有ゆう三さん種しゅ極性きょくせい，所以ゆえん也有やゆう三種さんしゅ的てき使用しよう方式ほうしき，分別ふんべつ是ぜ射い極きょく接地せっち（又また稱たたえ共ども射い放ひ大だい、CE組ぐみ態たい）、基もと極きょく接地せっち（又また稱たたえ共きょう基もと放ひ大だい、CB組ぐみ態たい）和わ集しゅう極きょく接地せっち（又また稱たたえ共ども集しゅう放ひ大だい、CC組ぐみ態たい、射い極ごく隨ずい隅すみ器き）^[2]^:37-39。

晶あきら體からだ管かん在ざい應用おうよう上じょう有ゆう許多きょた要注意ようちゅうい的てき最大さいだい額がく定てい值，例れい如最大電だいでん壓あつ、最大さいだい電流でんりゅう、最大さいだい功こう率りつ。若わか在ざい超ちょう額がく的てき狀態じょうたい下か使用しよう，會かい破壞はかい晶あきら體からだ管かん內部的てき結構けっこう。每まい種たね型がた號ごう的てき晶あきら體からだ管かん還かえ有ゆう像ぞう是ぜ直流ちょくりゅう放ひ大だい率りつh_FE、NF噪訊比ひ等とう特性とくせい，可か以藉由よし晶あきら體からだ管かん規格きかく表ひょう（英えい语：Datasheet）得知とくち。

重要じゅうよう性せい

晶あきら体からだ管かん被ひ认为是ぜ现代历史中ちゅう最さい伟大的てき发明之の一いち，可能かのう是ぜ二に十じゅう世紀せいき最さい重要じゅうよう的てき發明はつめい^[3]，它讓收おさむ音おと機き、計算けいさん器き、電腦でんのう、以及相關そうかん電子でんし產品さんぴん變へん得どく更さら小しょう、更さら便宜べんぎ。

在ざい重要じゅうよう性せい方面ほうめん可か以与印刷いんさつ术，汽车和わ电话等とう发明相しょう提つつみ并论。晶あきら体からだ管かん是ぜ所有しょゆう现代电器的てき关键主ぬし动（active）元もと件けん。晶あきら体からだ管かん在ざい当今とうぎん社会しゃかい如此重要じゅうよう，主要しゅよう是ぜ因いん为晶体からだ管かん可か以使用よう高度こうど自じ动化的てき过程进行大だい规模生せい产的能力のうりょく，因いん而可以不可ふか思おもえ议地达到极低的てき单位成本なりもと。1947年ねん貝かい爾なんじ實驗じっけん室しつ發明はつめい電でん晶あきら體からだ已やめ被ひ列れつ在ざいIEEE里程りてい碑ひ列れつ表ひょう中なか^[4]。

虽然数すう以百ひゃく万计的单体晶体管还在使用^[5]，绝大多数たすう的てき晶あきら体からだ管かん是ぜ和わ二に极管，电阻器き，电容器き一起被装配在微芯片（芯しん片へん）上うえ制せい造づくり完かん整せい的てき电路。可能かのう是ぜ模も拟的、数字すうじ的てき，或ある是ぜ混合こんごう的てき芯しん片へん上じょう。设计和わ开发复杂芯しん片へん的てき成本なりもと是ただし相当そうとう高だか的てき，但ただし是ぜ若わか分ぶん摊到百ひゃく万个生产单位上，對たい每まい个芯片へん价格的てき影響えいきょう就不大だい。一个逻辑门包含20个晶体からだ管かん，而2012年ねん一个高级的微处理器使用的晶体管数量达14亿个。

晶あきら体からだ管かん的てき成本なりもと，灵活性せい和わ可か靠もたれ性せい使し得とく其成为非机つくえ械任务的通用つうよう器き件けん，例れい如数字すうじ计算。晶あきら体からだ管かん电路在ざい控ひかえ制せい电器和わ机つくえ械的應用おうよう上じょう，也正在ざい取と代だい电机设备，因いん为它通常つうじょう是ぜ更さら便宜べんぎ而有效ゆうこう，使用しよう电子控ひかえ制せい時じ，可か以使用しよう标准集成しゅうせい电路并编写うつし计算机つくえ程ほど序じょ来らい完成かんせい一個机械控制同样的任务。

因いん为晶体からだ管かん和わ后きさき来らい的てき电子计算机つくえ的てき低てい成本なりもと，開始かいし了りょう数字すうじ化か信しんじ息いき的てき浪なみ潮しお。由よし于计算さん机つくえ提供ていきょう快速かいそく的てき查找、分ぶん类和处理数字すうじ信しん息いき的てき能力のうりょく，在ざい信しん息いき数字すうじ化か方面ほうめん投入とうにゅう了りょう越来ごえく越えつ多た的てき精力せいりょく。今こん天てん的てき许多媒体ばいたい是ぜ通どおり过电子こ形式けいしき发布的てき，最さい终通过计算さん机つくえ转化和わ呈てい现为模も拟形式しき。受到数字すうじ化か革命かくめい影かげ响的领域包括ほうかつ电视，广播和わ报纸。

和かず真空しんくう管かん的てき比較ひかく

在ざい電でん晶あきら體からだ發展はってん之の前まえ，真空しんくう管かん是ぜ電子でんし設備せつび中ちゅう主要しゅよう的てき功こう率りつ元もと件けん。

優ゆう點てん

電でん晶あきら體からだ因いん為ため有ゆう以下いか的てき優ゆう點てん，因いん此可以在大だい多數たすう應用おうよう中ちゅう代替だいたい真空しんくう管かん：

沒ぼつ有ゆう因いん加熱かねつ陰極いんきょく而產生せい的てき能のう量りょう耗損，應用おうよう真空しんくう管かん時じ產さん生せい的てき橙だいだい光こう是ぜ因いん為ため加熱かねつ造成ぞうせい，有ゆう點てん類似るいじ傳統でんとう的てき燈とう泡あわ。
體積たいせき小しょう、重量じゅうりょう低てい，因いん此有助じょ於電子でんし設備せつび的てき小型こがた化か。
工作こうさく電壓でんあつ低てい，只ただ要用ようよう電池でんち就可以供應おう。
在ざい供きょう電でん後ご即そく可か使用しよう，不ふ需加熱ねつ陰極いんきょく需要じゅよう的てき預あずか熱ねつ期き。
可か透過とうか半導體はんどうたい技術ぎじゅつ大量たいりょう的てき生產せいさん。
放ひ大だい倍數ばいすう大だい^[6]。

限きり制せい

相あい較於真空しんくう管かん，電でん晶あきら體たい也有やゆう以下いか的てき限きり制せい：

矽電晶あきら體からだ會かい老化ろうか及失效しっこう^[7]。
高こう功いさお率りつ、高こう頻しき率りつ的てき應用おうよう中ちゅう（例れい如電じょでん視し廣こう播），因いん真空しんくう管かん中ちゅう的てき真空しんくう有ゆう助じょ提ひさげ昇のぼる電子でんし移動いどう率りつ，效果こうか會かい比ひ電でん晶あきら體からだ要よう好このみ。
固體こたい電子でんし元もと件けん在ざい應用おうよう時じ比較ひかく容易ようい出現しゅつげん靜しずか電でん放電ほうでん現象げんしょう。

类型

	PNP		P-溝みぞ道どう
	NPN		N-溝みぞ道どう
BJT		JFET

BJT及JFET符號ふごう

			P-溝みぞ道どう
			N-溝みぞ道どう
JFET	MOSFET enh	MOSFET dep

JFET 及 MOSFET符號ふごう

電でん晶あきら體からだ可か以依以下いか的てき方式ほうしき分類ぶんるい：

半導體はんどうたい材料ざいりょう（最早もはや使用しよう的てき分類ぶんるい）：類るい金屬きんぞく鍺（1947）及矽（1954）— 非ひ晶あきら、多た晶あきら及單たん晶あきら（英えい语：monocrystalline silicon）形式けいしき、化合かごう物ぶつ半導體はんどうたい有ゆう砷化鎵（1966）及碳化矽（1997）、矽鍺合金ごうきん（1989），2004年ねん開始かいし研究けんきゅう的てき碳的同素どうそ異い形體けいたい石墨せきぼく烯等ひとし。
結構けっこう：BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等ひとし。
電極でんきょく性せい（英えい语：Electrical polarity）（正せい電でん及負電でん，類似るいじ化學かがく極性きょくせい）：n–p–n及p–n–p（BJT），N通どおり道どう及P通どおり道どう（FET）
最大さいだい功こう率りつ額がく定じょう（英えい语：Power rating）：可分かぶん為ため低てい功こう率りつ、中ちゅう功こう率りつ及高功こう率りつ。
最大さいだい工作こうさく頻しき率りつ：低てい頻しき、中ちゅう頻しき、高こう頻しき、無線むせん電でん頻しき率りつ（RF）、微ほろ波なみ頻しき率りつ：電でん晶あきら體からだ的てき最大さいだい等とう效こう頻しき率りつ是ぜ用よう $f_{\mathrm {T} }$ 表示ひょうじ，是ぜ過渡かと頻しき率りつ的てき縮寫しゅくしゃ，過渡かと頻しき率りつ是ぜ增益ぞうえき為ため1時じ的てき頻しき率りつ。
應用おうよう：開ひらき關せき、泛用、音おと頻しき、高こう壓あつ等ひとし。
封ふう裝そう：插入そうにゅう式しき（英えい语：through-hole technology）金屬きんぞく封ふう裝そう或ある塑膠封ふう裝そう、表面ひょうめん黏著技術ぎじゅつ、球たま柵しがらみ陣列じんれつ封ふう裝そう、功こう率りつ晶あきら體からだ等とう。
增益ぞうえき係數けいすう：h_fe、βべーた_F^[8]或あるg_m（跨またが导）等とう。

現在げんざい也已发明許多きょた新しん类型的てき晶あきら体からだ管かん。已やめ有ゆう在ざい低温ていおん下か操作そうさ的てき单电子こ晶あきら体からだ管かん（single electron transistor SET）^[9]，以及单原子はらこ晶あきら体からだ管かん（single atom transistor SAT） ^[10]，其中，原子はらこ是ただし个别地ち植うえ入いれ。

雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體たい（BJT）

雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體からだ同時どうじ利用りよう半導體はんどうたい中ちゅう的てき多數たすう載の子こ及少數すう載の子こ導通どうつう，因いん此得名めい。雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體からだ是ぜ第だい一個量產的電晶體，是ぜ由よし二に種しゅ不同ふどう接せっ面めん的てき二に極きょく體たい組成そせい，其結構けっこう可分かぶん為ため二に層そうN型がた半導體はんどうたい中間なかま夾一いち層そうP型がた半導體はんどうたい的てきNPN電でん晶あきら體からだ，以及二に層そうP型がた半導體はんどうたい中間なかま夾一いち層そうN型がた半導體はんどうたい的てきPNP電でん晶あきら體からだ^[2]^:32。因よし此會有ゆう二に個こPN结，分別ふんべつ是ぜ基もと極きょく-射い極きょく接せっ面めん及基極きょく-集あつまり極きょく接せっ面めん，中ちゅう間隔かんかく著ちょ一層いっそう的てき半導體はんどうたい，即そく為ため基もと極きょく。

雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體からだ和わ場じょう效こう應おう電でん晶あきら體たい不同ふどう，雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體からだ是ぜ低てい輸入ゆにゅう阻抗的てき元もと件けん。當とう基もと集しゅう極ごく電壓でんあつ（V_be）提ひさげ高だか時じ，集しゅう極ごく射い極ごく電流でんりゅう（I_ce）會かい依よ肖あやか克かつ基もと模型もけい及艾もぐさ伯はく斯-莫爾模型もけい，以指數すう形式けいしき增加ぞうか。因よし此雙極性きょくせい電でん晶あきら體からだ的てき跨またが導しるべ比ひFET要よう高だか。

雙極そうきょく性せい電でん晶あきら體からだ也可以設計けい為ため受到光こう照射しょうしゃ時じ導通どうつう，因いん為ため基もと極きょく吸收きゅうしゅう光子こうし會かい產さん生せい光こう電流でんりゅう，其效應おう類似るいじ基もと極ごく電流でんりゅう，集しゅう極ごく電流でんりゅう一般いっぱん是ぜ光こう電流でんりゅう的てきβべーた倍ばい，這類的てき電でん晶あきら體からだ一般會在封裝上有一透明窗，稱しょう為ため光ひかり電でん晶あきら體からだ。

場ば效こう應おう電でん晶あきら體たい（FET）

場ば效こう應おう電でん晶あきら體からだ利用りよう電子でんし（N通どおり道どうFET）或ある是ぜ電でん洞ほら（P通どおり道どうFET）導通どうつう電流でんりゅう。場ば效こう應おう電でん晶あきら體からだ都と有ゆう閘極（gate）、汲極（drain）、源みなもと極きょく（source）三さん個こ極ごく，若わか不ふ是ぜ結ゆい型がた場じょう效こう應おう電でん晶あきら體からだ，還かえ會かい有ゆう一いち極きょく，稱しょう為ため體たい（body）。大部たいぶ份的場じょう效こう應おう電でん晶あきら體たい中ちゅう，體からだ（body）會かい和わ源げん極きょく相しょう連れん。

在ざい場じょう效こう應おう電でん晶あきら體たい中ちゅう，源みなもと汲極電でん流會りゅうかい流りゅう過か連接れんせつ源げん極ごく和わ汲極之の間あいだ的てき通どおり道どう，導通どうつう程度ていど會かい依よ閘極和わ源げん極きょく之の間あいだ的てき電壓でんあつ產さん生せい的てき電場でんじょう而定，因いん此可以利用りよう閘源極ごく電壓でんあつ控ひかえ制せい源げん汲極電流でんりゅう，做為一いち個こ簡單かんたん的てき開ひらき關せき。當とう閘源極ごく電壓でんあつV_gs變へん大だい時じ，若わかV_gs小しょう於臨界かい電壓でんあつV_T時とき，源みなもと汲極電流でんりゅうI_ds會かい指數しすう方式ほうしき增加ぞうか，若わかV_gs大だい於臨界かい電壓でんあつV_T時とき，源みなもと汲極電流でんりゅう和わ閘源極ごく電壓でんあつ會かい有ゆう以下いか的てき平方へいほう關係かんけい $I_{ds}\propto (V_{gs}-V_{T})^{2}$ ，其中V_T是ぜ臨界りんかい電壓でんあつ^[11]。不ふ過か在ざい一些現代的元件中，觀察かんさつ不ふ到いた上述じょうじゅつ的てき平方へいほう特性とくせい，像ぞう是ぜ65奈米及以下か通どおり道長みちなが度ど的てき元もと件けん^[12]。

場ば效こう應おう電でん晶あきら體からだ可か以分為ため兩りょう種たね：分別ふんべつ是ぜ結ゆい型がた場じょう效こう應おう管かん（JFET）及絕緣ぜつえん閘極場じょう效こう電でん晶あきら體からだ（IGFET），後者こうしゃ最さい常見つねみ的てき是ぜ金屬きんぞく氧化物ぶつ半導體はんどうたい場じょう效こう電でん晶あきら體からだ（MOSFET），其名稱めいしょう上じょう反映はんえい了りょう其原そのはら始はじめ以金屬ぞく（閘極）、氧化物ぶつ（絕緣ぜつえん層そう）及半導體はんどうたい組成そせい的てき架か構。結ゆい型がた場じょう效こう應おう電でん晶あきら體からだ在ざい源みなもと汲極之の間あいだ形成けいせい了りょうPN二に極きょく體たい。因よし此N通どおり道どう的てきJFET類似るいじ真空しんくう管かん的てき三極さんきょく管かん，兩者りょうしゃ也都是ぜ運うん作さく在ざい空そら乏とぼし區く，都と有高ありだか輸入ゆにゅう阻抗，也都用よう輸入ゆにゅう電壓でんあつ來らい控ひかえ制せい電流でんりゅう。

参まいり见

参考さんこう资料

引用いんよう

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書目しょもく

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施ほどこせ敏さとし; 伍ご國こく珏; 譯者やくしゃ：張ちょう鼎かなえ張ちょう、劉りゅう柏かしわ村むら. 半導體はんどうたい元もと件けん物理ぶつり學がく(下しも冊さつ). 臺灣たいわん: 國立こくりつ交通こうつう大學だいがく. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中ちゅう文ぶん）. （繁しげる體たい中ちゅう文ぶん）

外部がいぶ链接

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[1] The Nobel Prize in Physics 1956. Nobelprize.org. Nobel Media AB. [7 December 2014]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2014-12-18）.

[华伟周文定2002-2] 2.0 ^2.1 ^2.2 ^2.3 ^2.4 华伟; 周しゅう文ぶん定じょう. 现代电力电子器き件けん及其应用. 清きよし华大学がく出版しゅっぱん社しゃ有限ゆうげん公司こうし. 2002 [2014-05-19]. ISBN 978-7-81082-032-5. （原始げんし内容ないよう存そん档于2014-07-07）.

[3] Robert W. Price. Roadmap to Entrepreneurial Success. AMACOM Div American Mgmt Assn. 2004: 42. ISBN 978-0-8144-7190-6. ^{[失效しっこう連結れんけつ]}

[4] Milestones:Invention of the First Transistor at Bell Telephone Laboratories, Inc., 1947. IEEE Global History Network. IEEE. [3 August 2011]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2014-11-21）.

[5] FETs/MOSFETs: Smaller apps push up surface-mount supply 互联网档案あん馆的てき存そん檔，存そん档日期き2008-12-06.

[6] 科學かがく角度かくど看み音響おんきょう5：真空しんくう管かん、電でん晶あきら體からだ實み作さく差異さい性せい，電壓でんあつ、電流でんりゅう、電でん阻關係かんけい式しき. [2015-09-19]. （原始げんし内容ないよう存そん档于2015-06-07）.

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