C-V特性とくせい曲きょく线

C-V特性とくせい曲きょく线（电容电压特性とくせい曲きょく线）是ぜ用よう来らい测量半はん导体材料ざいりょう和わ器き件けん的てき一いち种方法ほう。当所とうしょ加か电压改あらため变时，电容被ひ测出。方法ほうほう是ぜ使用しよう金属きんぞく-半はん导体结（肖あやか特とく基もと势垒）或ある者ものPN结或ある者もの场效应管来らい得え到いた耗尽层（其中载流子こ被ひ全部ぜんぶ抽走，但ただし仍然有ゆう离子化か的てき施主せしゅ或ある晶あきら体からだ缺陷けっかん）。当とう电压改あらため变时，耗尽层深浅しんせん也发生せい变化。

应用

该测量りょう方法ほうほう可か以得到いた关于半はん导体掺杂，晶あきら体からだ缺陷けっかん之の类的特性とくせい。

金属きんぞく-氧化物ぶつ-半はん导体结构的てきC-V特性とくせい

金属きんぞく-氧化物ぶつ-半はん导体结构是ぜMOSFET的てき一いち部分ぶぶん，用よう来らい控ひかえ制せい晶あきら体からだ管かん沟道中なか势垒的てき高低こうてい。

对于一いち个n通どおり道どうMOSFET来らい说，该结构的工作こうさく特性とくせい可分かぶん为三さん个部分ぶぶん，分ふん别与右みぎ图对应：

累積るいせき區く (Accumulation region)

當とう施ほどこせ加か V_GB < 0 時とき，在ざいn區域くいき的てき表面ひょうめん會かい形成けいせい一いち個こp通どおり道どう。電でん洞ほら濃度のうど的てき增加ぞうか意味いみ著ちょ電でん容よう增加ぞうか，如附圖ずC-V曲線きょくせん左側ひだりがわ部分ぶぶん所しょ示しめせ。

空そら乏とぼし區く(Depletion region)

當とう一いち個こ小しょう的てき正せい電壓でんあつV_GB > 0施ほどこせ加か在ざい閘極與あずか基もと極端きょくたん（如圖）時じ，價あたい帶たい邊あたり緣えん被ひ推離費ひ米まい能のう階かい，此時基體きたい的てき電でん洞ほら遠とお離はなれ閘極, 電でん洞ほら濃度のうど減少げんしょう，造成ぞうせい低てい載の子こ濃度のうど, 此時電でん容よう變へん低ひく（如C-V曲線きょくせん中間なかま所しょ示しめせ）。

反轉はんてん區く(Inversion region)

當とうV_GB > 0 且夠強きょう時じ，接近せっきん閘極端はし的てき電子でんし濃度のうど會かい超過ちょうか電でん洞ほら。這個在ざいp-type半導體はんどうたい中ちゅう，電子でんし濃度のうど（帶おび負ふ電荷でんか）超過ちょうか電でん洞ほら（帶おび正せい電荷でんか）濃度のうど的てき區域くいき，便びん是ぜ所謂いわゆる的てき反轉はんてん層そう（inversion layer），如C-V曲きょく线右侧所示しめせ。

MOS電でん容よう的てき特性とくせい決定けってい了りょう金きん氧半場じょう效こう電でん晶あきら體からだ的てき操作そうさ特性とくせい，但ただし是ぜ一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數たすう載の流りゅう子こ（majority carrier）的てき源げん極ごく以及接受せつじゅ這些多數たすう載の子こ的てき汲極。

参考さんこう文献ぶんけん

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