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SDRAM

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PC-100规格てきSDRAM

SDRAMどう动态ずいつくえそんそん储器えい语:synchronous dynamic random-access memory),いち利用りようどう计时对存储器てき输出入信にゅうしんごう以控せいてき动态ずいつくえそん储器(DRAM)。SDRAMざいDRAMてき构基础上增加ぞうかどうそう区域くいき(Dual Bank)てきこうのう使つかいとくほろ处理のうあずかSDRAMてき时钟どう所以ゆえんSDRAM执行命令めいれい传输资料时相较于DRAM以节しょうさら时间[1]

SDRAMざい计算つくえちゅう广泛使用しよう,从起はつてきSDRAMいたこれきさきいちだいてきDDR(あるしょうDDR1),しかきさきDDR2DDR3进入だい众市场,2015ねん开始DDR4进入しょう费市场。

SDRAM历史

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たいしき电脑ようてきDDR, DDR2, DDR3DDR4てきぬのきょく

つきかんSDRAMてき概念がいねんいたりしょう从20せい纪70年代ねんだい就已经被じん们所じゅく悉,ざい早期そうきてきIntel处理じょう也已さいようただしよう说到它在电子こう业被广泛接受せつじゅ从1993ねんざい开始てき。1993ねん三星みつぼし开始展示てんじ其新出品しゅっぴんてきKM48SL2000 SDRAM,いた2000ねん,SDRAMいん为其卓越たくえつてき性能せいのう,实际じょうだいりょう其它类型てきDRAMざい现代电脑ちゅうてき位置いち

SDRAM本身ほんみてきのべ迟其实并DRAMさらひくのべ迟更ていゆび速度そくどさらかい)。其实,早期そうきてきSDRAMいん为其构造ちゅうてき附加ふか逻辑单元,ざい速度そくどうえどう时期てきばく发式延伸えんしんすうすえ输出DRAM(Burst EDO DRAM)还有しょ及。而SDRAMてきないけん缓冲则可以使とく运算交叉こうさ进入おおゆきそんもうか,这样就可以有效ゆうこうひさげだか带宽,速度そくどさらこころよ

时至今日きょう所有しょゆうてきSDRAM实际うえあきらJEDEC(一个电子工业联盟,选定开放てき标准,使つかい电子组件てき互容せいさらこのみ)制定せいていてき标准せいづくりJEDEC于1993ねん正式せいしきさいよう其第いち个有关SDRAMてき标准,ずいきさき其它SDRAMてき标准,包括ほうかつりょうDDRDDR2DDR3 SDRAM。

时至2012ねん,168-pin(pinゆびないそん插入そうにゅう实际接触せっしょくてききん手指しゅし数量すうりょう)てきSDRAMそう线内そん块(DIMM)ざいしんてき个人计算机上きじょうやめ经不さい使用しよう大量たいりょうてき184-pinてきDDRそん储器代替だいたいざいしんてき个人计算つくえDDR2 SDRAMまたやめ普遍ふへんがわDDR SDRAM,ただし目前もくぜん支持しじDDR3てきしゅいたそん储器DDR2 SDRAMさら广泛使用しようなり为主りゅう所以ゆえんDDR3目前もくぜんてき价格主流しゅりゅうてきDDR2产品便宜べんぎりょうしょう

如今世界せかいゆうさんきょうSDRAM颗粒せいづくりしょう:韩国てき三星みつぼし电子(Samsung Electronics)かずうみ力士りきし(Hynix),及美こくてき美光びこう科技かぎ(Micron Technology)。三者さんしゃ垄断ちょう过90%てきぜんたま场,包括ほうかつPC RAM、つくえRAM伺服RAM。[2] 另外,以上いじょう三间公司及日本东芝また垄断りょうぜんたま90%てきNAND闪存场,这种そん储器主要しゅようようらいせいづくりSD卡SSD[3]

SDRAM时序

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ゆう几个DRAM性能せいのうてき极限,さい有名ゆうめいてき就是读取周期しゅうき时间,ゆび对一个开放的行进行连续读操作之间的间隔。这个时间从100MHZ频率てきSDRAMてき10纳秒缩减为DDR-400てき5纳秒,ただし从DDR2-800DDR3-1600就保持ほじしょう对不变。しか而,つう操作そうさせっこう电路,使つかい基本きほん读取速度そくどなりばいひさげだか实现带宽てき迅速じんそく增加ぞうか

另一个极げんCASとうまち时间,ゆび提供ていきょう一个地址与接受到相关数据之间的间隔。这个也保持ほじりょうしょう对稳じょう最近さいきん几代DDR SDRAMてき这个すうすえ为10-15纳秒。 ざい操作そうさじょう,对DRAMひかえせいらい说CAS latencyいち个已知的ちてきclock cycles特定とくてい数字すうじ, 这数字すうじかいとう录在SDRAMしきちゅうさつひょうちゅう.ざい时钟そくりつ很快てきじょう况下,CASとうまち时间しょう对的时钟周期しゅうきすう自然しぜん就会增加ぞうか。10-15纳秒对200MHZ时钟频率てきDDR-400 SDRAM就是2-3个周,对DDR2-800就是4-6个周,DDR3-1600就是8-12个周较慢てき时钟周期しゅうき,CASとうまち时间しょう对的周期しゅうき数也かずやかい较少。

100MHzてきSDRAMあきらへんだいいち现时,ゆう些制づくりしょう开始贩卖“100 MHz”てき块,而这些模块是不能ふのうざい个时钟频りつ正常せいじょう工作こうさくてきゆう鉴于此,Intel发布りょうPC100てき标准,描述りょう具体ぐたい要求ようきゅう,为生产能ざい100MHz频率工作こうさくてきないそん提供ていきょうりょうゆび引。这个标准かげ响深远,“PC100”这个术语很快なりりょう100MHz SDRAM块的通用つうよう标识。如今,かたぎ通常つうじょうかんむり以“PC”为前缀的いち数字すうじてき名称めいしょう(PC66、PC100あるものPC133—つきかん数字すうじ代表だいひょうてき实际含义就不其原そのはらゆうてき)。[4]

单资りょうりゅうSDRAM

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64 MB おんこうそん储器于 Sound Blaster X-Fiこえ霸卡じょうようりょう两颗 Micron 48LC32M8A2-75 C SDRAM てき 133 MHz (7.5 ns) 8-bit あきらへん [5]

单资りょうりゅうSDRAM(SDR SDRAM)视最はやてきSDRAM,单资りょうりゅうSDRAMざいまい个时钟可以接收せっしゅう一个指令和传输一个字节。典型てんけいてき时钟为66、100133MHz(周期しゅうきぶん别为15、107.5纳秒)时钟到150MHzてき则可よう性能せいのうてき发烧ともあきらかたゆう不同ふどうてきすうすえ总线宽度(さいつね见的4、8ある16bits),ただしあきらかた一般いっぱん做成168-pinてきDIMM块,以同时读うつし64bits(ECC)ある72bits(ECC)。 [6] かずすえ总线てきそんつくえせい很复杂,需要じゅよういち个复杂的DRAMひかえせい。这是いん为写にゅうDRAMてきすうすえ必需ひつじゅ一个写入指令在同一个时钟中,而读取すうすえ以在读取指令しれいきさきてき2いた3个时钟进ぎょう。DRAMひかえせい必须确保すうすえ总线会同かいどう时进ぎょう读写。

SDRAM操作そうさ

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いち个512MBてきSDRAM DIMMそん储器かたぎ一般いっぱんよし8个到9个SDRAMあきらかた组成,まい个晶へんつつみ含有がんゆう512Mbitてきそん储空间,まい颗晶へん为模块的总线提供ていきょうりょう8个bitてき宽度。いち个典がたてき512Mbit SDRAMあきらへん内部ないぶ包含ほうがんりょう4个独立どくりつてき16Mbyte大小だいしょうてき库。まい个库ゆう8,192ぎょう,16,384bits。一个库或者处于空闲状态、せわしろくじょう态,あるものかい于两しゃじょう态之间。[7][8]

一个激活指令会将一个空闲状态的库激活。它占よう2-bitてき库地(BA0–BA1)13-bitてき行地ゆくじ(A0–A12),しかきさきはた一行读取入有着16,384个读大器たいきてき库的队列。这也しょう为“开启”ぎょう

ただゆう该行やめげきかつあるもの“开启”,读写指令しれいざい以进ぎょうまい指令しれい需要じゅよういち个列ただしいん为每个晶へんどう时能处理8-bit,いん此有2048个可能かのうてきれつ过只需要じゅよう11个地ぎょう(A0–A9, A11)。げきかつ需要じゅよういち最小さいしょう周期しゅうきしょう为行いたれつのべ迟,あるものtRCD[9]

まいり

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参考さんこう资料

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  1. ^ SDRAM. 大安たいあんだかこう电子. [2021-02-14]. (原始げんし内容ないようそん于2020-01-30). 
  2. ^ DRAMさんきょう鼎立ていりつだいしゃつねだい趨勢すうせい確立かくりつ. HKEPC. [2013-08-31]. (原始げんし内容ないようそん于2013-03-13). 
  3. ^ 擠下美光びこう,SKうみ力士りきしおどきょぜんたまだいさんだいNANDあきらへんしょう. chinatimes. [2013-08-31]. [永久えいきゅう失效しっこう链接]
  4. ^ そん副本ふくほん. [2011-06-08]. (原始げんし内容ないようそん于2011-05-20). 
  5. ^ SDRAM Part Catalog. [2009-09-25]. (原始げんし内容ないようそん档于2007-11-23).  070928 micron.com
  6. ^ DDR4 PDF page 23 (PDF). [2009-09-25]. (原始げんし内容ないよう (PDF)そん档于2010-04-01). 
  7. ^ Looking forward to DDR4. [2009-09-25]. (原始げんし内容ないようそん档于2009-04-02). 
  8. ^ DDR3 successor. [2009-09-25]. (原始げんし内容ないようそん于2008-12-20). 
  9. ^ IDF: DDR4 memory targeted for 2012. hardware-infos.com. [2009-06-16]. (原始げんし内容ないようそん档于2009-07-13) とく语).  English translation页面そん档备份そん互联网档あん