對 たい 極性 きょくせい 分子 ぶんし 形成 けいせい 的 てき 介 かい 電 でん 質 しつ 假設 かせつ 施 ほどこせ 加 か 外 がい 電場 でんじょう 種 しゅ 介 かい 電 でん 質 しつ 則 のり 會 かい 出現 しゅつげん 取 と 向 こう 極 きょく 化 か 現象 げんしょう 在 ざい 電磁 でんじ 學 がく 裏 うら 介 かい 電 でん 質 しつ 響 ひびき 應 おう 外電 がいでん 場 じょう 的 てき 施 ほどこせ 加 か 電極 でんきょく 化 か 的 てき 稱 たたえ 為 ため 電 でん 容 よう 率 りつ 在 ざい 非 ひ 真空 しんくう 中 ちゅう 由 よし 電 でん 質 しつ 被 ひ 電極 でんきょく 化 か 在 ざい 物質 ぶっしつ 的 てき 總 そう 電場 でんじょう 會 かい 減 げん 小 しょう 電 でん 容 よう 率 りつ 關係 かんけい 到 いた 介 かい 電 でん 質 しつ 傳 でん 或 ある 容 よう 許 もと 電場 でんじょう 的 てき 能力 のうりょく 電 でん 容 よう 率 りつ 電場 でんじょう 影響 えいきょう 介 かい 電 でん 質 しつ 被 ひ 介 かい 電 でん 質 しつ 影響 えいきょう 電 でん 容 よう 率 りつ 又 また 稱 たたえ 為 ため 絕對 ぜったい 電 でん 容 よう 率 りつ
在 ざい 國際 こくさい 單位 たんい 制 せい 中 ちゅう 電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 測量 そくりょう 單位 たんい 是 ぜ 法 ほう 拉 ひしげ 每 まい 公 おおやけ 尺 じゃく 真空 しんくう 的 まと 電 でん 容 よう 率 りつ 稱 たたえ 為 ため 真 ま 空電 くうでん 容 よう 率 りつ 或 ある 真空 しんくう 介 かい 電 でん 常數 じょうすう 標記 ひょうき 為 ため
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
≈8.854187817…×10⁻¹² F/m 。
概念 がいねん [ 编辑 ] 電位 でんい 移 うつり
D
{\displaystyle \mathbf {D} }
的 てき 定義 ていぎ 式 しき 為 ため
D
=
def
ε いぷしろん
0
E
+
P
{\displaystyle \mathbf {D} \ {\stackrel {\text{def}}{=}}\ \varepsilon _{0}\mathbf {E} +\mathbf {P} }
其中，
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
是 ぜ 電場 でんじょう
P
{\displaystyle \mathbf {P} }
是 これ 電極 でんきょく 化 か 強度 きょうど
對 たい 均 ひとし 向性 こうせい 的 てき 線 せん 性 せい 的 てき 均 ひとし 電 でん 質 しつ 電極 でんきょく 化 か 強度 きょうど
P
{\displaystyle \mathbf {P} }
與 あずか 電場 でんじょう
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
成 なり 正 せい 比 ひ
P
=
χ かい
e
ε いぷしろん
0
E
{\displaystyle \mathbf {P} =\chi _{\text{e}}\varepsilon _{0}\mathbf {E} }
其中，
χ かい
e
{\displaystyle \chi _{\text{e}}}
是 これ 電極 でんきょく 化 か 率 りつ
所以 ゆえん 電位 でんい 移 うつり 與 あずか 電場 でんじょう 的 てき 關係 かんけい 方程式 ほうていしき 為 ため
D
=
ε いぷしろん
E
{\displaystyle \mathbf {D} =\varepsilon \mathbf {E} }
其中，
ε いぷしろん
{\displaystyle \varepsilon }
是 ぜ 電 でん 容 よう 率 りつ
假 かり 若 わか 介 かい 電 でん 質 しつ 是 ぜ 異 い 向性 こうせい 的 てき 則 のり 電 でん 容 よう 率 りつ 是 ぜ 一 いち 個 こ 二 に 階 かい 張 ちょう 量 りょう 可用 かよう 矩 のり 陣 じん 來 らい 表示 ひょうじ
一般 いっぱん 電 でん 容 よう 率 りつ 不 ふ 是 ぜ 常數 じょうすう 可 か 著 ちょ 在 ざい 介 かい 電 でん 質 しつ 位置 いち 改變 かいへん 隨 ずい 著 ちょ 電場 でんじょう 的 てき 頻 しき 率 りつ 溼度 、溫度 おんど 或 ある 參 さん 數 すう 改變 かいへん 對 たい 電 でん 容 よう 率 りつ 有可 ゆか 能會 のうかい 隨 ずい 著 ちょ 電場 でんじょう 強度 きょうど 改變 かいへん 當 とう 電 でん 容 よう 率 りつ 是 ぜ 頻 しき 率 りつ 的 てき 函數 かんすう 時 じ 數 すう 可能 かのう 是 ぜ 實數 じっすう 也有 やゆう 可能 かのう 是 ぜ 複數 ふくすう
真 ま 空電 くうでん 容 よう 率 りつ [ 编辑 ] 真 ま 空電 くうでん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
的 てき 意義 いぎ 是 ぜ 電位 でんい 移 うつり
D
0
{\displaystyle D_{0}}
與 あずか 電場 でんじょう
E
0
{\displaystyle E_{0}}
在 ざい 真空 しんくう 裏 うら 的 てき 比 ひ 的 てき 定義 ていぎ 式 しき
ε いぷしろん
0
=
def
1
c
2
μ みゅー
0
=
1
35950207149.4727056
π ぱい
{\displaystyle \varepsilon _{0}\ {\stackrel {\text{def}}{=}}\ {\frac {1}{{c}^{2}\mu _{0}}}={\frac {1}{35950207149.4727056\pi }}}
F /m
≈
8.854187817...
×
10
−
12
{\displaystyle \approx 8.854187817...\times 10^{-12}}
F /m 其中，
c
{\displaystyle c}
是 これ 光波 こうは 在 ざい 真空 しんくう 中 ちゅう 的 てき 光速 こうそく [1]
μ みゅー
0
{\displaystyle \mu _{0}}
是 これ 真空 しんくう 率 りつ 真空 しんくう 率 りつ 的 てき 定義 ていぎ
μ みゅー
0
=
4
π ぱい ×
10
−
7
{\displaystyle \mu _{0}=4\pi \times 10^{-7}}
T ·m /A 。
在 ざい 國際 こくさい 單位 たんい 制 せい 裡 うら 常數 じょうすう
c
{\displaystyle c}
和 わ
μ みゅー
0
{\displaystyle \mu _{0}}
都 みやこ 是 ただし 準 じゅん 確 かく 參 まいり NIST （页面存 そん ，存 そん 互联网档案 あん ））。所以 ゆえん 關 せき 尺 じゃく 或 ある 安 やす 培 つちかえ 物理 ぶつり 量 りょう 單位 たんい 的 てき 數 すう 設定 せってい 不能 ふのう 採用 さいよう 定義 ていぎ 方式 ほうしき 必須 ひっす 設計 せっけい 精密 せいみつ 的 てき 實驗 じっけん 來 らい 測量 そくりょう 計算 けいさん 求 もとめ 得 う 由 よし
π ぱい
{\displaystyle \pi }
是 これ 個 こ 無理 むり 數 すう
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
的 てき 數 すう 能 のう 近似 きんじ 表示 ひょうじ
真 ま 空電 くうでん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{0}}
出現 しゅつげん 庫 くら 定律 ていりつ 是 ぜ 庫 くら 數 すう
k
=
1
4
π ぱい
ε いぷしろん
0
{\displaystyle k={\frac {1}{4\pi \varepsilon _{0}}}}
的 てき 一部 いちぶ 所以 ゆえん 庫 くら 數 すう
k
{\displaystyle k}
一 いち 個 こ 準 じゅん 確 かく
對 たい 性 せい 介 かい 質 しつ 電 でん 容 よう 率 りつ 與 あずか 真 ま 空電 くうでん 容 よう 率 りつ 的 てき 比率 ひりつ 稱 たたえ 為 ため 相對 そうたい 電 でん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん
r
{\displaystyle \varepsilon _{\text{r}}}
ε いぷしろん
r
=
ε いぷしろん
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon _{\text{r}}={\frac {\varepsilon }{\varepsilon _{0}}}}
請注意 ちゅうい 式 しき 只 ただ 有 ゆう 在 ざい 靜止 せいし 的 てき 零 れい 頻 しき 率 りつ 的 てき 狀況 じょうきょう 才 ざい 成立 せいりつ
對 たい 各 かく 向 こう 異性 いせい 材料 ざいりょう 相對 そうたい 電 でん 容 よう 率 りつ 是 これ 個 こ 張 ちょう 量 りょう 對 たい 各 かく 向 こう 同性 どうせい 材料 ざいりょう 相對 そうたい 電 でん 容 よう 率 りつ 是 これ 個 こ 標 しるべ 量 りょう
介 かい 質的 しつてき 電 でん 容 よう 率 りつ [ 编辑 ] 對 たい 見 み 的 てき 案 あん 例 れい 均 ひとし 向性 こうせい 介 かい 質 しつ
D
{\displaystyle \mathbf {D} }
和 わ
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
是 ぜ 平行 へいこう 的 てき 向 むこう 量 りょう 電 でん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん
{\displaystyle \varepsilon }
是 ぜ 會 かい 造成 ぞうせい 雙 そう 折 おり 射 しゃ 的 てき 二 に 階 かい 張 ちょう 量 りょう 介 かい 質的 しつてき 電 でん 容 よう 率 りつ 和 わ 磁導率 りつ
μ みゅー
{\displaystyle \mu }
共同 きょうどう 地 ち 決定 けってい 了 りょう 電磁波 でんじは 通過 つうか 介 かい 質 しつ 時 じ 的 てき 相 あい 速度 そくど
v
p
{\displaystyle v_{\text{p}}}
ε いぷしろん μ みゅー =
1
v
p
2
{\displaystyle \varepsilon \mu ={\frac {1}{v_{\text{p}}^{2}}}}
對 たい 性 せい 介 かい 電 でん 質 しつ 電極 でんきょく 化 か 強度 きょうど
P
{\displaystyle \mathbf {P} }
與 あずか 電場 でんじょう
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
成 なり 正 せい 比 ひ
P
=
χ かい
e
ε いぷしろん
0
E
{\displaystyle \mathbf {P} =\chi _{\text{e}}\varepsilon _{0}\mathbf {E} }
將 はた 方程式 ほうていしき 代入 だいにゅう 電位 でんい 移 うつり 的 てき 定義 ていぎ 式 しき 可 か 到 いた 電位 でんい 移 うつり 與 あずか 電場 でんじょう 的 てき 關係 かんけい 式 しき
D
=
(
1
+
χ かい
e
)
ε いぷしろん
0
E
{\displaystyle \mathbf {D} =(1+\chi _{\text{e}})\varepsilon _{0}\mathbf {E} }
所以 ゆえん 電 でん 容 よう 率 りつ 與 あずか 電極 でんきょく 化 か 率 りつ 的 てき 關係 かんけい 式 しき 為 ため
ε いぷしろん =
(
1
+
χ かい
e
)
ε いぷしろん
0
{\displaystyle \varepsilon =(1+\chi _{\text{e}})\varepsilon _{0}}
複 ふく 容 よう 率 りつ [ 编辑 ] 涵蓋寬 ひろし 廣 こう 頻 しき 域 いき 的 てき 介 かい 電 でん 質的 しつてき 電 でん 容 よう 率 りつ 頻 しき 譜 ふ
ε いぷしろん ′
{\displaystyle \varepsilon '}
和 わ
ε いぷしろん ″
{\displaystyle \varepsilon ''}
分別 ふんべつ 標記 ひょうき 電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 實 じつ 虛 きょ 圖 ず 標示 ひょうじ 了 りょう 幾 いく 種 しゅ 電極 でんきょく 化 か 機 き 制 せい 離 はなれ 子 こ 導 しるべ 電 でん 取 と 向 こう 極 きょく 化 か 原子 げんし 極 きょく 化 か 電子 でんし 極 きょく 化 か [2] 一般物質對於含時外電場的響應，跟真空 しんくう 的 てき 響 ひびき 應 おう 大 だい 不 ふ 相 あい 同 どう 一般 いっぱん 物質 ぶっしつ 的 てき 響 ひびき 應 おう 通常 つうじょう 電場 でんじょう 的 てき 頻 しき 率 りつ 有 ゆう 關 せき 性 せい 反映 はんえい 出 で 一 いち 個 こ 事實 じじつ 那 な 由 ゆかり 物質 ぶっしつ 具有 ぐゆう 質量 しつりょう 物質 ぶっしつ 的 てき 電極 でんきょく 化 か 響 ひびき 應 おう 無法 むほう 瞬時 しゅんじ 的 てき 外電 がいでん 場 じょう 響 ひびき 應 おう 總 そう 是 ぜ 必需 ひつじゅ 合 あい 因果 いんが 關係 かんけい 求 もとめ 可 か 相 そう 位 い 差 さ 來 らい 表 ひょう 達 たち 因 よし 電 でん 容 よう 率 りつ 時 じ 常 つね 函數 かんすう 來 らい 表 ひょう 達 たち 複數 ふくすう 允許 いんきょ 同 どう 步 ふ 的 てき 設定 せってい 大小 だいしょう 相 しょう 位 い 複 ふく 函數 かんすう 的 てき 參 まいり 數 すう 為 ため 外 がい 電場 でんじょう 頻 しき 率 りつ
ω おめが
{\displaystyle \omega }
ε いぷしろん →
ε いぷしろん ^
(
ω おめが )
{\displaystyle \varepsilon \rightarrow {\widehat {\varepsilon }}(\omega )}
電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 關係 かんけい 式 しき 為 ため
D
0
e
−
i
ω おめが t
=
ε いぷしろん ^
(
ω おめが )
E
0
e
−
i
ω おめが t
{\displaystyle D_{0}\mathrm {e} ^{-\mathrm {i} \omega t}={\widehat {\varepsilon }}(\omega )E_{0}\mathrm {e} ^{-\mathrm {i} \omega t}}
其中，
D
0
{\displaystyle D_{0}}
和 わ
E
0
{\displaystyle E_{0}}
分別 ふんべつ 是 ぜ 電位 でんい 移 うつり 和 わ 電場 でんじょう 的 てき 振幅 しんぷく
請注意 ちゅうい 時間 じかん 相關 そうかん 性 せい 項目 こうもく 的 てき 正負 せいふ 號 ごう 選擇 せんたく 指數 しすう 函數 かんすう 的 てき 指數 しすう 的 てき 正負 せいふ 號 ごう 決定 けってい 了 りょう 電 でん 容 よう 率 りつ 虛 きょ 正負 せいふ 號 ごう 常 つね 規 ぶんまわし 在 ざい 採用 さいよう 的 てき 正負 せいふ 號 ごう 慣用 かんよう 物理 ぶつり 學 がく 在 ざい 工程 こうてい 學 がく 裏 うら 必須 ひっす 逆 ぎゃく 反 はん 所有 しょゆう 虛 きょ 正負 せいふ 號 ごう
一個介電質對於靜電場的響應，是 ぜ 由 よし 電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 低 てい 頻 しき 率 りつ 極限 きょくげん 來 らい 又 また 稱 たたえ 為 ため 靜 せい 電 でん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん
s
{\displaystyle \varepsilon _{\text{s}}}
ε いぷしろん
s
=
lim
ω おめが →
0
ε いぷしろん ^
(
ω おめが )
{\displaystyle \varepsilon _{\text{s}}=\lim _{\omega \rightarrow 0}{\widehat {\varepsilon }}(\omega )}
在高 ありだか 頻 しき 率 りつ 極限 きょくげん 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ 一般 いっぱん 標記 ひょうき 為 ため
ε いぷしろん
∞
{\displaystyle \varepsilon _{\infty }}
當 とう 頻 しき 率 りつ 等 とう 超過 ちょうか 電 でん 率 りつ plasma frequency ）時 じ 介 かい 電 でん 質的 しつてき 物理 ぶつり 行為 こうい 近似 きんじ 理想 りそう 金屬 きんぞく 可 か 自由 じゆう 電子 でんし 模型 もけい 來 らい 計算 けいさん 對 たい 頻 しき 率 りつ 交流 こうりゅう 電場 でんじょう 靜 せい 電 でん 容 よう 率 りつ 是 これ 個 こ 的 てき 近似 きんじ 隨 ずい 著 ちょ 頻 しき 率 りつ 的 てき 增 ぞう 高 だか 可 か 測量 そくりょう 到 いた 的 てき 相 しょう 位 い 差 さ
δ でるた
{\displaystyle \delta }
開始 かいし 出現 しゅつげん
D
{\displaystyle \mathbf {D} }
和 わ
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
之 これ 間 あいだ 出現 しゅつげん 時候 じこう 的 てき 頻 しき 率 りつ 溫度 おんど 介 かい 質 しつ 種類 しゅるい 有 ゆう 關 せき 在中 ざいちゅう 等 とう 的 てき 電場 でんじょう 強度 きょうど
E
0
{\displaystyle E_{0}}
狀況 じょうきょう
D
{\displaystyle \mathbf {D} }
和 わ
E
{\displaystyle \mathbf {E} }
保 ほ 持成 もてなし 正 せい 比 ひ
ε いぷしろん ^
=
D
0
E
0
e
i
δ でるた
=
|
ε いぷしろん
|
e
i
δ でるた
{\displaystyle {\widehat {\varepsilon }}={\frac {D_{0}}{E_{0}}}\mathrm {e} ^{\mathrm {i} \delta }=|\varepsilon |\mathrm {e} ^{\mathrm {i} \delta }}
由 よし 質 しつ 對 たい 交流 こうりゅう 電場 でんじょう 的 てき 響 ひびき 應 おう 特徵 とくちょう 是 ぜ 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ 為 ため 了 りょう 更 さら 詳細 しょうさい 的 てき 分析 ぶんせき 物理 ぶつり 性質 せいしつ 自然 しぜん 地 ち 必須 ひっす 分離 ぶんり 數 すう 和 わ 虛 きょ 通常 つうじょう 寫 うつし 為 ため
ε いぷしろん ^
(
ω おめが )
=
ε いぷしろん ′
(
ω おめが )
−
i
ε いぷしろん ″
(
ω おめが )
=
D
0
E
0
(
cos
δ でるた −
i
sin
δ でるた
)
{\displaystyle {\widehat {\varepsilon }}(\omega )=\varepsilon '(\omega )-\mathrm {i} \varepsilon ''(\omega )={\frac {D_{0}}{E_{0}}}\left(\cos \delta -\mathrm {i} \sin \delta \right)}
其中，虛 きょ
ε いぷしろん ″
{\displaystyle \varepsilon ''}
關係 かんけい 到 いた 能 のう 量的 りょうてき
ε いぷしろん ′
{\displaystyle \varepsilon '}
則 のり 關係 かんけい 到 いた 能 のう 量的 りょうてき 儲 もうか 存 そん
由 よし 電 でん 容 よう 率 りつ 是 ぜ 色 いろ 散 ち 現象 げんしょう 的 てき 疊 たたみ 加 か 述 じゅつ 必須 ひっす 能 のう 色 しょく 散 ち 現象 げんしょう 因 よし 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ 通常 つうじょう 會 かい 是 ぜ 一 いち 個 こ 相當 そうとう 複雜 ふくざつ 的 てき 參 まいり 數 すう 為 ため 頻 しき 率 りつ 的 てき 函數 かんすう 稱 しょう 為 ため 介 かい 電 でん 函數 かんすう 電 でん 容 よう 率 りつ
ε いぷしろん ^
{\displaystyle {\widehat {\varepsilon }}}
的 てき 極點 きょくてん 必須 ひっす 匹 ひき 配 はい 虛 きょ 正 せい 頻 しき 率 りつ 因 いん 滿足 まんぞく 克 かつ 拉 ひしげ 克 かつ 若 わか 尼 あま 關係 かんけい 式 しき 但 ただし 是 ぜ 在 ざい 電 でん 容 よう 率 りつ 可 か 近似 きんじ 為 ため 率 りつ 無關 むせき 或 ある 者 もの 適當 てきとう 的 てき 模型 もけい 函數 かんすう 為 ため 近似 きんじ
物質 ぶっしつ 分類 ぶんるい [ 编辑 ] 依據 いきょ 電 でん 容 よう 率 りつ 和 わ 電導 でんどう 率 りつ
σ しぐま
{\displaystyle \sigma }
物質 ぶっしつ 可 か 為 ため 三 さん 類 るい 導體 どうたい 介 かい 電 でん 質 しつ 一般 いっぱん 介 かい 質 しつ 高 こう 損耗 そんこう 物質 ぶっしつ 會 かい 抑制 よくせい 電磁波 でんじは 的 てき 傳播 でんぱ 通常 つうじょう 物質 ぶっしつ 的 てき
σ しぐま
ω おめが ε いぷしろん
≫
1
{\displaystyle {\frac {\sigma }{\omega \varepsilon }}\gg 1}
可 か 視 し 為 ため 優良 ゆうりょう 導體 どうたい 無 む 損耗 そんこう 或 ある 低 てい 損耗 そんこう 物質 ぶっしつ
σ しぐま
ω おめが ε いぷしろん
≪
1
{\displaystyle {\frac {\sigma }{\omega \varepsilon }}\ll 1}
可 か 視 し 為 ため 介 かい 電 でん 質 しつ 不 ふ 包括 ほうかつ 在 ざい 種 しゅ 限 げん 制 せい 物質 ぶっしつ 被 ひ 分類 ぶんるい 為 ため 一般 いっぱん 介 かい 質 しつ 完 かん 美 び 介 かい 電 でん 質 しつ 是 ぜ 電導 でんどう 率 りつ 等 とう 的 てき 物質 ぶっしつ 通常 つうじょう 只 ただ 允許 いんきょ 有 ゆう 小量 しょうりょう 的 てき 位 い 移 うつり 電流 でんりゅう 存在 そんざい 物質 ぶっしつ 儲 もうか 存 そん 和 わ 歸還 きかん 電 でん 能 のう 的 てき 性質 せいしつ 像 ぞう 理想 りそう 電 でん 容器 ようき 一樣 いちよう
高 こう 損耗 そんこう 介 かい 質 しつ [ 编辑 ] 對 たい 損耗 そんこう 介 かい 質 しつ 案 あん 例 れい 當 とう 傳導 でんどう 電流 でんりゅう 不能 ふのう 被 ひ 忽 ゆるがせ 略 りゃく 時 じ 總 そう 電流 でんりゅう 密度 みつど
J
tot
{\displaystyle J_{\text{tot}}}
是 これ
J
tot
=
J
c
+
J
d
=
σ しぐま E
−
i
ω おめが ε いぷしろん E
=
−
i
ω おめが
ε いぷしろん ^
E
{\displaystyle J_{\text{tot}}=J_{\text{c}}+J_{\text{d}}=\sigma E-\mathrm {i} \omega \varepsilon E=-\mathrm {i} \omega {\widehat {\varepsilon }}E}
其中，
J
c
{\displaystyle J_{c}}
是 ぜ 傳導 でんどう 電流 でんりゅう 密度 みつど
J
d
{\displaystyle J_{d}}
是 ぜ 位 い 移 うつり 電流 でんりゅう 密度 みつど
σ しぐま
{\displaystyle \sigma }
是 ぜ 介 かい 質 しつ 的 てき 電導 でんどう 率 りつ
ε いぷしろん
{\displaystyle \varepsilon }
是 ぜ 介 かい 質 しつ 電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 實 じつ 部分 ぶぶん
ε いぷしろん ^
{\displaystyle {\widehat {\varepsilon }}}
是 ぜ 介 かい 質 しつ 的 てき 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ
位 い 移 うつり 電流 でんりゅう 電場 でんじょう
E
{\displaystyle E}
的 てき 頻 しき 率 りつ
ω おめが
{\displaystyle \omega }
有 ゆう 關 せき 假 かり 若 わか 外電 がいでん 場 じょう 是 これ 個 こ 靜 せい 電場 でんじょう 則 のり 位 い 移 うつり 電流 でんりゅう 等 とう
採用 さいよう 式 しき 論 ろん 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ 定義 ていぎ 為 ため
ε いぷしろん ^
=
ε いぷしろん −
i
σ しぐま ω おめが
{\displaystyle {\widehat {\varepsilon }}=\varepsilon -\mathrm {i} {\frac {\sigma }{\omega }}}
通常 つうじょう 介 かい 電 でん 質 しつ 對 たい 量 りょう 有 ゆう 幾 いく 種 しゅ 不同 ふどう 的 てき 吸收 きゅうしゅう 機 き 制 せい 種 しゅ 吸收 きゅうしゅう 機 き 制 せい 的 てき 影響 えいきょう 隨 ずい 著 ちょ 頻 しき 率 りつ 的 てき 改變 かいへん 電 でん 容 よう 率 りつ 函數 かんすう 的 てき 樣子 ようす 有 ゆう 所 しょ 改變 かいへん 例 れい 壓 あつ 電材 でんざい 料 りょう
弛 たゆ 豫 よ relaxation ）效 こう 應 おう 發生 はっせい 永久 えいきゅう 分子 ぶんし 和 わ 感應 かんおう 分子 ぶんし 當 とう 頻 しき 率 りつ 的 てき 時候 じこう 電場 でんじょう 的 てき 變化 へんか 允許 いんきょ 子 こ 足 あし 時間 じかん 對 たい 任意 にんい 時候 じこう 的 てき 電場 でんじょう 都 と 能 のう 達成 たっせい 平衡 へいこう 狀態 じょうたい 假 かり 若 わか 因 いん 為 ため 介 かい 質 しつ 的 てき 黏滞性 せい ，偶極子 こ 無法 むほう 頻 しき 率 りつ 的 てき 電場 でんじょう 電場 でんじょう 能 のう 量 りょう 被 ひ 吸收 きゅうしゅう 由 ゆかり 量 りょう 子 こ 的 てき 弛 たゆ 豫 よ 機 き 制 せい 稱 たたえ 為 ため 介 かい 電 でん 質 しつ 弛 たゆ 豫 よ dielectric relaxation ）。理想 りそう 子 こ 的 てき 弛 たゆ 豫 よ 機 き 制 せい 可 か 經典 きょうてん 的 てき 德 とく 拜 はい 弛 たゆ 豫 よ Debye relaxation ）來 らい 共振 きょうしん 效 こう 應 おう 是 ぜ 由 よし 原子 げんし 離 はなれ 子 こ 電子 でんし 等 とう 等 とう 的 てき 旋轉 せんてん 或 ある 振動 しんどう 產 さん 生 せい 的 てき 在 ざい 特徵 とくちょう 吸收 きゅうしゅう 頻 しき 率 りつ 的 てき 附近 ふきん 可 か 程 ほど 序 じょ 上述 じょうじゅつ 兩 りょう 種 たね 效 こう 應 おう 時 じ 常會 じょうかい 合併 がっぺい 起 おこり 來 らい 使 つかい 得 とく 電 でん 容器 ようき 產 さん 生 せい 非 ひ 線 せん 性 せい 效 こう 應 おう 例 れい 當 とう 法 ほう 完全 かんぜん 放電 ほうでん 的 てき 效 こう 應 おう 稱 しょう 為 ため 介 かい 電 でん 質 しつ 吸收 きゅうしゅう 一 いち 個 こ 理想 りそう 電 でん 容器 ようき 經過 けいか 放電 ほうでん 後 ご 電壓 でんあつ 應 おう 伏 ふく 特 とく 但 ただし 是 ぜ 實際 じっさい 的 てき 電 でん 容器 ようき 會 かい 餘 あまり 留 とめ 一 いち 壓 あつ 稱 しょう 為 ため 殘餘 ざんよ 電壓 でんあつ 有 ゆう 電 でん 質 しつ 像 ぞう 各種 かくしゅ 不同 ふどう 的 てき 聚合物 ぶつ 薄膜 うすまく ，殘餘 ざんよ 電壓 でんあつ 小 しょう 本 ほん 電壓 でんあつ 的 てき 但 ただし 是 ぜ 電解 でんかい 電 でん 容器 ようき electrolytic capacitor ）或 ある 超 ちょう 高 こう 電 でん 容器 ようき supercapacitor ）的 てき 殘餘 ざんよ 電壓 でんあつ 可能 かのう 會 かい 高 だか 達 たち
量子 りょうし 詮 かい 釋 しゃく [ 编辑 ] 在 ざい 量子力學 りょうしりきがく 裏 うら 電 でん 容 よう 率 りつ 可 か 發生 はっせい 原子 げんし 層 そう 次 じ 和 わ 分子 ぶんし 層 そう 次 じ 的 てき 量子 りょうし 作用 さよう 來 らい 解釋 かいしゃく
在 ざい 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 極性 きょくせい 介 かい 電 でん 質的 しつてき 分子 ぶんし 會 かい 被 ひ 外電 がいでん 場 じょう 電極 でんきょく 化 か 因 いん 發出 はっしゅつ 周期 しゅうき 性 せい 轉 うたて 動 どう 例 れい 在 ざい 微 ほろ 波 なみ 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 微 ほろ 波 なみ 場 じょう 物質 ぶっしつ 水 すい 分子 ぶんし 期 き 性 せい 轉 うたて 動 どう 水分 すいぶん 子 こ 與 あずか 周邊 しゅうへん 分子 ぶんし 的 てき 相互 そうご 產 さん 生 せい 了 りょう 熱 ねつ 能 のう 使 つかい 得 とく 分 ぶん 物質 ぶっしつ 的 てき 溫度 おんど 增 ぞう 高 だか 是 ぜ 為 ため 什麼 いんも 微 ほろ 波 なみ 爐 ろ 可 か 有效 ゆうこう 率 りつ 地 ち 將 はた 含有 がんゆう 水分 すいぶん 的 てき 物質 ぶっしつ 加熱 かねつ 水 みず 的 てき 電 でん 容 よう 率 りつ 的 てき 虛 きょ 分 ぶん 吸收 きゅうしゅう 指數 しすう 有 ゆう 兩個 りゃんこ 最大 さいだい 一 いち 個 こ 位 い 遠 とお 紫外線 しがいせん 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 兩個 りゃんこ 共振 きょうしん 頻 しき 率 りつ 都 と 高 だか 波 なみ 爐 ろ 的 てき 操作 そうさ 頻 しき 率 りつ
在中 ざいちゅう 間 あいだ 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 高 こう 過 か 轉 てん 動的 どうてき 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 又 また 遠 とお 低 てい 直接 ちょくせつ 影響 えいきょう 電子 でんし 運動 うんどう 的 てき 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 能 のう 量 りょう 是 ぜ 共振 きょうしん 的 てき 分子 ぶんし 振動 しんどう 形式 けいしき 被 ひ 吸收 きゅうしゅう 對 たい 介 かい 質 しつ 吸收 きゅうしゅう 指數 しすう 開始 かいし 顯著 けんちょ 地 ち 下降 かこう 的 てき 區域 くいき 吸收 きゅうしゅう 指數 しすう 的 てき 最低 さいてい 在 ざい 藍 あい 光 こう 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 可 か 見 み 光 こう 譜 ふ 段 だん 是 ぜ 為 ため 什麼 いんも 日光 にっこう 不 ふ 會 かい 傷害 しょうがい 像 ぞう 眼睛 がんせい 一類 いちるい 的 てき 生物 せいぶつ 組織 そしき [3]
在高 ありだか 頻 しき 率 りつ 區域 くいき 像 ぞう 遠 どお 紫外線 しがいせん 頻 しき 率 りつ 或 ある 更 さら 高 だか 頻 しき 率 りつ 分子 ぶんし 無法 むほう 弛 たゆ 豫 よ 能 のう 量 りょう 完全 かんぜん 地 ち 被 ひ 原子 げんし 吸收 きゅうしゅう 因 いん 發電 はつでん 子 こ 使 つかい 電子 でんし 躍 おど 更 さら 高 だか 能 のう 級 きゅう 游 ゆう 離 はなれ 出原 いではら 子 こ 擁 よう 有 ゆう 率 りつ 的 てき 電磁波 でんじは 會 かい 導 しるべ 游 ゆう 離 はなれ 輻射 ふくしゃ
雖然，從 したがえ 開始 かいし 到 いた 最後 さいご 對 たい 物質 ぶっしつ 的 てき 介 かい 電 でん 行為 こうい 一 いち 個 こ 完全 かんぜん 的 てき 計算 けいさん 機 き 模擬 もぎ 是 ぜ 一 いち 個 こ 可 か 行 ぎょう 之 の 計 けい 但 ただし 是 ぜ 法 ほう 還 かえ 沒 ぼっ 有 ゆう 得 え 到 いた 廣 こう 使用 しよう 替 がえ 代地 だいち 科學 かがく 家 か 接受 せつじゅ 現象 げんしょう 模型 もけい 為 ため 可 か 來 らい 捕捉 ほそく 實驗 じっけん 行為 こうい 德 とく 拜 はい 弛 たゆ 豫 よ 和 わ 德 とく 拜 はい 勞 ろう 模型 もけい Lorentz model ）都 みやこ 是 ただし 優秀 ゆうしゅう 的 てき 模型 もけい
測量 そくりょう [ 编辑 ] 物質 ぶっしつ 的 てき 電 でん 容 よう 率 りつ 可 か 幾 いく 種 しゅ 靜 しずか 電 でん 測量 そくりょう 方法 ほうほう 來 らい 得 え 到 いた 使用 しよう 各種 かくしゅ 各樣 かくよう 的 てき 介 かい 電 でん 質 しつ 光 こう 譜 ふ 學 がく dielectric spectroscopy ）方法 ほうほう 在 ざい 廣 こう 頻 しき 率 りつ 任 にん 何 なに 頻 しき 率 りつ 的 てき 複 ふく 電 でん 容 よう 率 りつ 都 と 可 か 確 かく 地 ち 評 ひょう 出來 でき 率 りつ 覆 くつがえ 蓋 ぶた 接近 せっきん 1個 いっこ 數量 すうりょう 級 きゅう 的 てき 大小 だいしょう 從 したがえ −6 到 いた 15 赫茲 [4] [5] 使用 しよう 低溫 ていおん 恒溫 こうおん 器 き cryostat ）和 かず 科學 かがく 家 か 可 か 測量 そくりょう 出 で 在 ざい 不同 ふどう 的 てき 溫度 おんど 狀況 じょうきょう 下 か 物質 ぶっしつ 的 てき 介 かい 電 でん 性質 せいしつ
橢圓 だえん 偏 へん 振 ふ 技術 ぎじゅつ 可 か 在 ざい 紅 べに 外線 がいせん 頻 しき 段 だん 和 わ 可 か 見 み 光 こう 頻 しき 段 だん
也有 やゆう 介 かい 数 すう 在 ざい 微 ほろ 波 なみ 的 てき 可 か 共振 きょうしん 方法 ほうほう [6]
參 まいり [ 编辑 ] 參考 さんこう 文獻 ぶんけん [ 编辑 ]
^ 國際 こくさい 標準 ひょうじゅん 組織 そしき NIST 和 わ BIPM 現在 げんざい 通常 つうじょう 的 てき 是 ぜ 根據 こんきょ ISO 31 的 てき 規則 きそく 標記 ひょうき 光波 こうは 在 ざい 真空 しんくう 的 てき 光速 こうそく 為 ため
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被 ひ 用 よう 用途 ようと 參 まいり NIST Special Publication 330 , Appendix 2, p. 45 （页面存 そん ，存 そん 互联网档案 あん ）^ Agilent Basics of Measuring the Dielectric Prop[erties of Materials (PDF) . Agilent Technologies Inc. （原始 げんし 内容 ないよう (PDF) 存 そん ^ Braun, Charles L.; Smirnov, Sergei N., Why is water blue? , Journal of Chemical Education, 1993, 70 (8): 612 [2009-05-14 ] , （原始 げんし 内容 ないよう 存 そん ^ Linfeng Chen, V. V. Varadan, C. K. Ong, Chye Poh Neo. Microwave theory and techniques for materials characterization. Microwave electronics . Wiley. 2004: 37 [2009-05-14 ] . ISBN 0470844922原始 げんし 内容 ないよう 存 そん ^ Mailadil T. Sebastian. Dielectric Materials for Wireless Communication . Elsevier. 2008: 19 [2009-05-14 ] . ISBN 0080453309原始 げんし 内容 ないよう 存 そん ^ Costa, Filippo; et al. Waveguide dielectric permittivity measurement technique based on resonant FSS filters. IEEE Microwave and Wireless Components Letters. 2011, 21 (5): 273––275. doi:10.1109/LMWC.2011.2122303
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