(Translated by https://www.hiragana.jp/)
电容器 - 维基百科,自由的百科全书 とべ转到内容ないよう

电容

本页使用了标题或全文手工转换
维基百科ひゃっか自由じゆうてき百科ひゃっかぜん
重定しげさだこうでん容器ようき
でん容器ようき
类型どうもとけん
发明かつひしげ斯特主教しゅきょう

电容英文えいぶんcapacitorまたたたえためcondenserしょうでんのうもうか存在そんざい電場でんじょうなかてきどう電子でんしもとけん。电容てきもうかのう特性とくせい以用でんよう表示ひょうじざい電路でんろちゅう鄰近てき導體どうたいこれあいだそく存在そんざいでんよう,而電容器ようきためりょう增加ぞうか電路でんろちゅうてきでん容量ようりょう加入かにゅうてき電子でんしもとけん

でん容器ようきてきそとがた以及其構造こうぞう種類しゅるい不同ふどう目前もくぜんつね使用しようてきでん容器ようき也有やゆう許多きょた不同ふどう種類しゅるいえいcapacitor types大部たいぶ份的でんよういたりしょうかいゆう二個金屬板或是金屬表面的導體どうたい中間ちゅうかんゆうかいでんしつへだたひらき導體どうたい以是金屬きんぞくはく薄膜うすまくしょうゆい金屬きんぞくたまある电解质導電性どうでんせいてきかいでんしつ增加ぞうかでん容器ようきてきもうかでん能力のうりょく常見つねみてきかいでんしつゆう玻璃はりとう瓷器塑膠まくえいplastic filmうんはは氧化ぶつざい許多きょたてき电路ちゅう都會とかいよういたでん容器ようきでん容器ようきでん阻器不同ふどう理想りそうてきでん容器ようきかい消耗しょうもうのうりょう

とう兩個りゃんこかいでんしつへだたひらきてき導體どうたいあいだゆう電壓でんあつときざいかいでんしつじょうかいさんせい電場でんじょういん此正電荷でんかかい集中しゅうちゅうざいいち導體どうたい電荷でんかそくざいいち導體どうたい。电容てきでんよう定義ていぎため累積るいせき電荷でんか導體どうたい電壓でんあつあいだてき值。くに际单せい(SI)したでんようてき單位たんいほうひしげ(F),定義ていぎためごとふくとく1库仑(1 C/V)。一般電容器的電容約在1 かわほうひしげ(pF)(10−12 F)いた1 毫法ひしげ(mF)(10−3 F)。でん容器ようきてきでんよう導體どうたいてき表面積ひょうめんせきなりせいかず導體どうたいあいだ距離きょりはん實務じつむじょう導體どうたいあいだてきかいでんしつかい通過つうか微小びしょうてき漏電ろうでんりゅうえいleakage (electronics)。而介でん質的しつてき電場でんじょう強度きょうど也有やゆう上限じょうげんいん此電容器ようきかいゆう崩潰ほうかい電壓でんあつ。而電容器ようきちゅうてき導體どうたい及其引脚かいさんせいそうようてきとうこうくしれんでんかんとうこうくし联电阻

电容常用じょうようざい電子でんし電路でんろなか阻隔そかく直流ちょくりゅうでんゆずる交流こうりゅうでん以流でん容器ようきざい類比るいひ濾波えいanalog filter電路でんろちゅう,电容以使電源でんげん供應きょうおうてき輸出ゆしゅつへん平滑へいかつざいLC电路ちゅう电容でんかん以調諧无线电いた特定とくていてきしきりつざい輸電系統けいとうちゅう以穩てい電壓でんあつ及功りつてき流動りゅうどう[1]ざい早期そうきてきすう電腦でんのうちゅうかいよう电容もうかそんのう量的りょうてき特性とくせい作為さくい動態どうたい記憶きおくたい[2]

歷史れきし

[编辑]

歷史れきしじょうだい一個有留下記錄的電容器[註 1]ゆかりかつひしげ斯特主教しゅきょうざい1745ねん10がつしょ發明はつめい一個內外層均鍍有金屬膜的玻璃瓶,玻璃はりびん內有いち金屬きんぞく桿,一端和內層的金屬膜連結,另一はしそく連結れんけついち金屬きんぞく球體きゅうたい。藉由ざい二層金屬膜中利用玻璃作為絕緣的方式,かつひしげ斯特主教しゅきょうゆずる電荷でんか密度みつど出現しゅつげんあかりあらわてきひさげます

1746ねん1がつらん物理ぶつりがくかれとく·范·きよしもりぬの罗克えいPieter van Musschenbroek獨立どくりつ發明はつめいりょう構造こうぞう非常ひじょう類似るいじてきでん容器ようき當時とうじかつひしげ斯特主教しゅきょうてき發明はつめいなおこうため人知じんちよし於馬もりぬの魯克當時とうじざい萊頓大學だいがくにんきょういん此將其命めいため萊頓びん

とう時人じじん們認ため電荷でんかもうか存在そんざい萊頓びんちゅうてきみずうらただし美國びくに科學かがくとみらんかつりん研究けんきゅう萊頓びん證明しょうめい電荷でんかもうか存在そんざい玻璃はりじょうなみもうか存在そんざい萊頓びんちゅうてきみずうら

原理げんり

[编辑]

概要がいよう

[编辑]
  • でん容器ようき包括ほうかつ電極でんきょく,二個電極儲存的電荷大小相等,符號ふごう相反あいはん電極でんきょく本身ほんみ導體どうたい,二個電極之間由稱為かいでんしつてき絕緣ぜつえんたいへだたひらき電極でんきょくてき金屬きんぞくへんどおり常用じょうようてき鋁片ある鋁箔,わかよう氧化鋁來做介しつてき就是電解でんかいでん容器ようき電荷でんかかいもうか存在そんざい電極でんきょく表面ひょうめんもたれきんかいでん質的しつてき份。よし於二個電極儲存的電荷大小相等,符號ふごう相反あいはんいん此電容器ようきちゅう始終しじゅう保持ほじためでん中性ちゅうせい
  • ざい下圖したずちゅうかいでんしつ分子ぶんしいん電場でんじょう影響えいきょう旋轉せんてん旋轉せんてん後產あとざんせいはんむこうてき電場でんじょういん此抵けし份原ゆうてき電場でんじょう,這個こうおうたたえため電極でんきょく

でん容器ようきてきでん容量ようりょう

[编辑]
とう電荷でんかざい電極でんきょくじょう累積るいせきざいりょう電極でんきょくあいだかいさんせい電場でんじょうだい小和おわしょ累積るいせきてき電荷でんかなりせい電場でんじょうかいざいでん容器ようきてきりょう電極でんきょく造成ぞうせい電位差でんいさV = E·d
かいでんしつ分子ぶんしいんため電子でんし受到電場でんじょう影響えいきょう使つかいとく分子ぶんしへんはなれ平衡へいこう位置いちためりょう說明せつめい便びんほんだいかいでんしつ電極でんきょくてき空隙くうげき實際じっさいじょうかいでんしつかい直接ちょくせつ電極でんきょく接觸せっしょく

でん容器ようきてきでんようC測量そくりょうとうでん容器ようき兩端りょうたんてき電位差でんいさある電壓でんあつVため單位たんい值時,もうか存在そんざいでん容器ようき電極でんきょくてき電荷でんかりょうQ):

わか根據こんきょ國際こくさい單位たんいせいわか一電容器兩極施加一ふくとくてき電壓でんあつ,其儲そん電荷でんかりょう為一ためいちくらのり此電容器ようきてきでん容量ようりょう為一ためいちほうひしげ(F)。ざい實務じつむじょうほうひしげ相當そうとうだいてき單位たんいでん容器ようきてきでん容量ようりょう一般常以毫法拉(mF, 1mF = 10-3F)、ほろほうひしげ(µF, 1µF = 10-6F)、奈法ひしげ(nF, 1nF = 10-9F)あるかわほうひしげ(pF, 1pF = 10-12F)表示ひょうじ

でん容量ようりょうかず電極でんきょくてき面積めんせきなりせい二電極之間的距離成反比。でん容量ようりょう也和二電極間介電質的相对でんようりつなりせい

平行へいこういたでん容器ようきてきでん容量ようりょう如下しき

[3]

其中εいぷしろんかいでん質的しつてきでんようりつA平板へいばんてき面積めんせき,而d平行へいこうばん間隔かんかくてき距離きょり

もうかのうもうかそんのうりょう

[编辑]

とうでんせい相反あいはんてき電荷でんか分別ふんべつざいでん容器ようきてき兩端りょうたん累積るいせきでん容器ようき兩端りょうたんてき電位差でんいさ電荷でんかさんせいてき電場でんじょう開始かいし增加ぞうか累積るいせき電荷でんかえつため抵抗ていこうでん場所ばしょ需要じゅようさくてきこう就越だいもうか存在そんざいでん容器ようきてきのうりょう國際こくさい單位たんいせいなか單位たんいためこげみみとう建立こんりゅうでんよう兩端りょうたんてき電壓でんあつ電場でんじょうしょ需要じゅようてきのうりょう

計算けいさんでん容器ようきもうかそんてきのうりょうてき公式こうしき如下:

Vでんよう兩端りょうたんてき電壓でんあつ

電路でんろ模型もけい及计さん

[编辑]

電路でんろあずか直流ちょくりゅうげん

[编辑]

よし於電容器ようき中有ちゅうう絶緣ぜつえんてきでんかいしつ阻隔そかく電子でんし很難直接ちょくせつ穿ほじでん容器ようき簡單かんたんせつとう直流ちょくりゅう電流でんりゅうりゅうでん容器ようきでん容器ようきてきいちはしかい累積るいせき電子でんし,另一はしかい流失りゅうしつ電子でんしでん容器ようきそく維持いじでん中性ちゅうせい,這樣てき過程かていたたえため充電じゅうでん不同ふどうてきでんかいしつ性質せいしつ而定,外電がいでんじょうかいしょうでんかいしつてき正負せいふ電荷でんかやや微分びぶんひらけあるもの按照がい電場でんじょう方向ほうこう排列はいれつでんかいしつ分子ぶんしてきじょうむこう,這會ざいでんかいしつてき表面ひょうめん形成けいせいめん電荷でんかあずか其對おうてき電場でんじょう,其方向ほうこうあずか外電がいでんじょう相反あいはんいん此減じゃく外電がいでんじょうてき實際じっさい作用さよう所以ゆえんでんかいしつ增加ぞうかでん容器ようきてきでんようよし於電容器ようきてきそう電場でんじょうざいでん容器ようき兩端りょうたんかい出現しゅつげん電壓でんあつ電壓でんあつVでん容器ようきいちはしてき絕對ぜったい電荷でんかりょうQなりせい,而Qりゅうでん容器ようきてき電流でんりゅうたい時間じかんてき積分せきぶん。其數がくしき如下:

     其中
Iりゅうでん容器ようきてき電流でんりゅう單位たんいためやすつちかえ
電壓でんあつたい時間じかんてき微分びぶん單位たんいふくとく/びょう
C电容けんてき电容值,單位たんいほうひしげ

ざい一個使用固定直流電壓源的電路中,でん容器ようき兩端りょうたんてき電壓でんあつかい超過ちょうか電源でんげんてき電壓でんあつとうでん容器ようき兩端りょうたんてき電壓でんあつやめさい變動へんどうながれでん容器ようきてき電流でんりゅうためれい,此時やめ形成けいせい平衡へいこうよし此,一般會說電容器不允許直流ちょくりゅうでん通過つうかざい直流ちょくりゅう分析ぶんせきちゅうでん容器ようきとうなり开路でん阻無げんだい)。

電路でんろ交流こうりゅうげん

[编辑]

わかりゅうでん容器ようきてき電流でんりゅうゆかり交流こうりゅう電壓でんあつある交流こうりゅう電流でんりゅうみなもとさんせいゆかり於電流會りゅうかいしゅう性的せいてき變換へんかん方向ほうこう交流こうりゅう電流でんりゅうかいりゅうたいでん容器ようきてき兩極りょうきょく充電じゅうでんでん容器ようき兩極りょうきょくてき電荷でんかかいしゅう性的せいてき變化へんかいん此在いちしゅう內,じょりょう電流でんりゅう由正よしまさへんまけあるゆかりへんせいてきいち瞬間しゅんかんそと通過つうかでん容器ようきてき電流でんりゅうひとし不為ふためれいよし此,一般認為電容器可允許交流電流通過。

でん容器ようき兩極りょうきょくてき電壓でんあつ電流でんりゅうてき積分せきぶんなりせい所以ゆえんわかでん容器ようきどおりにゅう交流こうりゅうてき信號しんごうそうかくため90またそく電流でんりゅうりょうさき電壓でんあつ90電壓でんあつてき大小だいしょう電流でんりゅうなりせいしきりつでん容量ようりょうCてきじょうせきなりはん

阻抗

[编辑]

電壓でんあつそうりょうかず電流でんりゅうしょう量的りょうてき值稱ため阻抗為一ためいち複數ふくすうでん容器ようきてき阻抗ただゆうでんこうなり份(そく複數ふくすうただゆうきょため0),かず值如

其中:

でん容器ようきてきでんこう

これかくしきりつ

f = 輸入ゆにゅうしきりつ

C = でんよう單位たんいほうひしげ

わかざいしきいきてき分析ぶんせきちゅう上述じょうじゅつ電壓でんあつ電流でんりゅうてき關係かんけいつね成立せいりつただしざいどきいきてき分析ぶんせきちゅう電壓でんあつ電流でんりゅうしょうりょうあいだてき值只ゆうざい交流こうりゅう穩態ざいかいとう

でんようてき阻抗てきため0,きょため值。きょてき負數ふすう表示ひょうじ電流でんりゅうりょうさき電壓でんあつ90てきしょうかく,這和でんかん恰好かっこう相反あいはんでんかんてき電流でんりゅう落後らくご電壓でんあつ90てきしょうかく

阻抗以類なりでん阻器てきでんでんようてき阻抗しきりつなりはんわかゆう非常ひじょうだかしきてき電流でんりゅうりゅうでんよう,阻抗值幾乎為0,此時しょうでんようためたん相反あいはんわかゆう非常ひじょうていしきてき電流でんりゅうりゅうでんよう,阻抗值相とうだい,此時しょうでんようためだんでんよう許多きょたてき應用おうよう都和つわでんようてきしきりつ特性とくせいゆうせき參照さんしょう"應用おうよう")。

でんようてき阻抗ただゆうでんこうなり份,表示ひょうじ理想りそうでんよう消耗しょうもうのうりょうただもうかそんのうりょうざい電子でんし電路でんろ中有ちゅううしゅまけでん阻性まけかい消耗しょうもう其他電路でんろ輸入ゆにゅうてきのうりょう最後さいご以熱てき方式ほうしき發散はっさんでんこうせいまけのりもうかそんのうりょうのうりょう最後さいごかいさいかいいた電路でんろとうなか

でん容器ようきてき阻抗でんようなりはん,這いちてんでん阻器(阻抗でん阻成せい)及電かん(阻抗でんかんなりせい不同ふどうよし此,でんようくしれんなみれんてき公式こうしき恰好かっこうでん阻的公式こうしき相反あいはんでんようなみれんそうでんようかくでんようてきでんようくしれんそうでんよう值的たおせすうかくでんよう值倒すうてき

ひしげひろしひしげ斯变换(Sいき

[编辑]

とう使用しようひしげひろしひしげ斯变换らい進行しんこう電路でんろ分析ぶんせきでんよう阻抗ざいSいきちゅうため

其中Cためでんよう,而ため一個複合頻率。

でん容器ようきあずかくらいうつり電流でんりゅう

[编辑]

物理ぶつりがくむぎかつ斯韦ざいやすつちかえ定律ていりつちゅう加入かにゅううつり電流でんりゅう使つかいとくざいぞうでんようたかし放電ほうでんてきじょうがたやすつちかえ定律ていりつ符合ふごう電荷でんかてき守恆もりつねうまかつみとめためうつり電流でんりゅういん實際じっさい電荷でんかてき移動いどうしょ造成ぞうせいわかざい真空しんくうちゅうのりいんため以太なかでん偶極てき移動いどうさんせいうつり電流でんりゅう。雖然たいうつり電流でんりゅうてきそうほうゆうあやまざいうまかつしょうやすつちかえ定律ていりつ修正しゅうせい,其結果けっか沿用いたりいま

でんようもう

[编辑]

くしれんあるなみれん配置はいち

[编辑]

なみれんてきすうでんようゆうしょうどうてき電壓でんあつ。其總でんようCeq)如下:

數個電容並聯的圖形

一般いっぱん而言,でんようなみれんてき目的もくてき增加ぞうかもうかそんてきそうのうりょうでんようもうかそんてきのうりょう如下:

くしれんてきすうでんようかいりゅうあいどう電流でんりゅうただし各個かっこでんようてき電位差でんいさ電壓でんあつ可能かのう不同ふどう,而電ようてき電壓でんあつてき和會かずえとう於總電壓でんあつでんようくしれんてきでんよう值如

數個電容串聯的圖形

ざいでんようなみれんでんよう電極でんきょくてき有效ゆうこう面積めんせきへんだいいん此電よう增加ぞうか。而在でんようくしれん相當そうとう於電よう電極でんきょくてき距離きょりへんだいいん此電よう值減しょう

ざい實際じっさい應用おうようじょうつねくしれんすう較低電壓でんあつでん容器ようきだいこう電壓でんあつてきでん容器ようきれい如在だか電壓でんあつてき電源でんげん供應きょうおうてき濾波電路でんろちゅう以用さん最大さいだい電壓でんあつ600Vてきでん容器ようきくしれんよし於每でん容器ようきただ需承受總電壓でんあつてきさんふんいちいん此串れんてきでん容器ようきざい1800Vてき電壓でんあつ工作こうさく,而串れんでんようただゆう個別こべつでん容器ようきてきさんふんいちゆう也會しょう三個電容器先並聯,さいしょう三組並聯電容器再串聯,形成けいせいいち3x3てきでん容器ようきのりじんそうでんよう個別こべつでん容器ようきしょうどうただし以承受さんばいてき電壓でんあつざい上述じょうじゅつ應用おうよう各組かくくみでん容器ようきかいさいなみれんいち大電だいでん阻,以確保かくほ電壓でんあつ平均へいきんてきぶんきゅうさんくみでん容器ようきなみ且在設備せつび使用しよう提供ていきょうでんよう放電ほうでんてきみち

另外一種應用則是將二顆有極性的電容反向串聯,代替だいたい極性きょくせいてきでんよう使用しよう

でん容器ようき/でんかんてきげんせい

[编辑]

以數がくてき觀點かんてん理想りそうでん容器ようき以視ため理想りそうでんかんてきはん函數かんすう),いんためわかはた電壓でんあつ電流でんりゅうたい調しらべそくしょうでん容器ようきてき電壓でんあつ電流でんりゅう方程式ほうていしきあらためためでんかんてき方程式ほうていしき。二個或二個以上的導體可以因磁性耦合而形成變壓へんあつある二個以上帶電的導體也可以因靜電耦合而形成電容器。りょう導體どうたいてき互容(mutual capacitance)定義ていぎ為當ためとういち導體どうたいてき電流でんりゅう使とく另一導體的電壓在單位時間變化一單位電壓時,該導體どうたいてき電流でんりゅうりょう

理想りそうてき特性とくせい

[编辑]

實際じっさいてきでん容器ようき理想りそうでん容器ようきてき特性とくせい方程式ほうていしきゆう差異さい。其中有ちゅうう些特せいぞう漏電ろうでんりゅう以及ざつこうおうせん性的せいてきあるもの以用近似きんじせん性的せいてき方式ほうしき分析ぶんせき,此時就會ざい理想りそうでん容器ようきてきとうこう電路でんろうえじょう一些虛擬的元件來近似這些特性,これ就可以應用おうようせんせい電路でんろ分析ぶんせきてき方式ほうしきらい處理しょり電路でんろ[4]ゆう些特せいれい崩潰ほうかい電壓でんあつ是非ぜひせん性的せいてき,就無法用ほうようせんせい電路でんろ分析ぶんせきてき方式ほうしき處理しょり,就需よう外來がいらい計算けいさん這些特性とくせいてき影響えいきょうかえゆういち些特せい本身ほんみ也是せん性的せいてきただしかいゆずるでんよう值在分析ぶんせき發生はっせい變化へんかれい如電じょでんよう溫度おんどてきしょう關係かんけい)。最後さいご合併がっぺいてきざつこうおうれい本質ほんしつでんこうでん阻或かいでん損失そんしつ可能かのうかいゆずるでん容器ようきざい不同ふどうしきりつゆう不同ふどうてき特性とくせい

崩潰ほうかい電壓でんあつ

[编辑]

わかでん容量ようりょうざいざいかいでん強度きょうど超過ちょうかEdsてき特定とくてい電場でんじょうでん容器ようきてきかいでんせいかい破壞はかいでん容器ようきかい變成へんせい導體どうたい。此時てき電壓でんあつしょうためもとけんてき崩潰ほうかい電壓でんあつかいでん強度きょうどでん容器ようき導體どうたいあいだ距離きょりてきじょうせき[5]

でん容器ようきざい正常せいじょう使用しよう以儲そんてき最大さいだい電壓でんあつかい受到崩潰ほうかい電壓でんあつてききりせいよし於電容器ようきてき尺寸しゃくすん,以及崩潰ほうかい電壓でんあつかいでんそうあつてき關係かんけい使用しよう特定とくていかいでん質的しつてきでん容器ようき都會とかいゆう相似そうじてきのうりょう密度みつど,甚至かいでんしつ也就決定けっていりょうでん容器ようきてき大小だいしょう[6]

わかかいでんしつ空氣くうき,其崩潰ほうかい電場でんじょう強度きょうどやくざい2–5 MV/m(あるkV/mm)てき等級とうきゅうわか使用しよう雲母うんも以到100–300 MV/m,わかかいでんしつ以到15–25 MV/m,わかかいでんしつ其他てき材質ざいしつ,其崩潰ほうかい電場でんじょう強度きょうどかいてい很多[7]かいでんしつ一般いっぱんうすいん此電容器ようきてき崩潰ほうかい電壓でんあつ也因此受げん。一般電容器的崩潰電壓從數伏特到1 kV。わか電壓でんあつ增加ぞうかかいでんしつ也要あついん此相どうかいでん質的しつてきてきでんようこうあつでんようてき體積たいせき一般都會比低壓的同容值電容要大一些。

崩潰ほうかい電壓でんあつ受一些因素的影響很大,れい如電じょでん容器ようきしるべでん份的幾何きか形狀けいじょう尖銳せんえいてきあたりあるかくかい增加ぞうか電場でんじょう強度きょうど,甚至可能かのうかい造成ぞうせい局部きょくぶてき崩潰ほうかい電壓でんあつとう開始かいし崩潰ほうかい崩潰ほうかい現像げんぞうかい快速かいそくてき穿ほじかいでんしつちょくいた另一極的導電板為止,かいとめ碳,なみ且產せいたんある阻抗較低)てきみちでんよう崩潰ほうかい可能かのうばく炸性てきでんようしたがえ周圍しゅういてき電路でんろ抽取電流でんりゅうなみ且將其能りょう消耗しょうもう[8]ゆう些特べつかいでん質的しつてきでんよう[9][10]あるうすてき金屬きんぞく電極でんきょくざい崩潰ほうかいかい造成ぞうせいたん其原そのはらいんいんためざいだい電流でんりゅう金屬きんぞく熔化ある汽化りょういん崩潰ほうかい後會こうかいさんせいだんかい影響えいきょうでん容器ようきてき其他[11][12]

一般的崩潰方式是電場夠大,いん此可以吸引きゅういんかいでんしつちゅうてき電子でんしかず原子げんし分離ぶんりいん傳導でんどう電路でんろ也有やゆう可能かのうゆういちしゅじょうがたぞうかいでんそうてきざつしつあるかいでんそうあきらたい結構けっこうてき瑕疵かしかい造成ぞうせい類似るいじ半導體はんどうたいもとけんてき崩潰ほうかい崩潰ほうかい電壓でんあつ也會受到電壓でんあつ濕度しつど以及溫度おんどてき影響えいきょう[13]

とうこう電路でんろ

[编辑]
真實しんじつでん容器ようきてきりょうたね電路でんろ模型もけい

理想りそう电容ただかいもうかそん釋放しゃくほうのうりょうかい消耗しょうもうのうりょう實際じっさいてきでん容器ようきゆういち些雜しつ,而電容器ようきてき材料ざいりょう本身ほんみ也會ゆうでん阻,這些かい標示ひょうじためとうこうくし联电阻(ESR)。とうこうくし联电阻會影響えいきょうもとけんてき阻抗:

ずいちょしきりつ接近せっきん無限むげんだいでん容器ようきてき阻抗(あるようこうかいげんしょう,而會以ESRためぬしとうようこうゆるがせりゃく,其消耗しょうもうこうりつためPRMS = VRMS² /RESR.

かずESR類似るいじてきでん容器ようきてき導線どうせん也會さんせいとうこうくしれんでんかん(ESL),一般只在相對高頻時才比較有影響。でんかんかんこう是正ぜせいてきかいしたがえしきりつ增加ぞうか超過ちょうか一定頻率後,でんようかいでんかんしょ抵消。こうしき電子でんしがく就需よう計算けいさん所有しょゆう接線せっせん以及もとけんてきでん感量かんりょう

わかでん容器ようきてき二個導體之間不是理想的介電質,而是導電性どうでんせい較低てき材料ざいりょうかいさんせい微小びしょうてき漏電ろうでんりゅうよし此電容器ようきかいゆう一個有限的並聯電阻[14]かい慢慢てき放電ほうでん放電ほうでん時間じかんでん容器ようき材料ざいりょう品質ひんしつ而定)。

Q因子いんし

[编辑]

电容てき品質ひんしつ因子いんしあるQ因子いんし特定とくていしきりつ其容こうでん阻的比例ひれいようらいりょうはか其效りつ。Q值越だいてきでん容器ようき,其特せいえつ接近せっきん理想りそうでん容器ようき

でん容器ようきてきQ因子いんし以用しき計算けいさん

其中これすみ频率でんようこれようこうでん容器ようきてきとうこうでん阻(ESR)。

さざなみ電流でんりゅう

[编辑]

さざなみ電流でんりゅう電源でんげんれいひらきせきしき電源でんげんてき交流こうりゅう電流でんりゅうなり份,其頻りつ可能かのうてい值,也可能會のうかい變動へんどうさざなみ電流でんりゅうかい使つかいでん容器ようき發熱はつねつ原因げんいん一方面是因為介電質上電場變化造成的能量損失,さいじょう電流でんりゅう通過つうかゆう微小びしょうでん阻的導線どうせんある電解でんかい質的しつてき損失そんしつとうこうくしれんでん阻(ESR)就是考慮こうりょ這些損耗そんこうてき影響えいきょう

ゆう種類しゅるいえいtypes of capacitorまとでんよう包括ほうかつてき电解电容,以及いち薄膜うすまくでんようえいfilm capacitorてき規格きかくかい包括ほうかつ最大さいだいてきさざなみ電流でんりゅう

  • わかようかたたい二氧化錳為介電質的鉭質でん容器ようき,其允許いんきょさざなみ電流でんりゅうゆう一定いっていげんせいざいでんようちゅうてきESR也是最高さいこうてきわかさざなみ電流でんりゅう超過ちょうかがくてい值,かい造成ぞうせいたんなみ且損毀其もとけん
  • 铝电かい电容さい常用じょうようてき电解电容,わかさざなみ電流でんりゅう較高,其壽いのちかいくだていわかさざなみ電流でんりゅう超過ちょうかがくてい值,でんようかい爆裂ばくれつ
  • とう瓷电よう一般沒有漣波電流的限制,其ESR最小さいしょう
  • 薄膜うすまくでんようえいfilm capacitorてきESR也非常ひじょうひくただしわかさざなみ電流でんりゅう超過ちょうかがくてい值,かい造成ぞうせいでんようてき退化たいか

でん容量ようりょう穩定せい

[编辑]

ゆう些電ようてきでん容量ようりょうかいずいちょもとけん老化ろうか下降かこうはりたいとう瓷电よう而言,でん容量ようりょうてき下降かこういんためかいでん質的しつてき劣化れっか造成ぞうせいかいでんしつ種類しゅるい環境かんきょう溫度おんど以及儲そん溫度おんど都會とかい影響えいきょう老化ろうか工作こうさく電壓でんあつてき影響えいきょう比較ひかくしょう,一般電容的設計也都會讓電壓係數降到最小。もとけん老化ろうかてき過程かてい透過とうかはたもとけん加熱かねつ超過ちょうかきょさとてんらい改善かいぜんざいもとけんつよし開始かいし工作こうさく老化ろうかてきさいかいこれ後會こうかいずいちょ時間じかん而漸やや穩定[15]。电解电容かいずいちょ電解でんかいえきてき蒸發じょうはつ而老かずすえ瓷电よう不同ふどう,其老主要しゅようもとけん壽命じゅみょうてき末期まっき出現しゅつげん

でん容量ようりょう溫度おんどてき關係かんけい一般いっぱんかいようppm まい°Cらい表示ひょうじ。一般會是範圍很廣的線性函數,ただしざい溫度おんどごく值時かい有明ありあけあらわてきせんせい溫度おんど係數けいすう可能かのう是正ぜせい,也可能かのうまけ,甚至どう一型電容的不同樣品之間,溫度おんど係數けいすう有正ありまさゆうまけいん此,溫度おんど係數けいすうてき範圍はんい可能かのうかい包括ほうかつれいざい內。

とう瓷电ようある較早てきでんようかい吸收きゅうしゅう音波おんぱさんせい颤噪えいmicrophonicこうおう振動しんどうかい移動いどうでんようちゅうてきしるべでんいたゆずるでん容量ようりょう變化へんかいん此產せい交流こうりゅう電流でんりゅうゆう些介でんしつ也會ゆうあつでんこうおうところ形成けいせいてき擾在音響おんきょう應用おうようちゅうあさはんてき問題もんだい可能かのうかい造成ぞうせいかい授。わかはんむこうてき颤噪こうおういんため電場でんじょう改變かいへんかいたいでんようちゅうてきしるべでんいたほどこせりょく類似るいじあげおんかいさんせいじんみみ聽到てき聲音こわねただしかい消耗しょうもうのうりょう,也會增加ぞうかかいでんしつある電解でんかいえきちゅうてきでん應力おうりょく

電流でんりゅうはんこう及電あつはんむかい

[编辑]

とうでん容器ようきてき電流でんりゅう改變かいへん方向ほうこう,就會ゆう電流でんりゅうはんむかい(current reversal)てきじょうがた電壓でんあつはんむかい(voltage reversal)のり相關そうかん電路でんろ改變かいへん極性きょくせいかいゆうてき現象げんしょう電壓でんあつはんこう一般會描述成最大額定電壓的百分比。ざい直流ちょくりゅう電路でんろちゅう一般いっぱんかいしょう於100%,はんざい0いたり90%これあいだ交流こうりゅう電路でんろ就會ゆう100%。

ざい直流ちょくりゅう電路でんろ以及みゃく電路でんろちゅう電流でんりゅうはんこう及電あつはんむこうかい受到系統けいとうてき阻尼ところ影響えいきょうわかかけ阻尼てきRLC电路かいゆう電壓でんあつはんむこうてきじょうがた電壓でんあつ電流でんりゅう變換へんかん方向ほうこう形成けいせいよし电感でんよう組成そせいてき振子ふりこ。此時電壓でんあつ電流でんりゅうかい振盪しんとう,而且かいせいこうはんこうせつかわいくまい一次的振幅會比原來要小,最後さいご系統けいとうかい平衡へいこう一般いっぱんかいたたえため振鈴しんれいこうおう。而臨かい阻尼ある阻尼てき系統けいとうかいゆう電壓でんあつはんむこうざい交流こうりゅう電路でんろちゅう也有やゆうはんむこうてきじょうがたざいせいこう及反むこうてきみね值電りゅうしょうどう

ためりょう延長えんちょうでん容器ようきてき壽命じゅみょうでん容器ようき需要じゅよう以承受系統けいとうかいさんせいてき最大さいだいはんむこうりょう交流こうりゅう電路でんろ可能かのうかいゆう100%てき電壓でんあつはんむかい,而欠阻尼てき直流ちょくりゅう電路でんろはんむこうりょうかいしょう於100%。はんむこうかい造成ぞうせいかいでんしつがく外的がいてき電場でんじょうゆずるかいでんしつ及導たい發熱はつねつ,也會大幅おおはばちぢみたんでん容器ようきてき壽命じゅみょうはんむこうがくてい也會影響えいきょうでん容器ようきてき設計せっけい考量こうりょう包括ほうかつかいでん材料ざいりょうてきせんよう,以及內部材料ざいりょうてき電壓でんあつがくてい選擇せんたく[16]

かいでんしつ吸收きゅうしゅう

[编辑]

でん容器ようきかい使用しようてきかいでんしつ不同ふどうかいゆう不同ふどう程度ていどてきかいでんしつ吸收きゅうしゅうえいdielectric absorption現象げんしょうざいでん容器ようき放電ほうでんなみ切斷せつだん電源でんげんたん暫時ざんじあいだ後會こうかいいんためかいでん質的しつてき磁滯こうおう而產せい電壓でんあつわか精密せいみつてきよう保持ほじ電路でんろある計時けいじようてき電路でんろかいでんしつ吸收きゅうしゅうかい影響えいきょう其電てきうんさくかいでんしつ吸收きゅうしゅうてき程度ていど許多きょたいんもとゆうせきいんため磁滯こうおう時間じかんゆうせき,其中也ちゅうや包括ほうかつ設計せっけいたい充電じゅうでん時間じかんてき考量こうりょうしゅ要因よういんもとかいでん質的しつてき材料ざいりょうゆうせきぞう鉭質電解でんかいでんようある聚砜薄膜うすまくでんようてきかいでんしつ吸收きゅうしゅうこうおう較大,而聚苯おつある聚四氟乙烯かいでん質的しつてきかいでんしつ吸收きゅうしゅうこうおう就很しょう[17]ゆう應用おうようれい閃光せんこうかんえいflashtube[18]电视つくえしょ使用しようてきでん容器ようき可能かのうかいたいゆう危險きけんてき電壓でんあつ及能りょうでん容器ようきざいだんでん可能かのうかいいんためかいでんしつ吸收きゅうしゅう而帶ゆう危險きけんせいてき電壓でんあつにんなにもうかのういた10こげみみてきでん容器ようきそくゆう危險きけんせいわかもうかのういた50こげみみ以上いじょう有可ゆか能會のうかい致命ちめいでん容器ようき可能かのうざい放電ほうでん幾分いくぶんかねかえゆう其原そのはらはじめでん量的りょうてき1%いたり20%,いん此一個看似安全的電容器其實可能具有相當的危險性[19][20][21][22]

漏電ろうでんりゅう

[编辑]

漏電ろうでんりゅう(Leakage)以等こうためざいでん容器ようきじょうなみれんいちでん阻。でん容器ようき暴露ばくろざい高溫こうおん可能かのうかい破壞はかい其介でんしつ造成ぞうせい量的りょうてき漏電ろうでんりゅう,這是早期そうき真空しんくうかん電路でんろ常見つねみてき問題もんだい特別とくべつ使用しようひたでん容器ようきある金屬きんぞくはくでん容器ようきてきじょう况。ざい許多きょた真空しんくうかん電路でんろちゅうかいようきゅうあいだ耦合でん容器ようきらいはた變動へんどうてき信號しんごうしたがえ真空しんくうかんてき一極到下一級的柵極電路。漏電ろうでんりゅうだいてきでん容器ようきかいゆずるしがらみごく電壓でんあつ較其正常せいじょう設定せってい值要だかさんせい過大かだいてき電流でんりゅうあるゆずる一級真空管的信號扭曲。わかこうりつきゅう真空しんくうかん,甚至かいゆずるしがらみごくいたはつべにあるゆずるげんりゅうでん阻過ねつ,甚至於失效しっこうざいかたたいでんあきらからだ大器たいきちゅう仍有類似るいじ考量こうりょういんため發熱はつねつ真空しんくうかんようしょう,而且使用しよう現代げんだいてき聚酯でんかいしつ材質ざいしつ作為さくいへいさわ,這種問題もんだいやめけい比較ひかくしょう

長久ながひさ使用しようてき失效しっこう

[编辑]

電解でんかいでんよう供應きょうおうしょうざい製造せいぞうでん容器ようきかい提供ていきょうあし夠的電壓でんあつ使つかい其內しょ適當てきとうてきはつはじめ化學かがく狀態じょうたい提供ていきょう電壓でんあつてき驟稱ためかつ(conditioned)。ゆう電解でんかいでんようてき電路でんろわか正常せいじょう使用しようかいゆずるでんよう維持いじざいかつ狀態じょうたいわかゆう電解でんかいでん容器ようきてき電路でんろ長期ちょうきぼつゆう通電つうでん需要じゅようおもしんかつ方式ほうしき以較ひくてき電壓でんあつ通電つうでんいちだん時間じかんいやのりざいした以正つね電壓でんあつ送電そうでんでん容器ようき可能かのうかい失效しっこう而短

でん容器ようき種類しゅるい

[编辑]

目前もくぜんめんじょうやめ購得許多きょた不同ふどう型式けいしきてきでん容器ようき可分かぶんため許多きょた不同ふどうてき型式けいしき。內部かいでん質的しつてき種類しゅるいでん容器ようききょくばん結構けっこう以及もとけんてき包裝ほうそう都會とかい大幅おおはば影響えいきょうでん容器ようきてき特性とくせい,以及其應用おうよう場合ばあい

でん容器ようきてきよう值可以小いた非常ひじょうひくれい如小いたかずpFてき範圍はんい理論りろんうえでん容器ようきてきよう值還以更しょうただしざい電路でんろちゅうてきざつでんようかいげんせいいんもと),最大さいだい以到5 kFてきちょうきゅうでん容器ようき

大約たいやく超過ちょうかμみゅーFてきでん容器ようき就會せんよう电解电容原因げんいん體積たいせき較小,價格かかく其他型式けいしきてきよう便宜べんぎ也有やゆう場合ばあいかいいんため電解でんかいでんようてき穩定せい及壽いのち較佳,ある其極せいもとけんてき特性とくせい而需ようあらためよう其他てきでん容器ようき非常ひじょうだかでん容量ようりょうてきちょうきゅうでん容器ようき使用しようゆうあなてき碳基電極でんきょく材料ざいりょう

かいでんしつ

[编辑]
不同ふどう種類しゅるいてきでん容器ようきひだりおこり積層せきそうとう瓷電ようえんいたがたすえ瓷電よう積層形せきそうがた聚酯でんようかんがたすえ瓷電よう聚苯おつでんようじくむこうえんいたがた)、金屬きんぞくまく聚合ぶつでんよう、鋁電解でんかいでんようしゃくじょうてきだいこくためおおやけぶん

許多きょたてきでんよう都會とかい使用しよう其他てきかいでんしつ使つかい其電容量ようりょうざい空氣くうきちゅうある真空しんくうちゅうてきさらだいためりょう使つかいでんようざいしょうどう體積たいせき以有最大さいだいてきよう值,一般いっぱんかい希望きぼうかいでん質的しつてき电容りつえつだかこしよしみ击穿电压えつだかこしよしみかいでんしつざい不同ふどうしきりつてき損失そんしつえつていえつこのみ

也有やゆう一些低容值的電容是在兩電容極板之間為真空,ぼつゆうかいでんしつ,其好しょ以在很高てき電壓でんあつうんさく損失そんしつ很小。ざいおさむおと調ちょう諧電ちゅう有用ゆうよういた變電へんでんよう,其極ばんあいだてきかいでんしつ空氣くうき近來きんらいてき設計せっけいそくざい活動かつどうごくいた靜止せいしきょくばんあいだよう高分子こうぶんし軟板てきかいでんしつ兩極りょうきょくばんあいだぼつゆう很明あらわてきすき

ゆう許多きょたかたたいてきかいでんしつれい塑料玻璃はりうんははとう[23]

ざい早期そうきてきでん容器ようきちゅう常會じょうかいよう纸為かいでんしつ,其工作こうさく電壓でんあつ比較ひかくだかただしかみかい吸收きゅうしゅう濕氣しけ,這類てきでんようやめ塑膠薄膜うすまくでんようえいfilm capacitorだい

大部おおぶ份現こん使用しようてき塑膠薄膜うすまくでんよう穩定せい及老特性とくせいあぶらひたてき纸電容器ようきようこのみいん此可ようざい計時けいじ電路でんろちゅういんため工作こうさく溫度おんど工作こうさくしきりつ較低,應用おうようじょうかい比較ひかく受限。大型おおがたてき塑膠薄膜うすまくでんよう普遍ふへんようざい抑制よくせい電路でんろ(suppression circuits)、電動でんどうけいどう電路でんろ,以及こういん修正しゅうせい電路でんろちゅう

とう瓷电よう一般いっぱん體積たいせき很小、價格かかく便宜べんぎ適合てきごうだかしきてき應用おうよう其電よう值會あかりあらわ受到電壓でんあつ溫度おんどてき影響えいきょう,而且很容易ようい老化ろうかすえ瓷电よう也會ゆうあつでんこうおうてき問題もんだいすえ瓷电よう以分ため其容值隨溫度おんど變化へんかじょうがた以預はかてきclass 1 すえ瓷电容器ようき,以及以運さくざい較高電壓でんあつてきclass 2 すえ瓷电容器ようき現在げんざいてき多層たそうすえ瓷电ようはんよう值誤很小,ゆう些電ようざい本質ほんしつじょうゆう很大てきよう值誤多層たそうすえ瓷电ようかいゆう顫噪ざつ訊(microphonic)問題もんだい材質ざいしつはんえき碎。

玻璃はり及雲ははでんようてきもたれ非常ひじょうだか,很穩じょう,也可以在高溫こうおん及高あつうんさく其價值太とうといん此主りゅう應用おうよう很少よういた

電解でんかいでんよう及超きゅうでんよう以儲そんのうりょうちょうきゅうでんようもうかのう效果こうかまた電解でんかいでんようようこのみすえ瓷电ようはんかいよういたLC电路うえ

三種不同容值的鋁電解電容

電解でんかいでんよう中有ちゅううあるてきごくいた以及氧化絕緣ぜつえんそう。另いち電極でんきょくえきたいてき电解质もたれ金屬きんぞくはく電極でんきょくしょう連接れんせつ電解でんかいでんようてきよう值很だいただし其電よう偏差へんさ也很だい,而且高度こうど不穩ふおんじょうざい受熱其容值會慢慢下降かこう,而且ゆうだいてき漏電ろうでんりゅうてい品質ひんしつてき電路でんろかいゆずる電解でんかいえき漏出ろうしゅつ傷害しょうがい電路でんろばんそくためでんよう災難さいなん)。電解でんかいしつてき電導でんどう係數けいすうざい低溫ていおんかいあかりあらわ下降かこういん此會增加ぞうかとうこうくしれんでん阻。電解でんかいでんよう常用じょうようざい許多きょた電源でんげん調節ちょうせつてき應用おうようちゅう其高しき特定とくていけいいん此在許多きょた應用おうようちゅう不適合ふてきごう使用しよう電解でんかいでんようわかいちだん時間じかんやくいちねんぼつゆう使用しようかいゆう退化たいかてきじょうがたわかぼつ有事ゆうじさき處理しょり直接ちょくせつぜんこうりつ輸出ゆしゅつかい發生はっせいたんたいでん容器ようきさんせい永久えいきゅう傷害しょうがいはん也會ゆずる保險ほけんいと熔斷,あるゆずる整流せいりゅうきょくからだ損壞そんかいれい如較きゅうてき設備せつび可能かのうゆずる整流せいりゅう真空しんくうかん出現しゅつげんでんわか長久ちょうきゅうぼつゆう使用しようざい正式せいしき使用しようまえややすすむてき增加ぞうか電壓でんあついちだん時間じかんでんようかつ),就不かいゆう退化たいかてきじょうがたぞう早期そうきてき真空しんくうかん設備せつびかいよう可變かへん變壓へんあつほどこせ交流こうりゅう電源でんげんさんじゅうふんがね一些固態電子設備可能不適合這樣使用,ざいてい於正つね工作こうさく電壓でんあつ以下いかてき電壓でんあつ使用しよう可能かのうかい使もとけん受損,いん此在きょうでんかつでんようまえ,需將應用おうよう電路でんろさききりはなれ電源でんげん

鉭質でんようてきしきりつ特性とくせい溫度おんどとく電解でんかいでんようようこのみただしかいでん吸收きゅうしゅうえいdielectric absorption及漏電流でんりゅう較大[24]

聚合ぶつでんようえいPolymer capacitor(OS-CON, OC-CON, KO, AO)ようかたたいしるべでんてき聚合ぶつある聚合てき有機ゆうき半導體はんどうたいため電極でんきょくゆう較長てき壽命じゅみょう以及較低てきとうこうくし联电阻ただしあたい值比標準ひょうじゅんてき電解でんかいでんようようとうと

通電つうでんようえいFeedthroughよう于通过外壳或印刷いんさつ电路ばん传送信号しんごうてき导体,电容りょう很小。

也有やゆう適用てきよう於一些特殊應用的電容。ちょうきゅうでんよう以儲そん大量たいりょうてきのうりょう,其材質ざいしつよし碳的气凝胶、奈米碳管ある多孔たこう電極でんきょく材料ざいりょうせいなりゆう非常ひじょうだかてきよう值( 截至2010ねん (2010-Missing required parameter 1=month!)てきすうよりどころ以到 5 kF),ざい一些應用中可以代替蓄電池ちくでんち使用しよう交流こうりゅうでんでんよう設計せっけいざい市電しでん交流こうりゅう電壓でんあつ工作こうさくてきでんようはんようざい电动つくえ相關そうかん電路でんろ也有やゆう較大てき電流でんりゅうりょういん體積たいせき比較ひかくだい交流こうりゅうでんようはんゆう堅固けんごてき金屬きんぞくがいから方便ほうべん接地せっち一般いっぱん這種でんようてき直流ちょくりゅう崩潰ほうかい電壓でんあついたりしょうかい設計せっけいざい最大さいだい交流こうりゅう電壓でんあつてきばい以上いじょう

型式けいしき

[编辑]
でんようふうそうひだり上方かみがたただしSMDとう瓷電ようひだり下方かほうSMD鉭質でんようみぎ上方かみがたただしつうあな插装わざ鉭質でんようみぎ下方かほうどおりあな插装てき電解でんかいでんようちゅうしゃくてきだいこくおおやけぶん

あきらでんようがくてい不同ふどう電極でんきょくばん及介でん質的しつてき配置はいち也有やゆう許多きょた不同ふどうてき型式けいしきわかでん容器ようきよう值較しょうμみゅーFあるさらしょう),とう瓷碟がたでんようかいゆう金屬きんぞくてき鍍層,導線どうせんてき引線かい焊接ざい鍍層じょう。較大よう值的でんようかいよう多層たそう電極でんきょくばんある碟型てきそうたたみ方式ほうしき,較大よう值的でんよう一般いっぱんかいよう金屬きんぞくはくある鍍在かいしつはく表面ひょうめんてき金屬きんぞく薄膜うすまくそうらい做為電極でんきょくばん,以及よう浸漬しんせきかいでん材料ざいりょうてきでん絕緣ぜつえんえいElectrical insulation paperある塑膠がたてきてき絕緣ぜつえんそう。一般這些箔或薄膜會層疊捲起來以節省空間。ためりょう減少げんしょうちょう電極でんきょくいたてきくしれんでん阻及でんかん電極でんきょくばん及介でん質的しつてき配置はいちかいゆずる引線せっざい圓筒えんとうじょうめくきょくはくぼういちがわてきえん,而不せっざいめくきょくはくてき末端まったん

でんようざいぐみそうかいはた內部つつみ裹起らい,避免濕氣しっけ進入しんにゅうかいでんしつ早期そうきてき無線むせんでん設備せつびようよう密封みっぷうてきいたかん現代げんだいてき紙質かみしつある薄膜うすまくでんようかい浸入しんにゅう硬質こうしつねつ塑性そせい塑料ちゅうこうあつてき大電だいでんようかいはためくきょくはく壓縮あっしゅく使つかい其可以裝いれちょう方體ほうたいてきそとからちゅうゆうにしせん連接れんせつてき端子たんし襯套進行しんこう連接れんせつ。較大容量ようりょうてきでんよう一般其內部會浸入液體以提昇其性能。

いくじくこう引線てき电解电容

でん容器ようきてき引腳也有やゆう許多きょた不同ふどうてきぐみたいれい如軸むかい(axially)あるみちむかい(radially)てきじくこう引線表示ひょうじ二個引線在同一直線上,一般也就是圓柱型電容器的軸,二個引線分別在圓柱型兩側圓形的圓心位置。みちむかい(radially)引線是延これのぶちょ圓柱えんちゅうがたてき半徑はんけい往外延伸えんしんただ二個引線會放在圓柱型某一側的圓上,はなれ圓心えんしんゆういちだん距離きょりてき位置いちりょう引線也會互相平行へいこう

小型こがた價格かかく便宜べんぎてき碟型とう瓷電よう1930年代ねんだいおこり開始かいし使用しよう現今げんこん仍廣泛使用しよう。1980年代ねんだいおこり許多きょたしょう容量ようりょうてきでんようやめ普遍ふへん使用しよう表面ひょうめんあんそうわざ(SMD)てきふうそう。此封そう方式ほうしきてき體積たいせき非常ひじょうしょう,而且ぼつゆう引線,直接ちょくせつ銲接ざい印刷いんさつ电路ばんうえ。SMDてきでんようもとけん避免りょういんため引線而產せいてきだかしきこうおう,也簡自動じどうてき生產せいさん也因ため尺寸しゃくすんしょう人工じんこう焊接かい比較ひかく困難こんなん

機械きかいせいひかえ變容へんようてき電極でんきょくばん位置いち調整ちょうせいれい如是にょぜよう移轉いてんあるすべり動的どうてき方式ほうしき使つかい活動かつどう電極でんきょくばんたいせいあるたいせい固定こていてき電極でんきょくばんてい成本なりもとてき變容へんようかいゆずる鋁板及塑にかわばん交錯こうさく排列はいれつさい配合はいごう電子でんしほろ調しらべえいtrimmer (electronics)變容へんようきょくたい(varactor、varicaps)以用電氣でんき方式ほうしきひかえせいでん容量ようりょう耗散(depletion region)ずい電壓でんあつ改變かいへんてきはんこうへんあつきょくたい常用じょうようざい锁相环及其應用おうようちゅう

應用おうよう

[编辑]
电容てき电路符号ふごう(卝)
でん容器ようき
固定こていでん容器ようき
極性きょくせいでん容器ようき 變電へんでん容器ようき
Capacitor symbol
Polarized capacitor symbol
Polarized capacitor symbol
Polarized capacitor symbol 2
Polarized capacitor symbol 2
Polarized capacitor symbol 3
Polarized capacitor symbol 3
Polarized capacitor symbol 4
Polarized capacitor symbol 4
Variable capacitor symbol

でん容器ようきざい電子でんし電機でんき系統けいとう中有ちゅうう許多きょたしゅ用途ようと

のうりょうもうかそん

[编辑]

とうでん容器ようき充電じゅうでん線路せんろ分離ぶんりでん容器ようきかいもうかそんのうりょういん此可作為さくい電池でんち提供ていきょう短時間たんじかんてき電力でんりょくでん容器ようき常用じょうようざい配合はいごう電池でんち使用しようてき電子でんし設備せつびちゅうざいさらかわ電池でんち提供ていきょう電力でんりょく,避免もうかそんてき資料しりょういんぼつゆう電力でんりょく消失しょうしつ

でん容器ようき常用じょうようざい電源でんげん供應きょうおうなか緩和かんわぜんはしあるはんきょう整流せいりゅうてき輸出ゆしゅつでん容器ようき也可ようざいでんよう泵浦(charge pump)電路でんろちゅうもうかそんのうりょう,以產せい輸入ゆにゅう電壓でんあつさらだかてき電壓でんあつ

ざい許多きょたてき電子でんし設備せつび及較だいてき電力でんりょく系統けいとう〔如工しょうちゅうためりょう提供ていきょう信號しんごう電路でんろあるひかえせい電路でんろいちいぬいきよしてきてき電源でんげんつねしょうでん容器ようき電源でんげん電路でんろなみれん。如音響おんきょう系統けいとうかいようすうでんようじょよし電源でんげん線上せんじょう傳來でんらい60Hzへるつてき訊號。でんようもうかそん直流ちょくりゅうてき電源でんげん同時どうじゆずる電源でんげんてき交流こうりゅう電流でんりゅうゆうつくりてきみちざいくるまよう音響おんきょうえいVehicle audio系統けいとうちゅう,就常使用しようでん容器ようきらい補償ほしょう蓄電池ちくでんち瞬時しゅんじ輸出ゆしゅつこうりつてき不足ふそく

こうりつ因数いんすう更正こうせい改善かいぜん

[编辑]

でん容器ようき使用しようざい需要じゅようこうりつ因数いんすう更正こうせいてき場合ばあいちゅうざい這種じょうがた常常つねづねさんでん容器ようき配合はいごうさんそうてき使用しよう。此時でん容器ようきてき單位たんい用法ようほうひしげ計算けいさん,而是使用しようこうこうりつ(Reactive Power),單位たんいためとぼしえいVolt-ampere reactive(VAR)。入電にゅうでん容器ようきてき目的もくてきいん抵消うまいたるある日光にっこうとうひとしでん感性かんせいまけてき影響えいきょう使つかいまけ儘量接近せっきんでん阻性まけ

VAR = V2 × 2 πぱい f C
上述じょうじゅつ公式こうしきちゅうV:電壓でんあつ(V),fしきりつ(Hz),C:でん容量ようりょう(F)

如改使用しようせんとぼし(kVAR)あずかほろほうひしげμみゅーF)ため單位たんいのり公式こうしき變成へんせい
kVAR = V2 × 2 πぱい f C × 10-6 ÷ 1000 = V2 × 2 πぱい f C × 10-9

濾、濾波

[编辑]

信號しんごう耦合

[编辑]

よし於電容器ようき阻隔そかく直流ちょくりゅう信號しんごう通過つうかてき特性とくせいでん容器ようき常用じょうようらい濾信ごう直流ちょくりゅうてき部分ぶぶんただとめ交流こうりゅうてき信號しんごうしょうため交流こうりゅう耦合(ゆう也會よう變壓へんあつたちいた類似るいじ目的もくてき)。もちいざい交流こうりゅう耦合用途ようとてきでん容器ようきかいゆう較大てきでん容量ようりょう,其電よう值不需很精確せいかくただしざい信號しんごう交流こうりゅうなり份流ときでんよう需有ひくてきかんこう值。为这种用途ようと设计なり适合穿ほじ过一个金属控制板的电容,しょう为穿こころ电容,ざい电路图上穿ほじこころ电容あずか其他电容てき符号ふごうゆう细微てき别。

ざい显卡うえてき电容

ざつ訊過濾器、うまたちけいどう及減ふるえ緩衝かんしょう

[编辑]

とうでんかんゆう電流でんりゅうりゅう,而瞬あいだひらけせきひらくよしひらきせき無法むほうりゅう電流でんりゅうでん感電かんでんりゅう瞬間しゅんかんくだいたれいかいざいひらけかかわある繼電器けいでんき兩端りょうたんさんせいだか電壓でんあつわかでんかん較大,其能りょうかいさんせい火花ひばな使つかいとく接點せってん氧化ある熔化接合せつごうある造成ぞうせいかたたいひらきせきてき損壞そんかいわかざいひらきせきつくりなみれん緩衝かんしょうでんよう(Snubber capacitor),以在ひらけせきひらく提供ていきょうでんかん電流でんりゅうみち通過つうか以延ちょうひらきせきてき壽命じゅみょうれい如在汽車きしゃ點火てんか系統けいとうてきだん就會なみれんいち緩衝かんしょうでんよう

ざいこうりつ較小てき系統けいとうちゅうさんせいてき火花ひばなかい造成ぞうせいひらけせき損壞そんかいただしさんせいてきだか電壓でんあつかいさんせいしき(Radio Frequency Interference, RFI),わかそう緩衝かんしょうでんようそく減少げんしょういんひらけせきひらくたいらいてき擾。緩衝かんしょうでんよう一般會串聯低阻值的電阻,消耗しょうもうのうりょう及降ていしき擾。

感應かんおうたち需要じゅよう一個隨著時間變化其角度的旋轉磁場じば才能さいのう正常せいじょう工作こうさくさんそう感應かんおうたち直接ちょくせつよしさんそう電源でんげんさんせい旋轉せんてん磁場じばわかたんしょう感應かんおうたちのり需在けいどうそういちでん容器ようき利用りようでん容器ようき和馬かずまたちでんかんてきしょうさんせい旋轉せんてん磁場じば使つかいたちけいどう,此電ようたたえためけいどうでんよう

信號しんごう處理しょり

[编辑]

储存于电容器ようきちゅうてきのうりょう可用かようおもてしんいき,如电脑なかてき进制形式けいしきある开关电容电路あずかみずおけ队列のべ迟线”(bucket-brigade delay lines)ちゅうてき拟形しき。电容应用ざいかたぎ拟电ちゅう做为积分(integrators)あるさら复杂滤波てき组件,也用ざい负反馈环路稳定せいちゅう信号しんごう处理电路也用电容对电信号しんごうもとむ积分(integral)

調しらべ諧電

[编辑]

でん容器ようきでんかんざい調しらべ諧電ちゅうようらい選擇せんたく固定こていしきりつ範圍はんい內的信號しんごうれい如,おさむおとてき接收せっしゅう利用りよう變電へんでん容器ようきらい調整ちょうせい接收せっしゅうてきしきりつ

おさむおとつくえ所用しょようてき变电容器ようき通常つうじょう为方がた塑封,かい质为塑料薄膜うすまく通常つうじょうゆう两个互不しょう连的ていかた一个动片组成,容量ようりょうしょうどうてきそう联单抽头叠层电容,最大さいだい电容为几じゅうnF,よう更改こうかい接收せっしゅう电台频率,也有やゆう其他引脚てきがたごうれい如双抽头そう联6きゃくよう于调频调はば;而另いち可能かのう现在おさむおとつくえとう无线おさむ发电てき变电よう容量ようりょう较小,2个引あし,塑封,通常つうじょう为数pf-すうじゅうpf,一般调好后不再调节。

おさむおと接收せっしゅう接收せっしゅうてきしきりつでんかん(L)でんよう(C)てき函數かんすう其式それしき如下:

此頻りつRLCくしれん電路でんろてき共振きょうしんしきりつ

其他應用おうよう

[编辑]

かんじはかうつわ應用おうよう

[编辑]

でん容器ようきてき應用おうようはんかい改變かいへん物理ぶつり結構けっこう,而是利用りようでん容器ようきてき特性とくせいらい改變かいへん電壓でんあつある電流でんりゅうざい固定こてい電壓でんあつわか改變かいへんかいでんしつてき物理ぶつり特性とくせいある電子でんし特性とくせいでん容器ようき也可ようざいかんはか應用おうようじょうわか使つかい空氣くうき滲透しんとういたでん容器ようきてきかいでんしつちゅう可用かようでん容器ようき測量そくりょう空氣くうきてき濕度しつどようたわわせいてき平板へいばん製作せいさくてきでん容器ようきそく測量そくりょう應力おうりょくある壓力あつりょくざいでんようしきむぎかつふうちゅうでんよう一端可隨空氣壓力而位移,另一はし固定こていのり可用かようでんよう作為さくい聲音こわねてきかんじはかうつわ

ゆう加速かそくけい使用しようあきらへんうえ蝕刻てきほろ機電きでんでんようらい測量そくりょう加速度かそくどてき方向ほうこう及大しょう。如此ようざい傾斜けいしゃある汽車きしゃ安全あんぜん囊的かんはかうつわちゅう測量そくりょう加速度かそくどてき變化へんか

みゃく衝功りつ及武應用おうよう

[编辑]

でんかん值低、たいだか電壓でんあつてき大電だいでんようぐみ(capacitor banks)常用じょうようらい提供ていきょうみゃく衝功りつ應用おうよう需要じゅようてきだい電流でんりゅう。這類てき應用おうよう包括ほうかつりょう电磁成形せいけいえいElectromagnetic forming(electromagnetic forming)、Marxみゃく發生はっせいえいMarx generatorみゃくかみなりしゃゆう其是TEAかみなりしゃえいTEA laser)、脉冲形成けいせい网络かみなりたちかく融合ゆうごう研究けんきゅう粒子りゅうし加速器かそくき

大型おおがた电容组被よう做桥はり爆破ばくは炸药、かく武器ぶきさとめんてき起爆きばく装置そうち其他特殊とくしゅ武器ぶきさとめん利用りよう电容组作为电磁式装甲そうこう(electromagnetic armor)、动能混合こんごうがた弹药(railguns)かず轨道一线圈混合发射器的电源的试验性工作正在进行。

でんようてき潛在せんざい危險きけん安全あんぜんせい

[编辑]

ざいでんよう充電じゅうでんせき閉電げんでんよう內的電荷でんか可能かのうもうかそん很長てきいちだん時間じかん。此電荷足にあし以產せい電擊でんげきある破壞はかいしょう連結れんけつてき。一個拋棄式相機閃光模組由1.5V AA 乾電池かんでんち充電じゅうでん安全あんぜんただし其中てきでんよう可能かのうかい充電じゅうでんいた300V,300Vてき電壓でんあつさんせいてき電擊でんげきかい使つかいじん非常ひじょう疼痛とうつう,甚至可能かのう致命ちめい

許多きょたでんようてきとうこうくしれんでん(ESR)ていいん此在たんかいさんせいだい電流でんりゅうざい維修具有ぐゆう大電だいでんようてき設備せつびまえ,需確認かくにんでんようやめけい放電ほうでんかん畢。ためりょう安全あんぜんじょうてき考量こうりょう所有しょゆう大電だいでんようざいぐみそうぜん需要じゅよう放電ほうでんわかざい基板きばんじょうてきでん容器ようき以在でん容器ようきつくりなみれんいち放電ほうでんえいBleeder resistorざい正常せいじょう使用しよう放電ほうでん阻的漏電ろうでんりゅうしょうかい影響えいきょう其他電路でんろ。而在だんでん放電ほうでん阻可提供ていきょうでんよう放電ほうでんてきみちこうあつてき大電だいでんようざいもうかそん需將其端子たんしたん,以確保かくほ其儲そん電荷でんかひとしやめ放電ほうでんいんためわかでんようざいあんそう突然とつぜん放電ほうでんさんせいてき電壓でんあつ可能かのうかい造成ぞうせい危險きけん

大型おおがたろうしきてきあぶらひたでん容器ようきちゅう含有がんゆう氯聯苯(poly-chlorinated biphenyl),いん此丟棄時需妥ぜん處理しょりわか妥善處理しょり氯聯苯會進入しんにゅう地下水ちかすいちゅうしん而污しみ飲用いんようすい氯聯苯是致癌物質ぶっしつ微量びりょう就會たい人體じんたい造成ぞうせい影響えいきょうわかでん容器ようきてき體積たいせきだい,其危險きけんせいさらだい需要じゅよう格外かくがい小心しょうしんしんてき電子でんしれいけんちゅうやめ含多氯聯苯。

こう電壓でんあつてきでん容器ようきわかざいけいどう加入かにゅうなるけいどうまとせいげんせい其突入電にゅうでんりゅう延長えんちょう設備せつび壽命じゅみょうつつみますもとけんもたれ,也可以避めんだか電壓でんあつ造成ぞうせいてき危害きがい

こう电压电容潜在せんざいてき危險きけん

[编辑]

在高ありだか电压きょう电流工作こうさくてき电容ゆうちょう一般いっぱんてき危险。

こう电压电容ざいちょう其标しょう电压工作こうさく时有可能かのう发生灾难せいてき损坏。绝缘材料ざいりょうてき故障こしょう可能かのうかい导致ざいたかし满油(通常つうじょう这些おこりへだた绝空气的作用さようてきしょう单元产生电弧致使绝缘液体えきたいふけ发,引起电容とつ破裂はれつ甚至ばく炸,而爆炸会はたえきもえてきあぶらろうてきいた处都おこり、损坏附近ふきんてき设备。かた包装ほうそうてき圆柱じょう玻璃はりある塑料电容おこり通常つうじょう方体ほうたい包装ほうそうてき电容さら容易ようい炸裂さくれつ,而后しゃ容易ようい在高ありだか压下きれ开。

ようざい电路中和ちゅうわ长期ざいきょう电流环境工作こうさくてき电容かい过热,とく别是电容中心ちゅうしんてきまきとうそく使つかい外部がいぶ环境温度おんど较低,ただし这些热量不能ふのう及时散发出しゅう聚在内部ないぶ可能かのうかい迅速じんそく导致内部ないぶだか热从而导致电よう损坏。

在高ありだかのう环境工作こうさくてき电容组,如果其中いち个出现故障こしょう使つかい电流突然とつぜん切断せつだん,其他电容ちゅう储存てきのうりょうかい涌向故障こしょうてき电容,这就そくゆう可能かのう猛烈もうれつてきばく炸。

こう电压真空しんくう电容そく使ざいせい使用しよう时,也会发出一定いっていてきX线。适当てき密封みっぷう方式ほうしき、熔斷せい(fusing)预防せい维护かい帮助减少这些潜在せんざいてき危险。

ちゅう

[编辑]
  1. ^ さけべよう電器でんき(electric condenser),現在げんざいざいさらめいためでん容器ようき

参考さんこう文献ぶんけん

[编辑]

引用いんよう

[编辑]
  1. ^ Bird, John. Electrical and Electronic Principles and Technology. Routledge. 2010: 63–76 [2013-03-17]. ISBN 9780080890562. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  2. ^ Floyd, Thomas. Electronic Devices 7th. Upper Saddle River, NJ: Pearson Education. 1984–2005: 10. ISBN 0-13-127827-4. 
  3. ^ https://web.archive.org/web/20060828235438/http://www.ttc-cmc.net/~fme/captance.html
  4. ^ Scaling in binary percolation networks. [2019-09-03]. (原始げんし内容ないようそん于2019-12-28). 
  5. ^ Ulaby 1999だい170ぺーじ.
  6. ^ Pai, S. T.; Qi Zhang. Introduction to High Power Pulse Technology. Advanced Series in Electrical and Computer Engineering 10. World Scientific. 1995 [2013-03-17]. ISBN 9789810217143. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  7. ^ Dyer, Stephen A. Wiley Survey of Instrumentation and Measurement. John Wiley & Sons. 2004: 397 [2013-03-17]. ISBN 9780471221654. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  8. ^ Scherz, Paul. Practical Electronics for Inventors 2nd. McGraw Hill Professional. 2006: 100 [2013-03-17]. ISBN 9780071776448. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  9. ^ Inuishi, Y.; Powers, D.A. Electric breakdown and conduction through Mylar films. J. Appl. Phys. 1957, 28 (9): 1017–1022. Bibcode:1957JAP....28.1017I. doi:10.1063/1.1722899. 
  10. ^ Reed, C.W.; Cichanowski, S.W. The fundamentals of aging in HV polymer-film capacitors. IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation. 1994, 1 (5): 904–922. doi:10.1109/94.326658. 
  11. ^ Klein, N.; Gafni, H. The maximum dielectric strength of thin silicon oxide films. IEEE Transactions on Electron Devices. 1966, 13 (2): 281–289. Bibcode:1966ITED...13..281K. doi:10.1109/T-ED.1966.15681. 
  12. ^ Belkin, A.; et al. Recovery of alumina nanocapacitors after high voltage breakdown. Scientific Reports. 2017, 7 (1): 932. Bibcode:2017NatSR...7..932B. PMC 5430567可免费查阅. PMID 28428625. doi:10.1038/s41598-017-01007-9. 
  13. ^ Bird, John. Electrical Circuit Theory and Technology. Routledge. 2007: 501 [2013-03-17]. ISBN 9780750681391. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  14. ^ Ulaby 1999だい169ぺーじ.
  15. ^ Ceramic Capacitor Aging Made Simple. Johanson Dielectrics. 2012-05-21 [2013-03-17]. (原始げんし内容ないようそん档于2012-12-26). 
  16. ^ The Effect of Reversal on Capacitor Life (PDF). Engineering Bulletin 96-004. Sorrento Electronics. 2003-11 [2013-03-17]. (原始げんし内容ないよう (PDF)そん档于2014-07-14). 
  17. ^ Kaiser, Cletus J. The Capacitor Handbook. Springer Science & Business Media. 6 December 2012 [2019-09-05]. ISBN 978-94-011-8090-0. (原始げんし内容ないようそん于2022-05-20). 
  18. ^ Xenon Strobe and Flash Safety Hints页面そん档备份そん互联网档あん). donklipstein.com. May 29, 2006
  19. ^ Electronics. McGraw-Hill 1960 p. 90
  20. ^ Prutchi, David. Exploring Quantum Physics through Hands-on Projects. John Wiley & Sons. 28 February 2012: 10 [2022-11-28]. ISBN 978-1-118-17070-0. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  21. ^ Dixit, J. B.; Yadav, Amit. Electrical Power Quality. Laxmi Publications, Ltd. 2010: 63 [2019-09-05]. ISBN 978-93-80386-74-4. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  22. ^ Winburn. Practical Laser Safety, Second Edition. CRC Press. 13 November 1989: 189 [2019-09-05]. ISBN 978-0-8247-8240-5. (原始げんし内容ないようそん于2022-04-28). 
  23. ^ Ho, Janet; Jow, T. Richard; Boggs, Steven. Historical Introduction to Capacitor Technology. IEEE Electrical Insulation Magazine. Jan 2010, 26 (1): 20–25 [2020-03-16]. doi:10.1109/mei.2010.5383924. (原始げんし内容ないようそん于2020-05-15). 
  24. ^ Guinta, Steve. Ask The Applications Engineer – 21. Analog Devices. [2013-03-17]. (原始げんし内容ないようそん于2013-02-26). 

らいみなもと

[编辑]

外部がいぶ連結れんけつ

[编辑]

まいり

[编辑]