台湾 積 体 電路 製造
Fab 5ビル(TSMC ブック) | |
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TSMC、 | |
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1987 | |
| |
ファウンドリ、 | |
| |
259,303,804,580 | |
1,587,415,037,000 | |
649,980,897,000 | |
3,725,503,455,000 | |
65,152 | |
12月 | |
TSMC ジャパン TSMCデザインテクノロジージャパン TSMCジャパン3DIC Japan Advanced Semiconductor Manufacturing | |
www |
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〒220-6221 クイーンズタワーC | |
1997 | |
| |
6020001032902 | |
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3 | |
1555 | |
8 (2020 | |
12月31 |
TSMCが
概要
[TSMCは、1987
2018
2022
TSMCは、
TSMCは、
2020
JASM
[JASM(Japan Advanced Semiconductor Manufacturing
2021
ジャパンデザインセンターと3DIC研究 開発 センター
[グローバル
TSMCジャパン3DIC
主要 顧客 と技術 の提供
[2021
2021
TSMCは、7 nmと5 nmプロセスによるICウェハを
技術 、製品 、サービス
[7 nmプラス(N7+) によって、TSMCは、
TSMCは、
- 0.13
μ m (用途 :汎用 (G),低 消費 電力 (LP),ハイパフォーマンス低 電圧 (LV)) 1215 - 90 nm (2006
年 第 四 四半期 からの80GCに基 づく) - 65 nm (
用途 :汎用 (GP),低 消費 電力 (LP),超 低 消費 電力 (ULP), LPG) - 55 nm (
用途 :汎用 (GP),低 消費 電力 (LP)) - 40 nm (
用途 :汎用 (GP),低 消費 電力 (LP),超 低 消費 電力 (ULP))
- 28 nm (
用途 : ハイパフォーマンス (HP), ハイパフォーマンスモバイル (HPM), ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC), ハイパフォーマンス低 消費 電力 (HPL),低 消費 電力 (LP), ハイパフォーマンスコンピューティングプラス (HPC+), HKMGを使用 した超 低 消費 電力 (ULP) - 22 nm (
用途 :超 低 消費 電力 (ULP),超 低 リーク (ULL)) - 20 nm
- 16 nm (
用途 : FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Compact (FFC)) - 12 nm (
用途 : FinFET Compact (FFC), FinFET, NVIDIA (FFN)), 16 nm プロセスの拡張 版
- 10 nm (
用途 : FinFET (FF)) - 7 nm (
用途 : FinFET (FF), FinFET Plus (FF+), FinFET Pro (FFP), ハイパフォーマンスコンピューティング (HPC)) - 6 nm (
用途 : FinFET (FF), 2020年 第 一 四半期 よりリスク生産 開始 , 7 nmプロセスの拡張 版 ) - 5 nm (
用途 : FinFET (FF)) - 4 nm (
用途 : FinFET (FF), 2022年 より生産 開始 , 5 nmプロセスの拡張 版 )[23] - 3 nm[31], 2022
年 12月より生産 開始 [24][25]
また、TSMCでは、より
ESGへの取 り組 み
[2021
2020
2020
TSMCは、
2020
脚注
[出典
[- ^ “
台湾 セミコンダクター・マニュファクチャリング【TSM】:企業 情報 /株価 - Yahoo!ファイナンス”. Yahoo! Japan. 2015年 10月 24日 閲覧 。 - ^ a b c
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参考 文献
[朝 元 照雄 『台湾 の企業 戦略 』勁草書房 、2014年 、ISBN 4326503998。第 1章 「台湾 積 体 電路 製造 (TSMC)の企業 戦略 」に詳 しい。