電圧でんあつの比較ひかく

電圧でんあつの比較ひかく（でんあつのひかく）では、電圧でんあつ、電位でんい差さを比較ひかくできるよう、昇順しょうじゅんに表ひょうにする。

電圧でんあつには正負せいふがあるが、ここではその絶対ぜったい値ちを扱あつかう。また、起電きでん力りょく、電圧でんあつ降下こうかも扱あつかう。

表ひょう[編集へんしゅう]


因数いんすう	単位たんい	値ね	説明せつめい
10⁻⁹	ナノボルト (nV)	4 nV	温度おんど 300 K で 1 Ωおーむの電気でんき抵抗ていこうに生しょうじる帯域たいいき幅はば 1 kHzきろへるつ当あたりの熱ねつ雑音ざつおん(rms値ち)
10⁻⁹	ナノボルト (nV)	130 nV	温度おんど 300 K で 1 kΩおめがの電気でんき抵抗ていこうに生しょうじる帯域たいいき幅はば 1 kHzきろへるつ当あたりの熱ねつ雑音ざつおん(rms値ち)
10⁻⁶	マイクロボルト (µV)	20〜70 µV	ヒトの脳波のうはの振幅しんぷく
10⁻⁶	マイクロボルト (µV)	647 µV	R熱ねつ電でん対たい(白金はっきん13%ロジウム-白金はっきん)の0℃〜100℃の熱ねつ起電きでん力りょく
10⁻³	ミリボルト (mV)	4.10 mV	K熱ねつ電でん対たい(アルメル-クロメル)の0℃〜100℃の熱ねつ起電きでん力りょく
		-70〜-87 mV	ヒトの筋肉きんにくの静止せいし電位でんい
		100〜300 mV	ゲルマニウムダイオードのおよその電圧でんあつ降下こうか (順じゅん方向ほうこう電圧でんあつ)
		200〜400 mV	ショットキーバリアダイオードのおよその電圧でんあつ降下こうか (順じゅん方向ほうこう電圧でんあつ)
		600〜700 mV	シリコンダイオードのおよその電圧でんあつ降下こうか
10⁰	ボルト (V)	1 V	1 A (アンペア) の電流でんりゅうが流ながれる導体どうたいの2点てん間あいだで 1 W (ワット) の電力でんりょくが消費しょうひされるときの2点てん間あいだの電位差でんいさ
			1 Ωおーむ (オーム) の電気でんき抵抗ていこうに 1 A の電流でんりゅうが流ながれているときの抵抗ていこう両りょう端はしの電位差でんいさ
			1 F (ファラド) のコンデンサに 1 C (クーロン) の電気でんき量りょうを充電じゅうでんしたときの電極でんきょく間あいだの電位差でんいさ
			1 C の電荷でんかを運はこぶのに 1 J (ジュール) の仕事しごとを要ようしたときの2点てん間あいだの電位差でんいさ
		1.1 V	「ボルタの電池でんち」の起電きでん力りょく
		1.5 V	円筒えんとう形がた乾電池かんでんちの公称こうしょう電圧でんあつ
		2〜3.5 V	可視かし光こう LEDの順じゅん方向ほうこう電圧でんあつ (発光はっこうに必要ひつような印加いんか電圧でんあつ)
		3.0 V	二酸化にさんかマンガンリチウム電池でんち (コイン型がたリチウム電池でんち)の公称こうしょう電圧でんあつ
		3.3 V	一般いっぱん的てきなCMOSデジタル回路かいろにおける電源でんげん電圧でんあつの一いち例れい
		3.7 V	リチウムイオンポリマー二に次じ電池でんちの公称こうしょう電圧でんあつ
		4.75〜5.25 V	USBの電源でんげん供給きょうきゅう電圧でんあつ
		9 V	006P (角かく型がた乾電池かんでんち) の公称こうしょう電圧でんあつ
		12 V	一般いっぱん的てきな自動車じどうしゃ用ようバッテリー
		24〜50 V	概おおむねこれ以上いじょうが人体じんたいに対たいする危険きけん電圧でんあつとされる (感電かんでんも参照さんしょう)
		100〜250 V	一般いっぱん家庭かていに配電はいでんされる商用しょうよう電源でんげんの電圧でんあつ国こくごとの違ちがいは商用しょうよう電源でんげんも参照さんしょう
		300〜400 V	デンキナマズ
		650〜850 V	デンキウナギ
10³	キロボルト (kV)		静電気せいでんき
		1,200〜2,000 V	AEDの電気でんきショックに使用しようされる放電ほうでん電圧でんあつ
		600〜3,000 V	鉄道てつどうの直流ちょくりゅう電化でんかの電圧でんあつ（国くにや路線ろせんにより異ことなる）直流ちょくりゅう電化でんか#採用さいよう事例じれいも参照さんしょう
		15,000〜25,000 V	鉄道てつどうの交流こうりゅう電化でんかの電圧でんあつ（国くにや路線ろせんにより異ことなる）交流こうりゅう電化でんか#採用さいよう事例じれいも参照さんしょう
		66,000〜1,000,000 V	送電そうでん線せんの電圧でんあつ
		660,000 V	原子力げんしりょく発電はつでん所しょ周辺しゅうへんなどの高圧線こうあつせんの電圧でんあつ
		数すう10万まん〜100万まん V	スタンガンのおよその放電ほうでん電圧でんあつ
10⁶	メガボルト (MV)	3200万まん V	ホリフィールド放射ほうしゃ性せいイオンビーム施設しせつ
10⁶	メガボルト (MV)	1億おく〜10億おく V	雷かみなり
10⁹	ギガボルト (GV)
10¹²	テラボルト (TV)
10¹⁵	ペタボルト (PV)	3京きょう8000兆ちょう V	PSR J0537-6910
10¹⁸	エクサボルト (EV)	1000京きょうボルト	超ちょう大だい質量しつりょうブラックホール
･･･
10²⁷		1.04×10²⁷V	プランク電圧でんあつ